JPS6125228B2 - - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
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- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、バイモルフ圧電素子の改良に関す
る。近時、圧電セラミツク素子の応用としてバイ
モルフ圧電素子が開発されているが、このバイモ
ルフ圧電素子は一対の圧電セラミツク素子を積層
結合してなるもので、上記圧電セラミツク素子に
それぞれ偏向電圧を印加されて長手方向に曲げら
れることが知られている。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to improvements in bimorph piezoelectric elements. Recently, bimorph piezoelectric elements have been developed as an application of piezoelectric ceramic elements.This bimorph piezoelectric element is made by laminating and bonding a pair of piezoelectric ceramic elements, and a deflection voltage is applied to each of the piezoelectric ceramic elements. It is known that it can be bent in the longitudinal direction.
圧電セラミツク素子は高誘電率の多結晶材料で
形成され、印加電圧の特性により分極された圧電
特性を示す。分極する上記材料は分極方向を有し
ていると言われ、電圧を印加されると特異な機械
的特性を示す。たとえば薄くて長い圧電セラミツ
ク素子を金属等の基板に結合し、この圧電セラミ
ツク素子に分極方向と同一方向の電圧を印加する
と、上記圧電セラミツク素子は長手方向に対して
縮むことになる。このとき、上記基板は何ら変化
しないので結局結合された圧電セラミツク素子は
基板と共に曲がりを生ずる。この曲がりの効果を
増大する手法は、2枚の圧電セラミツク素子を結
合し各素子に電圧を印加すると共に、この電圧が
一方の素子の分極方向となり、他方の素子の分極
方向と逆になるようにすることである。このよう
にして結合された一対の素子、すなわちバイモル
フ圧電素子は単一の圧電セラミツク素子よりも大
きく曲げられる、いわゆるプツシユプル効果が達
成される。また、上記印加電圧の極性を反転する
ことにより上記曲がりを反転させることができ
る。 A piezoelectric ceramic element is made of a polycrystalline material with a high dielectric constant, and exhibits piezoelectric properties that are polarized depending on the characteristics of an applied voltage. The above-mentioned materials that are polarized are said to have direction of polarization and exhibit unique mechanical properties when a voltage is applied. For example, when a thin and long piezoelectric ceramic element is bonded to a substrate made of metal or the like and a voltage is applied to the piezoelectric ceramic element in the same direction as the polarization direction, the piezoelectric ceramic element will shrink in the longitudinal direction. At this time, since the substrate does not change at all, the connected piezoelectric ceramic element eventually bends together with the substrate. A method to increase the effect of this bending is to connect two piezoelectric ceramic elements and apply a voltage to each element, so that this voltage becomes the polarization direction of one element and the opposite polarization direction of the other element. It is to do so. A pair of elements coupled in this manner, ie, a bimorph piezoelectric element, can be bent more than a single piezoceramic element, achieving a so-called push-pull effect. Furthermore, the bending can be reversed by reversing the polarity of the applied voltage.
このようなバイモルフ圧電素子の応用として大
きな両方向の偏向を必要とするもの、たとえばビ
デオテープレコーダ(VTR)が挙げられる。
VTRにおいてビデオテープ上の情報はテープの
トラツクに含まれそのトラツクに含まれた情報の
最も良好な再生に対しては、ビデオヘツドが読み
出されているトラツク上で中心に位置決めされな
ければならない。この位置決め、つまりビデオヘ
ツドとテープのトラツクとの整合に前記バイモル
フ圧電素子が用いられる。 Applications of such bimorph piezoelectric elements include those that require large deflections in both directions, such as video tape recorders (VTRs).
In a VTR, the information on a videotape is contained in a track of the tape, and for best reproduction of the information contained in that track, the video head must be centered over the track being read. The bimorph piezoelectric element is used for this positioning, that is, alignment of the video head and the tape track.
