SU568080A1

SU568080A1 - Storage element

Info

Publication number: SU568080A1
Application number: SU7602333168A
Authority: SU
Inventors: Валентин Семенович Никандров
Original assignee: Предприятие П/Я В-8941
Priority date: 1976-03-11
Filing date: 1976-03-11
Publication date: 1977-08-05

Description

(54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ(54) RECORDING ELEMENT

Изобретение относитс к запоминающим устройствам и может быть использовано в качестве запоминающего элемента, например , в долговремешгых запоминающнх уст ройствах, в которых информаци не разру шаетс при ее считывании и отключении питани , а дл смены информации исполь электрическое поле.The invention relates to memory devices and can be used as a storage element, for example, in long-lived memory devices in which information is not destroyed when it is read and power is turned off, and to change information using an electric field.

Известны запоминающие элементы на основе пьезокерамики l f23, В одном из иовестных элеменггов пьезокерамические пластина возбуждени и запоминающа плаоTHHi объединены друг с другом по общим электродам при помощи смолы или термоком прессии 13.Memory elements based on piezoceramics l f23 are known. In one of the most important elementary elements, the piezoceramic field plate and memory plate are connected to one another by common electrodes using a resin or thermocompressor 13.

Недостатком этого запоминающего эл& мента влгетс необходимость использов иил усилителей на его выходе.The disadvantage of this memory element is the need to use amplifiers at its output.

Наиболее близким техническим решением к предложеиному вл етс запоминающий элемент, содержащий пьезоке. амическую пластину возбуждени и запоминающую плаоГину , разделенные провод щей пластиной, и корпус 2.The closest technical solution to the offer is a memory element containing a piezocke. an amic excitation plate and a memory plate, separated by a conductive plate, and a housing 2.

Недостатком этого элемента вл етс невысокий уровень сигнала на его выходе вследствие низкого коэффициента трансфор мации напр жени .The disadvantage of this element is the low level of the signal at its output due to the low voltage transforming ratio.

Цель изобретени - увеличение выходного сиг}1ала элемента. Поставленна цель достигаетс тем, что одноименные кра тшастин жестко закреплены в корпусе.The purpose of the invention is to increase the output of a cell element. The goal is achieved by the fact that the like edges of tshastin are rigidly fixed in the housing.

На фиг, 1 показан предложенный запоминающий элемент, на фиг, 2 - схема матрицы с предложеннымн запоминающими элементами.FIG. 1 shows a proposed storage element; FIG. 2 shows a matrix diagram with proposed storage elements.

Запоминающий элемент (см. фиг. 1) содержит пьезокерамическую пластину возбуждени 1, провод щую пластину 2, пьезокерамическую запоминающую пластину 3. Платины 1 и 3 жестко соединены при помощи пластины 2. Все пластины имеют квадра- ную форму, при этом толщина запоминающей пластины в 1,2-2,0 раза больще толщины пластины возбуждени .The storage element (see Fig. 1) contains a piezoceramic excitation plate 1, a conducting plate 2, a piezoceramic storage plate 3. Platinum 1 and 3 are rigidly connected with the help of plate 2. All plates have a square shape, while 1.2-2.0 times the excitation plate thickness.

Юдин конец пластин 1,.2 и 3 жестко закреплен в корпусе 4.К пластинам 1, 2 И 3 подключены соответственно электродь 5, 6 и 7 (направлени векторов пошфиза-ции в пластинах 1 и 3 обозначены стрелками Аи Б). К считывающим шинам 8.1-8.2 подключены диоды 9.1-9.4, а входные шинь 10.1-10.2 и 11.1-11.2 подключены к запоминающим элементам 12..4.The Yudin end of the plates 1, .2 and 3 is rigidly fixed in the housing 4. Electrodes 5, 6 and 7 are connected to plates 1, 2 and 3, respectively (the directions of the vectors in the plates 1 and 3 are indicated by arrows A and B). Diodes 9.1-9.4 are connected to readout buses 8.1-8.2, and input buses 10.1-10.2 and 11.1-11.2 are connected to memory elements 12..4.

