SU634403A1 - Сверхвысокочастотный аттенюатор - Google Patents

Сверхвысокочастотный аттенюатор

Info

Publication number
SU634403A1
SU634403A1 SU772440823A SU2440823A SU634403A1 SU 634403 A1 SU634403 A1 SU 634403A1 SU 772440823 A SU772440823 A SU 772440823A SU 2440823 A SU2440823 A SU 2440823A SU 634403 A1 SU634403 A1 SU 634403A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
attenuator
semiconductor element
transmission line
shf
control circuit
Prior art date
Application number
SU772440823A
Other languages
English (en)
Inventor
Виталий Петрович Нарбут
Валерий Александрович Фурман
Алексей Иванович Юшин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8117
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8117 filed Critical Предприятие П/Я В-8117
Priority to SU772440823A priority Critical patent/SU634403A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU634403A1 publication Critical patent/SU634403A1/ru

Links

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Description

Изобретение относитс  к СВЧ-техни ке и может использоватьс  дл  управлени  сигналами в различг ых радиопри емниках, радиопередающихи измерительных устройствах. Известен свёрхвысокочастотный аттенюатор , содержащий отрезок полоско врй линии передачи с включенным в не го полупроводниковым элементом и цепь управлени  . Однако это устройство :арактеризуетс  пониженной разв зкой между цепью управлени  и СВЧ-линией переда чи. Целью изобретени   вл етс  увеличение разв зки между линией передачи и цепью управлени . Дл  этого в сверхвысокочастотном аттенюаторе, содержащем отрезок полосковой линии передачи с включенным в него полупроводниковым элементом и цепь управлени , полупроводниковый элемент выполнен из материала с высоким температурным коэффициентом сопротивлени  в виде сло , нанесенного на подложку полосковой линии передачи, цепь управлени  выполнена в виде металлического сло  с высоким удельным сопротивлением , расположенного на поверхности полупроводникового элемента и изолированного слоем диэлектрика, причем металлический слой соединен с заземленным проводником линии передачи. На фиг. 1 приведено предложенное устройство, общий вид в разрезе; на фиг. 2 - при гципиальна  электрическа  схема. Сверхвысокочастотный аттенюатор содержит отрезок полосковой линии передачи 1 с включенным в него полупроводниковым элементом 2 и цепь управлени  3. Полупроводниковый элемент 2 выполнен из материала с высоким температурным коэффициентом сопротивлени  в виде сло  4, нанесенного на подложку 5 полосковой линии передачи 1. Цепь управлени  3 выполнена в виде металлического сло  б с высоким удельным сопротивлением, расположенного на поверхности полупроводникового элемента 2 и изолированного слоем диэлектрика 7, причем металлический слой 6 соединен с заземленным проводником 8 СЕЧ-ЛИНИЙ передачи 9, Кроме того, схема содержит сопротивление 10 сло  4 полупроводникового элемента 2, сопротивление 11металлического сло  6 и источник 12управл емого тока.
SU772440823A 1977-01-05 1977-01-05 Сверхвысокочастотный аттенюатор SU634403A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772440823A SU634403A1 (ru) 1977-01-05 1977-01-05 Сверхвысокочастотный аттенюатор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772440823A SU634403A1 (ru) 1977-01-05 1977-01-05 Сверхвысокочастотный аттенюатор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU634403A1 true SU634403A1 (ru) 1978-11-25

Family

ID=20690903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772440823A SU634403A1 (ru) 1977-01-05 1977-01-05 Сверхвысокочастотный аттенюатор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU634403A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2060435B (en) Highly thermal conductive and electrical insulating substrate
KR960005987A (ko) 신호 전파 손실을 저감하기 위한 마이크로파 집적회로 수동소자 구조체 및 방법
NL186049B (nl) Microstripantenne met een dielektrisch substraat met op de ene zijde van het substraat een aardvlak en op de andere zijde microstripgeleiders.
DK255077A (da) Fremgangsmade til at pafore et afriveligt ledende lag pa en isoleret kabelleder
DE3070877D1 (en) High frequency semiconductor device on an insulating substrate
US3413405A (en) Electrical shielding tape
GB1549757A (en) Thermally conductive electrical insulating tape
ES8502242A1 (es) Dispositivo de alimentacion de un receptor electrico en posicion variable sobre una superficie
GB1077425A (en) Coaxial cable
SE7612917L (sv) Elektriskt motstand med nytt anslutningsorgan samt framstellning derav
SU634403A1 (ru) Сверхвысокочастотный аттенюатор
GB2059861B (en) Extruding an insulating material layer over w wrapped electrical conductor
ES546028A0 (es) Procedimiento para la obtencion de sustratos de metal provistos de revestimientos de capas electricamente aislantes con reducida dependencia de la temperatura de la resistencia electrica.
PL201750A1 (pl) Urzadzenie do zakonczania wielu izolowanych przewodow elektrycznych,przez wcisniecie ich w przebijajace izolacje czesci stykowe laczowki elektrycznej
GB1388222A (en) Blocking capacitor for a thin-film rf transmission line
GB1234858A (en) Terminal construction for electrical circuit element
JPS5536915A (en) Electronic circuit and its manufacturing
DE3170365D1 (en) Electrically conductive substrate with insulating coating and coating for same
GB1090457A (en) Semiconductor devices
SU680148A1 (ru) Полоскова лини задержки
FR2420220A1 (fr) Coupleur hyperfrequence directif, et circuit hyperfrequence comportant un tel coupleur
DE3686663D1 (de) Mikrowellen-zirkulator.
JPS57141944A (en) Microwave semiconductor device
JPS5512669A (en) Metallic conductive layer on insulating substrate
GB1456370A (en) Microwave attenuator