SU1309084A1 - Method of reading information in matrix bimorphic ferroelectric storage unit - Google Patents

Method of reading information in matrix bimorphic ferroelectric storage unit Download PDF

Info

Publication number
SU1309084A1
SU1309084A1 SU853918419A SU3918419A SU1309084A1 SU 1309084 A1 SU1309084 A1 SU 1309084A1 SU 853918419 A SU853918419 A SU 853918419A SU 3918419 A SU3918419 A SU 3918419A SU 1309084 A1 SU1309084 A1 SU 1309084A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
memory element
reading information
oscillations
bimorphic
matrix
Prior art date
Application number
SU853918419A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Александрович Ерофеев
Александр Васильевич Соловьев
Владимир Андреевич Трещун
Original Assignee
Ленинградский Политехнический Институт Им.М.И.Калинина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ленинградский Политехнический Институт Им.М.И.Калинина filed Critical Ленинградский Политехнический Институт Им.М.И.Калинина
Priority to SU853918419A priority Critical patent/SU1309084A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1309084A1 publication Critical patent/SU1309084A1/en

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычис, 1итель- ной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств. Целью изобретени   вл етс  повышение эффективности считывани  информации. Супхность способа заключаетс  в возбуждении в выбранном элементе пам ти ультразвуковых колебаний подачей импульсного электрического напр жени  и в индикации ультразвуковых колебаний в элементе пам ти фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки . Изобретение позвол ет повысить эффективность считывани  информационных сигналов реального матричного биморф- пого накопител  информации на два--три пор дка. е (Л оо о со о ОС The invention relates to computing technology and can be used in the manufacture and operation of storage devices. The aim of the invention is to increase the efficiency of reading information. The superiority of the method lies in the excitation in the selected memory element of ultrasonic oscillations by applying pulsed electrical voltage and in the indication of ultrasonic oscillations in the memory element by phase detection of oscillations of the piezoelectric substrate. The invention makes it possible to increase the efficiency of reading out information signals of a real matrix bimorphic information accumulator by two to three orders of magnitude. e (L oo about so about OS

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств.The invention relates to computing and can be used in the manufacture and operation of storage devices.

Цель изобретени  - повышение эффективности считывани  информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации.The purpose of the invention is to increase the efficiency of reading information in a matrix bimorph ferroelectric information storage device.

Сущность способа заключаетс  в том, что возбуждение в выбранном элементе пам ти ультразвуковых колебаний осуществл ют подачей на электроды выбранного элемента пам ти импульсного электрического напр жени , а индикацию ультразвуковых колебаний в выбранном элементе пам ти осуществл ют фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки накопител  информации.The essence of the method is that the excitation of ultrasonic vibrations in the selected memory element is carried out by applying a pulsed electrical voltage to the electrodes of the selected memory element, and the indication of ultrasonic vibrations in the selected memory element is carried out by phase detection of oscillations of the piezoelectric information storage substrate.

В результате того, что амплитуда ультразвуковых колебаний в выбранном элементе пам ти зависит от амплитуды импульса электрического напр жени , а пьезоэлектрическа  подложка выполн ет функцию согласующего элемента между элементами пам ти и детектором колебаний, эффективность считывани  повышаетс  в количество раз, примерно равное отношению массы пьезоэлектрической подложки к массе элемента пам ти.Due to the fact that the amplitude of the ultrasonic oscillations in the selected memory element depends on the amplitude of the electrical voltage pulse, and the piezoelectric substrate acts as a matching element between the memory elements and the vibration detector, the reading efficiency increases by a number of times approximately equal to the mass ratio of the piezoelectric substrate to the mass of the memory element.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ считывани  информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации, основанный наThe method of reading information in a matrix bimorph ferroelectric information storage device based on возбуждении в эле.менте пам ти импульса ультразвуковых колебаний и индикации пол рности импульса ультразвуковых колебаний в выбранном элементе пам ти, отличающийс  тем, что, с целью повыше . ни  эффективности считывани  информации , возбуждение в выбранном элементе пам ти импульса ультразвуковых колебаний осуществл ют подачей на электроды выбранного элемента пам ти импульсного электрического напр жени , а индикациюexcitation in the memory element of a pulse of ultrasonic oscillations and indication of the polarity of the pulse of ultrasonic oscillations in a selected memory element, characterized in that, in order to increase. neither the efficiency of reading information, the excitation of a pulse of ultrasonic oscillations in a selected memory element is carried out by applying a pulsed electrical voltage to the electrodes of a selected memory element, and the indication 0 ультразвуковых колебаний в выбранном элементе пам ти осуществл ют фазовым детектированием колебаний пьезоэлектрической подложки накопител  информации.0 ultrasonic oscillations in the selected memory element are performed by phase detection of oscillations of the piezoelectric information storage substrate.
SU853918419A 1985-06-26 1985-06-26 Method of reading information in matrix bimorphic ferroelectric storage unit SU1309084A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853918419A SU1309084A1 (en) 1985-06-26 1985-06-26 Method of reading information in matrix bimorphic ferroelectric storage unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853918419A SU1309084A1 (en) 1985-06-26 1985-06-26 Method of reading information in matrix bimorphic ferroelectric storage unit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1309084A1 true SU1309084A1 (en) 1987-05-07

Family

ID=21185348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853918419A SU1309084A1 (en) 1985-06-26 1985-06-26 Method of reading information in matrix bimorphic ferroelectric storage unit

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1309084A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 608197, кл. G II С 11/22, 1978. Авторское свидетельство СССР № 893753, кл. G II С 11/22, 1982. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100356695B1 (en) Vibrating gyro
US3219850A (en) Electromechanical transducers
GB932701A (en) Flexural oscillator of electrostrictive material
JPS6225227A (en) Multiple component force and torque sensor and detecting method
KR830004830A (en) Ultrasound diagnostic device
SU1309084A1 (en) Method of reading information in matrix bimorphic ferroelectric storage unit
US4245172A (en) Transducer for generation and detection of shear waves
JPS6284697A (en) Ultrasonic probe
US3733590A (en) Optimum electrode configuration ceramic memories with ceramic motor element and mechanical damping
CN206134236U (en) Piezoelectric actuator and low frequency underwater acoustic transducer
US3142044A (en) Ceramic memory element
US4857792A (en) Circular direction vibrator
US6158281A (en) Vibration gyroscope
JPS5946432B2 (en) bimorph piezoelectric element
JPS6125228B2 (en)
JPH06275062A (en) Ferroelectric memory device
SU1030853A1 (en) Ferroelectronic information-accumulating device
SU1522287A1 (en) Apparatus for reading information off bimorphous piezoceramic storage
SU377880A1 (en) PIEZE TRANSFORMER STORAGE ELEMENT
SU1014034A1 (en) Ferroelectric information storage
SU427378A1 (en) MATRIX RECORDER DEVICE
SU830574A1 (en) Accumulator for storage device
SU1043745A1 (en) Ferroelectric information accumulation device
SU515157A1 (en) Piezo-ceramic memory element
SU568080A1 (en) Storage element