SU613219A1 - Полупроводниковый датчик давлени - Google Patents

Полупроводниковый датчик давлени

Info

Publication number
SU613219A1
SU613219A1 SU762421117A SU2421117A SU613219A1 SU 613219 A1 SU613219 A1 SU 613219A1 SU 762421117 A SU762421117 A SU 762421117A SU 2421117 A SU2421117 A SU 2421117A SU 613219 A1 SU613219 A1 SU 613219A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
temperature
semiconductor pressure
pressure pickup
membrane
amplifier
Prior art date
Application number
SU762421117A
Other languages
English (en)
Inventor
Михаил Илларионович Лунев
Вячеслав Аркадьевич Андронов
Владимир Иванович Красов
Юрий Михайлович Волокобинский
Вера Николаевна Коковина
Original Assignee
Опытное Конструкторско-Технологическое Бюро "Кристалл" Ленинградского Технологического Института Имени "Ленсовета"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Опытное Конструкторско-Технологическое Бюро "Кристалл" Ленинградского Технологического Института Имени "Ленсовета" filed Critical Опытное Конструкторско-Технологическое Бюро "Кристалл" Ленинградского Технологического Института Имени "Ленсовета"
Priority to SU762421117A priority Critical patent/SU613219A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU613219A1 publication Critical patent/SU613219A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Force In General (AREA)

Description

Напр жение, пропорциональное разности температ фы баланса и темнературы мембраны , с выхода терморезистивного моста поступает на вход усилител  7 сигнала температуры . Нагрузкой выходного каскада усилител   вл етс  сопротивление корпуса датчика . Ток, протека  по корпусу, нагревает его, и при этом температура мембраны приближаетс  к температуре стабилизации. Величина этого тока в установившемс  режиме определ етс  скоростью теплообмена корпуса с окружающей средой н коэффициентом Зсилени  усилител  сигнала температуры.
Нолупроводниковые терморезисторы, включенные в противоположные плечи терморезистивного моста, размещаютс  на мембране таким образом, чтобы обеспечить нечувствительность их к деформации.
Балансировка терморезистивного моста производитс  нри температуре мембраны, равной температуре стабилизации, подстройкой пленочных резисторов.
Равномерность плотности тока через вакуумную  чейку обеспечиваетс  формой омических контактов, представл ющих собой металлические пленочные полоски, расположенные по днаметрально противоположным сторонам мембраны.
Использование предлагаемого датчика но сравнению с существующими обеспечит повыщение точности измерени  в 2-3 раза за счет уменьшени  температурной погрешности
измерени ; увеличение выходного напр жени  с тензомоста из-за отсутстви  последовательно соединенной с тензомостом цени температурной компенсации и существенное упрощение технологии изготовлени  датчика
за счет упрощени  электрической схемы, сокращени  технологического цикла и снижени  трудоемкости настройки прибора.

Claims (2)

1.Патент ФРГ 1067240, кл. 42 к 7/05, 1968.
2.Патент США № 3836796, кл. 73-398, 1975.
SU762421117A 1976-11-19 1976-11-19 Полупроводниковый датчик давлени SU613219A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762421117A SU613219A1 (ru) 1976-11-19 1976-11-19 Полупроводниковый датчик давлени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762421117A SU613219A1 (ru) 1976-11-19 1976-11-19 Полупроводниковый датчик давлени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU613219A1 true SU613219A1 (ru) 1978-06-30

Family

ID=20683235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762421117A SU613219A1 (ru) 1976-11-19 1976-11-19 Полупроводниковый датчик давлени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU613219A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4333349A (en) * 1980-10-06 1982-06-08 Kulite Semiconductor Products, Inc. Binary balancing apparatus for semiconductor transducer structures

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4333349A (en) * 1980-10-06 1982-06-08 Kulite Semiconductor Products, Inc. Binary balancing apparatus for semiconductor transducer structures

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4320664A (en) Thermally compensated silicon pressure sensor
JP3071202B2 (ja) 半導体圧力センサの増巾補償回路
US3967188A (en) Temperature compensation circuit for sensor of physical variables such as temperature and pressure
US5184520A (en) Load sensor
CN117705898A (zh) 一种高性能气体传感器检测方法
SU613219A1 (ru) Полупроводниковый датчик давлени
US2865202A (en) Device for measuring and detecting thermal energy
JPH08136363A (ja) ロードセルとこれを用いた計量装置
US5148707A (en) Heat-sensitive flow sensor
Handschy A general purpose temperature controller
JPS6147371B2 (ru)
JPH03118443A (ja) 水素量測定装置
RU2084846C1 (ru) Полупроводниковый преобразователь давления со схемой термокомпенсации
JPS6222272B2 (ru)
JP3332280B2 (ja) ヒートワイヤ型加速度検出器
SU805061A1 (ru) Способ температурной компенсацииТЕНзОдАТчиКОВ B МОСТОВОй CXEME
JPS5920658Y2 (ja) 熱伝導型真空ゲ−ジの検出回路
JPH0682844B2 (ja) 半導体歪変換装置
JPH0531729B2 (ru)
SU765646A1 (ru) Устройство дл преобразовани деформации упругого чувствительного элемента в токовый выходной сигнал
SU128561A1 (ru) Фотоэлектрический измеритель давлени в биологических системах
JP2536822B2 (ja) 計量装置用温度補償回路
SU1029011A1 (ru) Устройство дл измерени параметров среды
JPS61259134A (ja) 半導体圧力センサ
RU2024829C1 (ru) Датчик давления