SU589571A1

SU589571A1 - Волноводный измерительный преобразователь

Info

Publication number: SU589571A1
Application number: SU772444701A
Authority: SU
Inventors: Юрис Карлович Григулис; Мартин Карлович Дагилис; Виестурс Мартынович Пориньш; Сигурдс Юльевич Русманис
Original assignee: Физико-Энергетический Институт Ан Латвийской Сср
Priority date: 1977-01-26
Filing date: 1977-01-26
Publication date: 1978-01-25

Description

(54) ВОЛНОВОДНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Л

Изобретение относитс к контрольнЬизмерительной технике и может испольг зоватьс дл контрол параметров слоЬ ев полупроводниковых структур.

Известны сверхвысокочастотные методы измерени удельного сопротивлени полупроводниковых пластин/ при которых образец помещаетс в волново|| и, кроме того(Прижат к концу волновода l.

Однако в известном преобразователе точность измерени недостаточна, особенно при контроле тонких слоев материалов двух или более слойных структур с малым удельным сопротив (лением.

Наиболее близким техническим решет нием к изобретению вл етс волноводг |ный преобразователь дл контрол электрических параметров полупроводйиковЕлх структур, содержащий переходной фланец и отрезок волноводного

тракта X.

Однако у этого волноводного преобразовател ч шствительность измерени толщины высокоомных слоев на низкоомных структурах недостаточна.

Цель изобретени - увеличение чувотвительности измерени толщины высокоомных сшоей на низкос 1ных стру турах и параметров низкоомных структур с линеаризацией функциональной зависимости при низких значени х этих величин.

Дл этого в волноводном преобразователе дл контрол электрофизических параметров полупроводниковых структур, содержащем переходивши фланец и отрезок волноЁодног.о тракта, на конце отрезка волноводного тракта установлена отражающа поверхность.

На фиг, 1 показан предлагаемый ВОЛНОВОДНЫЙ преобразователь, возможней вариант конструкции; на фиг,2 - кривые , характеризующие эффективность использовани предлагаемого преобразовател ,

ВОЛНОВОДНЫЙ преобразователь дл контрол электрических параметров полупроводниковых структур содержит переходный фланец 1, отрезок волноводного тракта 2, на конце которого установлена отражающа поверхность 3,

Claims

При наложении на отражающую повер4ность 3 испытуемого образца возникает поперечное распространение сверхвысо4 кочастотной мощности в высокоомном поверхностном слое 4 вследствие MHQгократного отражени потока между отражающей поверхностью 3 и низкоомной структурой 5. Кривые (см. фиг.2) характеризуют ВОЗМОЖНОСТЬ достижени значительного {прироста чувствительности измерений на примере контрол толщины d диэлектрических слоев, нанесенных на ниэкор ных полупроводниковых пластинках с р 0,001, 0,03, 0,1 и 0,5 Ом-см по показани м разности тока измерительного устройства, например по разнице показаний тока индикатора и минимуме сто чей волны измерительной пинии при контроле структуры со слоеи и основы. Кривые 1 определ ют изменение раз |ности тока дл преобразовател без отражающей поверхности, а кривые П характеризуют изменение разности тока JB измерительном приборе дл тех же контрольных образцов при использовании предлагаемогоизмерительного преобразовател . I .При использованиипредлагаемого преобразовател чувствительность изме рений контролируемых параметров образ цов, т.е. толщины слоев d или удельИого сопротивлени р , а также поверхJHOcTHoro сопротивлени Rg,Ha пор док , чем дл преобразователей, не имеющих отражающей поверхности, при|Чем така чувствительность сохран етс не только при контроле толщины диэлектрических и высокоомных полупрйЭодниковых слоев, а также при контроле параметров подложки при определен ,ной толщине верхнего сло .Такой при- рост чувствительности возможен вследствие возникновени в приповерхностнём слое контролируемой структуры многократных отражений потока электромаг;нитной энергии. Формула изобретени I Волноводный измерительный преобразователь дл контрол электрофизичесkиx параметров полупроводниковых структур, содержащий переходный флайец и отрезок волноводного тракта, отличающийс тем, что, с целью увеличени чувствительности измерени толщины высокоомных слоев На низкоомных структурах и параметро4 низкоомных структур с линеаризацией функциональной зависимости при низких значени х этих величин, на конце отрезка волноводного тракта установлена отражающа поверхность. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Давыдов Д., Арапов Ю. ПТЭ, 1967, 6, с. 113.
2.Авторское свидетельство СССР №.166763, М.Кл. GiOl Т 31/26, 1962.

Ilo

1600

tzoo

120