第1図はこのような用途に使用される従来のバ
イモルフ圧電素子の概略構成を示す斜視図であ
る。両主面に電極1,2をそれぞれ取着してなる
圧電セラミツク素子3と、両主面に電極4,5を
それぞれ取着してなる圧電セラミツク素子6とが
接着剤7を介して積層されている。また、上記圧
電セラミツク素子3,6はそれぞれの分極方向を
そろえて、すなわち並列に結合されている。かく
して結合されたバイモルフ圧電素子はその一端、
つまり前記電極5の下面右側をVTRの走査ドラ
ム内に固定される。また、ビデオヘツドは上記バ
イモルフ素子の他端、つまり前電極1の上面左側
或いは前記電極5の下面左側に固定されるものと
なつている。しかして、前記電極1,5および電
極2,4がそれぞれ同一極性となるようにし、各
電極1,2,3,4,5に電力供給線を接続し、
前記圧電セラミツク素子3,6に所定の偏向電圧
を印加することによつて、前記ビデオヘツドが前
記トラツクに対して適切に位置決めされることに
なる。 FIG. 1 is a perspective view showing the schematic structure of a conventional bimorph piezoelectric element used for such applications. A piezoelectric ceramic element 3 having electrodes 1 and 2 attached to both main surfaces, and a piezoelectric ceramic element 6 having electrodes 4 and 5 attached to both main surfaces, respectively, are laminated with an adhesive 7 interposed therebetween. ing. Furthermore, the piezoelectric ceramic elements 3 and 6 are connected in parallel, with their respective polarization directions aligned. The thus combined bimorph piezoelectric element has one end,
That is, the right side of the lower surface of the electrode 5 is fixed within the scanning drum of the VTR. Further, the video head is fixed to the other end of the bimorph element, that is, to the left side of the upper surface of the front electrode 1 or to the left side of the lower surface of the electrode 5. Thus, the electrodes 1, 5 and the electrodes 2, 4 have the same polarity, and a power supply line is connected to each electrode 1, 2, 3, 4, 5,
By applying a predetermined deflection voltage to the piezoelectric ceramic elements 3, 6, the video head is properly positioned with respect to the track.
ところで、前記偏向電圧として広帯域にわたる
周波数の交流信号である正弦波、三角波、矩形
波、鋸歯状波などが用いられる。バイモルフ圧電
素子にこのような偏向電圧が印加されると同素子
は上記偏向電圧に応答すると同時に上記偏向電圧
とは異なる偏向を生じ不要振動を発生する。たと
えば、バイモルフ圧電素子に第2図aに示す如き
鋸歯状波が印加されるとこの素子は同図bに示す
如く上記鋸歯状波に応じて偏向すると共に不要振
動を発生する。また、長さが17mm、幅8mmで厚み
が0.3mmの圧電セラミツク素子を2枚はり合せた
バイモルフ圧電素子ではこの不要振動の周波数は
約1kHzとなる。このような不要振動は可能な限
り除去又は減衰させる事が好ましい。前述のバイ
モルフ圧電素子の不要振動の除去あるいは減衰の
手法としてバイモルフ圧電素子をデツト・ラバ
ー・パツドで挾持する事により不要振動を制御す
る事が試みられている。しかし、このようにデツ
ド・ラバー・パツドで挾持した場合はバイモルフ
圧電素子が偏向できる範囲を限定し、バイモルフ
圧電素子による動的偏向範囲を制限するという欠
点を有していた。つまり偏向電圧に対応したバイ
モルフ圧電素子自身の振動を除去、減衰させ、偏
向の範囲を限定する事により忠実な応答を困難な
ものとしていた。 Incidentally, as the deflection voltage, a sine wave, a triangular wave, a rectangular wave, a sawtooth wave, etc., which are AC signals having a frequency over a wide band, are used. When such a deflection voltage is applied to a bimorph piezoelectric element, the element responds to the deflection voltage and at the same time produces a deflection different from the deflection voltage, generating unnecessary vibrations. For example, when a sawtooth wave as shown in FIG. 2a is applied to a bimorph piezoelectric element, the element is deflected in accordance with the sawtooth wave as shown in FIG. 2b, and generates unnecessary vibrations. Furthermore, in a bimorph piezoelectric element made by gluing two piezoelectric ceramic elements 17 mm long, 8 mm wide, and 0.3 mm thick, the frequency of this unnecessary vibration is approximately 1 kHz. It is preferable to eliminate or attenuate such unnecessary vibrations as much as possible. As a method of removing or damping the unnecessary vibrations of the bimorph piezoelectric element mentioned above, an attempt has been made to control the unnecessary vibrations by holding the bimorph piezoelectric element between debt rubber pads. However, such clamping with dead rubber pads has the disadvantage of limiting the range in which the bimorph piezoelectric element can be deflected, thereby limiting the dynamic deflection range of the bimorph piezoelectric element. In other words, the vibration of the bimorph piezoelectric element itself corresponding to the deflection voltage is removed and attenuated, and the range of deflection is limited, making it difficult to provide a faithful response.
