SU579261A1

SU579261A1 - Charge for manufacturing ceramic material

Info

Publication number: SU579261A1
Application number: SU7602374388A
Authority: SU
Inventors: Эдуард Игоревич Пузырев; Генриетта Мироновна Шапиро
Original assignee: Предприятие П/Я А-1067
Priority date: 1976-06-21
Filing date: 1976-06-21
Publication date: 1977-11-05

Description

Изобретение относитс к созданию керамических диэлектриков на основе окиси алюмини . Известен керамический материал на основе окиси алюмини , изготовленный из шихты, влкючающей МпО U Cpjuj I. Однако высока температура его спе кани - 1600-1б50 С. Наиболее близким техническим реше нием по составу к описываемому изобр тению вл етс шихта дл изготовлени сипюмооксидной керамики,включающа M и добавки WnCf2,Q4 , . , в следующем соотношении между компонентами , вес.%: MnMjO. Однако, материал, изготовленный и шихты, содержащей 2,8Bec.%SiOi / содержит 11-14% стеклофазы, а из шихты с содержанием 5,8% SiOj - до 25-30% стеклофазы . Стекло, как известно, обладает высокими диэлектрическими потер ми, поэтому применение в качестве диэлектрика указанной шихты невыгодно. Например, керамика состава - 88; MntfjO -O , 8 ; Si02-4,2; .-7,0 имеет при температуре trio 14.10 и е. 9,0. Целью насто щего изобретени вл етс снижение тангенса угла дизлектрических потерь в сверхвысокочастотном диапазоне. Цель достигаетс 5а счет тоГо, что шихта, включаем компоненты CjOj , flC.pjD,MrU€jO, ЛШд в следующем соотношении , вес.%: 0,1 - 2,5 0,1 -1,0 SiOg NnMjO, 0,3 - 6,0 W,Qj остальное Благодар практическому отсутствию стеклофазы в керамике .и ее низкотемпературному спеканию получают диэлектрики с мелкокристаллической структурой и низкими диэлектрическими потер ми . Например, керамика состава вес%; Jie.,Oj-93,4;M-nCr5,04- 0,8; MnflBjO - 5,2; SiOg-OG спекаетс .при 1520 (tlO)°C и имеет тангенс угла диэлектрическихThis invention relates to the creation of ceramic alumina-based dielectrics. A ceramic material based on alumina, made from a mixture containing MpO U Cpjuj I, is known. However, its temperature is high - 1600–1–50 ° C. M and additives WnCf2, Q4,. , in the following ratio between components, wt.%: MnMjO. However, the material manufactured and the mixture containing 2.8Bec.% SiOi / contains 11-14% of the glass phase, and from the mixture containing 5.8% SiOj - up to 25-30% of the glass phase. Glass, as is well known, has high dielectric losses, therefore, the use of this mixture as a dielectric is unprofitable. For example, pottery composition - 88; MntfjO —O, 8; Si02-4.2; .-7.0 has at a temperature of trio 14.10 and e. 9.0. The aim of the present invention is to reduce the tangent of the dielectric loss angle in the microwave range. The goal is achieved 5a by the charge that the charge includes the components CjOj, flC.pjD, MrU € jO, Lshd in the following ratio, wt.%: 0.1 - 2.5 0.1 -1.0 SiOg NnMjO, 0.3 - 6.0 W, Qj else. Due to the practical absence of a glass phase in ceramics and its low-temperature sintering, dielectrics with a fine-crystalline structure and low dielectric losses are obtained. For example, ceramics composition weight%; Jie., Oj-93.4; M-nCr5.04-0.8; MnflBjO - 5.2; SiOg-OG is sintered at 1520 (tlO) ° C and has a dielectric angle tangent

потерь при -4 3.10 ГЦ и температуре .2(f С, равным 1ЛО..losses at -4 3.10 Hz and temperature .2 (f С equal to 1LO ..

Получают изобретение следующие образом.Get the invention in the following way.

Готов т соединени ) MnflK O дл чего смесь МпО-и также hA«0 и в эквимол рных количествах обжигают до 950-1300с (преимущественно до 1150-1200 С) в любой газовой атмосфере, затем размалывают до удельной поверхности 4тбЛ02 . Параллельно готов т кремнезем/ sro также размалывают до вышеуказанной удельной поверхности,Compounds are prepared) MnflK O for which the mixture of MpO- and also hA 0 0 and in equimolar amounts is calcined to 950-1300 s (preferably up to 1150-1200 C) in any gas atmosphere, then milled to the specific surface 4Tb02. In parallel, silica is prepared. Sro is also ground to the above specific surface,

Приготовленные компоненты ввод тThe prepared components are introduced

Bot - ЛЕ 2 OjBot - LE 2 Oj

который может быть использован как в виде электрокорунда, так и в виде спецглинозема, более чем на 90% переведенного в et,-форму.which can be used both in the form of electrocorundum, and in the form of special alumina, more than 90% translated into et, -form.

Таким образом, шихту составл ют компоненты в следующем соотиошении, вес.% г Л-ЛСаО.- 93,4 ;МпСр. 0.- 0,8; MflMjO,- 5,2; S402 - 0,6.Thus, the mixture is constituted by the components in the following relation, wt.% G L-LSaO - 93.4; Mncr. 0.- 0.8; MflMjO, - 5.2; S402 - 0.6.

В приготовленную смесь ввод т пластификатор и оформл ют из нее издели методами, общеприн тыми в керамической технологии. После выжигани пластификатора (при ) издели поступают на окончательный обжиг.A plasticizer is introduced into the prepared mixture and the product is molded from it using methods commonly used in ceramic technology. After the plasticizer is burned out (when), the products are transferred to the final calcination.

Последнюю операцию осуществл ют при температуре 1500 (±30)°С. При это издели уплотн ютс до нулевого водопоглощени , достига объемного веса 3,75 - 3,85 г/см.The last operation is carried out at a temperature of 1500 (± 30) ° C. When this product is compacted to zero water absorption, it reaches a volumetric weight of 3.75 - 3.85 g / cm.

Мелкокристаллическа -структура и практическое отсутствие стеклов«дной фазы обеспечивает получение в материале низких значений тангенса угла диэлектрических потерь в СВЧ диапазоне длин волн.The fine-crystalline structure and the practical absence of glasses of the bottom phase ensures that the material has low tangent values of the dielectric loss angle in the microwave wavelength range.

Свойства полученного материала:Properties of the material obtained:

Диэлектрическа проницаемость при ,6Dielectric constant at, 6

Тангенс угла диэлектрических noTepbt S1,10Tangent of dielectric angle noTepbt S1,10

Механи;еска прочность при изгибе, кг/м 37Mechanical; bending strength, kg / m 37

Коэффициент термического расширени Thermal expansion coefficient

а6-гоо 0 62,10 град , Lfl-«(xic83, 10град Удельное электрическое сопротивление, ом. смa6-go 0 62.10 deg, Lfl - "(xic83, 10grad Electrical resistivity, Ohm. cm

при 100°с 3,10 при 450 С 1,8. Ю при 800° С 2,2. 10at 100 ° C 3.10 at 450 C 1.8. Yu at 800 ° C 2.2. ten

Таким образом, предлагаемый состав шихты обеспечивает при сравнительно низких температурах обжига получение материала с высокими электрофизическими и механическими параметрами.Thus, the proposed composition of the charge provides at relatively low firing temperatures a material with high electrophysical and mechanical parameters.

Claims

1. Author's testimony of the USSR No. 149346, cl. From 04 to 35/10, 1960.

2. USSR author's certificate number 361158, cl. from 04 to 5/10, 1972.