Claims (2)
ного тиристора в главном тиристоре с внутренним усилением зажигани . На фиг. 1 показан предлагаемый тиристор, разрез; на фиг. 2 - полупроводниковый элемент, первый вариант выполнени ; на фиг. 3 - то же, второй вариант выполнени . Полупроводниковый элемент имеет четыре области, из которых область 1 образует первую эмиттерную область, область 2 - первую базовую область, область 3 - вторую базовую область и область 4 - вторую эмиттерную область . Перва эмиттерна область 1 снабжена электродом 6, а втора эмит терна область 4 - электродом 5. Пер ва базова область 2 имеет управл ющий электрод 7. Между управл ющим электродом 7 и первой эмиттерной областью 1 расположен на левой стороне нагрузочный сегмент 8, Нагрузочный сегмент 8 частично закрывает управл ющий электрод. Как только на управл ющий электрод 7 подаетс ток, он направл етс по пути, обозначенному стрелой, к первой эмиттерной зоне 1, На сторюне окруженной нагрузочным сегментом 8, управл ющий ток, поступа с управл ющего электрода 7, должен пройти под нагрузочным сегментом 8. Такой путь однако создает высокое сопротивление дл управл ющего тока, что объ сн етс уменьшением легировани в зависимости от глубины в первой области базы 2. Поэтому ток концентрируетс в основном на выемке 9 в нагрузочном сегменте 8 (через которую он может в основном идти по поверхности первой базовой области на правую сторону первой эмиттерной области 1). Это вызывает повьшение плотности управл ющего тока на противолежащей выем ке части р-п перехода, расположенно го между первой эмиттерной областью и базовой областью 2. Поэтому проце зажигани может быть там на сравните но большой поверхности, следователь но тиристор испытывает соответствен но меньшие нагрузки от нагрузочного тока, проход щего в этой зоне. Длин выемки 9 нагрузочного сегмента 8 оп редел етс требовани ми к зажигани и имеющимс током зажигайи (см.фиг.2). В зависимости от тип тиристора, например в зависимости от легировани , существует различный оптимум. Он может быть в пределах от 1 до 10 , Ширина нагрузочного сегмента 8 может составл ть, напри . мер, 0,5 ЮМ глубина - соответствовать глубине первой базовой области 2 той же проводимости. Нагрузочный сегмент 8 может изготавливатьс одновременно с первой эмиттерной областью 1, например, путем диффузии . Наличие рассто ни между управл ющим электродом 7 и нагрузочным сегментом 8 необ зательно.. Управл ющий электрод и нагрузочный сегмент могут перекрыватьс также на внутренней стороне нагрузочного сегмента Ь (см.фиг.3). С увеличением зоны включени сокращаетс врем запаздывани зажигани за счет повышени плотности тока. Это имеет, например, определенное значение при параллельном включении нескольких тиристоров, когда желательно иметь по возможности одинаковое врем запаздывани зажигани . При уменьшении времени запаздывани зажигани становитс более незначительной абсолютна область рассе ни . Тиристоры описанного вида можно использовать также и в качестве вспомогательных тиристоров в главных тиристорах с усилением зажигани , когда необходимо обеспечить, чтобы вспомогательный тиристор зажигалс перед главным тиристором. Это достигаетс путем повышени удельной плотности тока зажигани дл вспомогательного тиристора. Это повышение удельной плотности тока згикигани можно создать выбором соответствукхцего размера выемки. Благодар этому становитс возможным создавать необходимую плотность тока зажигани вспомогательного тиристора без учета геометрии и размеров эмиттерных р-п-переходов . Формула изобретени Тиристор с полупроводниковым элементйм , содержащий по меньшей мере, четыре зоны чередующегос типа проводимости и три электрода, причем управл ющий электрод присоединен к базовой зоне, а нагрузочный сегмент с типом проводимости, противоположным базовой зоне, расположен между змиттерным и управл ющим электродом , отличающийс тем, что, с целью увеличени площади захмгани , управл ющий электрод перекрывает нагрузочный сегмент с внутренней стороны. Источники информации, прин тые йо внимание при экспертизе: 1.Выложенна за вка ФРГ кл. 21 д 11/2 2109508, 1971. thyristor in the main thyristor with internal ignition amplification. FIG. 1 shows the proposed thyristor, section; in fig. 2 - semiconductor element, the first embodiment; in fig. 3 is the same as the second embodiment. The semiconductor element has four regions, of which region 1 forms the first emitter region, region 2 is the first base region, region 3 is the second base region and region 4 is the second emitter region. The first emitter region 1 is equipped with an electrode 6, and the second emitter region 4 is an electrode 5. First, the base region 2 has a control electrode 7. Between the control electrode 7 and the first emitter region 1, the load segment 8 is located on the left, the load segment 8 partially covers the control electrode. As soon as current is supplied to the control electrode 7, it is directed along the path indicated by the boom to the first emitter zone 1. On a side surrounded by a load segment 8, the control current coming from the control electrode 7 must pass under the load segment 8. Such a path, however, creates a high resistance for the control current, which is explained by a decrease in doping depending on the depth in the first region of base 2. Therefore, the current is concentrated mainly in recess 9 in the load segment 8 (through which it can mainly go on the surface of the first base region on the right side of the first emitter region 1). This causes a decrease in the control current density at the opposite recess of the part of the pn junction located between the first emitter region and the base region 2. Therefore, the ignition process can be there on a relatively large surface, and therefore the thyristor suffers a correspondingly lower load from current flowing in this zone. The lengths of the notch 9 of the load segment 8 are determined by the requirements for ignition and the current of the ignition (see Fig.2). Depending on the type of thyristor, for example, depending on the doping, there is a different optimum. It can be in the range from 1 to 10, the width of the load segment 8 can be, for example. measures, 0.5 YuM depth - correspond to the depth of the first base region 2 of the same conductivity. The load segment 8 can be manufactured simultaneously with the first emitter region 1, for example, by diffusion. The presence of a distance between the control electrode 7 and the load segment 8 is optional. The control electrode and the load segment can also overlap on the inner side of the load segment b (see Fig. 3). With an increase in the firing range, the delay time of the ignition is reduced by increasing the current density. This has, for example, a certain value when several thyristors are turned on in parallel when it is desirable to have the same ignition delay time as possible. As the ignition delay time decreases, the absolute scattering region becomes less significant. Thyristors of the described type can also be used as auxiliary thyristors in main thyristors with enhanced ignition, when it is necessary to ensure that the auxiliary thyristor is lit in front of the main thyristor. This is achieved by increasing the specific current density of the ignition for an auxiliary thyristor. This increase in the specific current density of the zigikigani can be created by choosing the appropriate size of the notch. Due to this, it becomes possible to create the necessary ignition current density of the auxiliary thyristor without taking into account the geometry and dimensions of the emitter pn-junctions. A Thyristor with a semiconductor element containing at least four zones of alternating conductivity type and three electrodes, the control electrode being connected to the base zone, and a load segment with the type of conductivity opposite to the base zone, located between the emitter and control electrode, different By the fact that, in order to increase the area of the chamber, the control electrode blocks the load segment from the inside. Sources of information taken into account during the examination: 1.Is laid out for Germany FR. 21 d 11/2 2109508, 1971.
2.Патент ФРГ кл. 21 д 11/02 №1933587, 1969.2. The patent of Germany CL. 21 d 11/02 No. 1933587, 1969.
„.. .1.1..,. JLj„.. .1.1 ..,. Jlj
1 . г у (uO(one . yy (uO (
гg
фи«.2fi ".2