SU638163A1 - Способ изготовлени мессбауровских источников - Google Patents
Способ изготовлени мессбауровских источников Download PDFInfo
- Publication number
- SU638163A1 SU638163A1 SU762423985A SU2423985A SU638163A1 SU 638163 A1 SU638163 A1 SU 638163A1 SU 762423985 A SU762423985 A SU 762423985A SU 2423985 A SU2423985 A SU 2423985A SU 638163 A1 SU638163 A1 SU 638163A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- sources
- making
- moessbauer
- isotope
- matrix
- Prior art date
Links
Landscapes
- Medicines Containing Antibodies Or Antigens For Use As Internal Diagnostic Agents (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области дерной , спектроскопии и может быть применено в качестве технологическо-.. го процесса при изготовлении источников , используемых в дерной у - спе троскопии дл идентификации фаз в сплавах внедрени ,изучени процессов упор дочени в сплавах,изучени радиационных дефектов и т.д.
В насто щее врем известно нecкoл ко методов изготовлени Мэссбауэровских источников: метод создани долгоживущего изотопа облучением исходного материала в нейтронном потоке путем дерных превра1чений 1 метод ионной бомбардировки, где вводитс долгоживущий изотоп в исходный материал с последукхчеП термической обработкой дл отжига дежектов 2.
Известные способы изготовлени Мэссбауэровских источников неудобны дороги, так как радиоактивный изотоп вводитс в ионный источник, например . Кроме того, коэффициент распылени большинства мишеней т желыми ионами достаточно велик ( - 10 Э) . Это приводит к тому, что, не разруша поверхность металла, невозможно создать источник с достаточной величиной эффекта в тонких пленках.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению вл етс способ изготовлени Мэссбауэ ровских источников, заключающийс во введении радиоактивного изотопа с ограниченной растворимостью в матрицу исходного материала путем диффузионного отжига 3 .
Этотспособ представл ет собой технологический процесс изготовлени источника дл получени эффекта Мэссбауэра , а именно, при исследовании сплавов в них ввод т с помощью диффузионного отжига изотоп . Диффузионный отжиг провод т в статическом вакууме не хуже 5-10 мм рт.ст. при 1080С в течение 16 ч. После диффузионного отжига источники используют дл измерени эффекта Мессбауэра.
При этом способе введение радиоактивного изотопа Со, имеющего ограниченную растворимость в матрице, св зано с большими техническими трудност ми: при высоких температурах отжига Со улетает в вакуум, при этом наблюдаютс большие потери изотопа . При низких же температурах плохо внедр етс в матрицу источника .
Claims (1)
- Формула изобретенияСпособ изготовления Мессбауэровских источников, заключающийся во введении радиоактивного изотопа с ограниченной растворимостью в матрицу исходного материала путем диффузионного отжига, отличающийс я т^м, что, с целью увеличения эффективности источников, последние облучают легкими ионами инертных газов, преимущественно гелия, и дополнительно термообрабатывают при 1001000°С.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762423985A SU638163A1 (ru) | 1976-11-29 | 1976-11-29 | Способ изготовлени мессбауровских источников |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762423985A SU638163A1 (ru) | 1976-11-29 | 1976-11-29 | Способ изготовлени мессбауровских источников |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU638163A1 true SU638163A1 (ru) | 1980-10-30 |
Family
ID=20684317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762423985A SU638163A1 (ru) | 1976-11-29 | 1976-11-29 | Способ изготовлени мессбауровских источников |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU638163A1 (ru) |
-
1976
- 1976-11-29 SU SU762423985A patent/SU638163A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4452644A (en) | Process for doping semiconductors | |
Sibley et al. | Radiation damage in MgO | |
JP4413157B2 (ja) | イオン注入と熱処理による発色したダイアモンドの製造方法 | |
US3341352A (en) | Process for treating metallic surfaces with an ionic beam | |
US5084909A (en) | Method of processing gemstones to enhance their color | |
DE3216850A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum thermischen behandeln von halbleitermaterialien | |
SU638163A1 (ru) | Способ изготовлени мессбауровских источников | |
JPH05188020A (ja) | 2次イオン質量分析法による定量分析方法及び2次イオン質量分析装置 | |
GB1057119A (en) | Method of and apparatus for the production of thin films on a substrate or carrier by ion beam sputtering | |
US3432262A (en) | Method for the production of amorphous cadmium sulphide | |
Matthews | The fluorescence of diamonds excited by X-Rays | |
Van Rossum et al. | Rare gas matrix isolation of 57Co by the ion implantation technique | |
Görlich et al. | Studies on the Coloration of LiF Crystals | |
Weil et al. | Preparation of Diffusion Couples by Cathodic Sputtering | |
JPS637022B2 (ru) | ||
SU381300A1 (ru) | Способ отжига радиациопных дефектов в полупроводнике | |
SU1118083A1 (ru) | Устройство дл имплантации вещества в материалы | |
JPH04104042A (ja) | シリコン中の酸素濃度測定方法 | |
Soszka | The structure of the energy spectrum of secondary electrons emitted by a Zn surface Bombarded with low-energy ions | |
JPS57111019A (en) | Doping method for impurity | |
Meyer et al. | The influence of vacancy-impurity interaction on the lattice site occupation of nonsoluble elements implanted in iron | |
RU1345688C (ru) | Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата кали | |
Udo et al. | Ultrashallow acceptors in neutron-transmutation-doped silicon | |
Copeland et al. | Radical formation in cysteamine-HCl gamma-irradiated in the dry state and in frozen aqueous solution | |
SU1675968A1 (ru) | Способ совместной юстировки электронной и ионной пушек в оже-спетрометрах |