Элемент работает следующим образом. При приложении между электродами 5 и 6 электрического импульса пластина 1 за счет обратного пьезоэффекта испытывает механическую деформацию. Жестка св зь между пластинами 1-3 вызывает деформ шло пластины 3 и возникновение между электродами 7 и 6 т формаш1онного импуль са за счет пр мого пьезоаффекта, при этом коэффициент трансформации электрического напр жени составл ет не менее 0,1.The element works as follows. When an electric pulse is applied between the electrodes 5 and 6, the plate 1 undergoes mechanical deformation due to the inverse piezoelectric effect. A rigid connection between the plates 1-3 causes a deformation of the plate 3 and the occurrence between the electrodes 7 and 6 tons of a shaped pulse due to the direct piezoelectric effect, while the transformation ratio of the electric voltage is not less than 0.1.

При объединении запоминающих элементо в матрицу (см, фиг. 2) к считывающим ши« нам 8.1-8.2 через диоды 9.1-9.4 подклю чаютс электроды 7 запоминающих элемен тов 12.1-12.4. При подаче электрического импульса иа входные шины 10.1, 11.1 возбуждаютс запоминающие элементы 12.2 и 12.4. Предположим, что необходимо си ть информадию с элемента 12.4. Тогда счи-. тываюший блок (не показан) следует вклю™ чить между шинами 3.2 и 11.1. Так как диод 9.4 включен в пр мом направлении, то сигаал снимаетс с него без затруднений. Дл этого диод 9.3 включен в обратном When combining the storage elements in the matrix (see, Fig. 2), the reading elements 8.1–8.2 through the diodes 9.1–9.4 connect the electrodes 7 of the storage elements 12.1–12.4. When an electric pulse is applied to the input busbars 10.1, 11.1, the storage elements 12.2 and 12.4 are excited. Suppose you need information from element 12.4. Then consider An optional block (not shown) should be inserted between tires 3.2 and 11.1. Since diode 9.4 is connected in the forward direction, the sigal is removed from it without difficulty. For this, diode 9.3 is included in the reverse

iMiHMHHftiMiHMHHft

ИИИАИИ/ИИIIIAII / AI

направлении, что затрудн ет зар дку паразит ной емкости пластины 3 элемента 12,3 и, следовательно, не приводит к снижениюакн плитуды 1Шформационного сигнала. Считываемый сигнал будет соответствовать коду1 в При подключении считывающего блока к щинам 8.1 и 11.1 с элемента 12.1 электр ческое напр жение сниматьс не будет, так как диод 9.1 этого элемента запирает его запоминающую пластину 3. В этом случае снимаема информаци будет соответство вать коду О.direction, which makes it difficult to charge the parasitic capacitance of the plate 3 of the element 12.3 and, therefore, does not reduce the amplitude of the 1-st signal. The read signal will correspond to code1 in. When connecting the readout unit to 8.1 and 11.1 wiring from element 12.1, the electrical voltage will not be removed, since the diode 9.1 of this element locks its storage plate 3. In this case, the removed information will correspond to code O.

Формула и а о 6 р е тени Formula and a about 6 re shadow

Запоминающий элемент, содержащий пьеа керамические пластину возбуждени и запо минающую пластину, разделенные провод$ щей пластиной, и корпус, о т л и ч а ю щ и и с тем, что, с целыо увеличени выходного сигнала элемента, одноименные кра пластин жестко закреплены в корпусе.A storage element containing a pie ceramic excitation plate and a storage plate separated by a conductive plate, and a housing, which also, in order to increase the output signal of the element, are similarly fixed to the edges of the plate. case.

Источники инфомации, прин тые во , мание при экспертизе:Sources of information taken in, mania in the examination:

1.Патент США № 3401378, кл. 340 173.2, 1964.1. US patent number 3401378, class. 340 173.2, 1964.

2.Авторскре свидетельство CCQP 515157, кл. Gil С 11/00, 1974.2.Avtokre certificate CCQP 515157, cl. Gil 11/00, 1974.

//

.t.t

9Л9L

хМ.xm

-0-0

нn