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、偏向できる範囲を限定
することなく、不要振動の除去もしくは減衰をは
かり得て、かつその駆動回路に特殊な回路を必要
とせず安価で応答性の良いバイモルフ圧電素子を
提供することにある。 The present invention was made in consideration of the above circumstances, and
The purpose is to provide a bimorph piezoelectric element that can eliminate or attenuate unnecessary vibrations without limiting the range of deflection, and that does not require a special drive circuit and is inexpensive and has good responsiveness. It's about doing.
まず、本発明の概要を説明する。前記不要振動
を除去する手段として本発明者達は前記圧電セラ
ミツク素子3,6間に弾性体を形成し、この弾性
体層にて不要振動を吸収させようと試みた。そし
て、弾性体層にポリエチレンフイルムシートを用
いて比較的形状の小さい素子で実験したところ前
記不要振動が大幅に少なくなると言う結果が得ら
れた。ここで不要振動除去効果として、不要振動
波が第1番目の波形の波高値の10〔%〕の値の波
高値となるまでの時間の逆数を用いた。すなわ
ち、前記第2図bに示す不要振動液の切期レベル
をH、不要振動波のレベルがH′(H′=1/10H)と
なるまでの時間をTとし、不要振動除去効果を1/
Tとする。そして、素子の長手方向の長さlに対
する上記不要振動除去効果(1/T)を測定したと
ころ第3図の曲線Aに示す如くなつた。この曲線
Aから明らかなように、弾性体層としてポリエチ
レンフイルムシートを用いた素子にあつては、上
記長さlが短い場合は前記不要振動除去効果(1/
T)が大きいが、長さlが長い場合は不要振動除
去効果(1/T)が小さいものとなる。したがつ
て、形状の小さい素子においては前記不要振動を
大幅に減衰させることができるが、形状の大きい
素子においては前記不要振動を大幅に減衰させる
ことはできない。そこで、本発明者達は前記弾性
体層を各種の部材で形成して実験を繰り返し、前
記長さlが長い場合にあつても不要振動除去効果
(1/T)が大きい部材を見出すべく鋭利研究を重
ねた。そして、その研究の結果弾性体層の部材と
してSn(錫)およびPb(鉛)が優れていること
が判明し、特にSnとPbとの合金シートが最も優
れていることが判明した。ちなみに、SnとPbと
の合金シートで前記弾性体層を形成し不要振動除
去効果(1/T)を測定したところ第3図の曲線B
に示す如くなつた。すなわち、長さlが短い場合
は不要振動除去効果(1/T)は小さいが長さlが
長くなると不要振動除去効果(1/T)は顕著とな
りポリエチレンフイルムシートに比しても十分大
きなものとなつた。 First, an overview of the present invention will be explained. As a means for eliminating the unnecessary vibrations, the inventors formed an elastic body between the piezoelectric ceramic elements 3 and 6, and attempted to absorb the unnecessary vibrations with this elastic layer. Experiments were conducted using a relatively small element using a polyethylene film sheet for the elastic layer, and the result was that the unnecessary vibrations were significantly reduced. Here, as the unnecessary vibration removal effect, the reciprocal of the time until the unnecessary vibration wave reaches a peak value of 10% of the peak value of the first waveform was used. That is, the cut-off level of the unnecessary vibration liquid shown in FIG. /
Let it be T. The unnecessary vibration removal effect (1/T) with respect to the length l in the longitudinal direction of the element was measured and was as shown by curve A in FIG. 3. As is clear from this curve A, in the case of an element using a polyethylene film sheet as the elastic layer, when the length l is short, the unnecessary vibration removal effect (1/
T) is large, but if the length l is long, the unnecessary vibration removal effect (1/T) will be small. Therefore, although it is possible to significantly attenuate the unnecessary vibrations in a small-shaped element, it is not possible to significantly attenuate the unnecessary vibrations in a large-shaped element. Therefore, the present inventors formed the elastic layer with various materials and repeated experiments, and in order to find a material that has a large unnecessary vibration removal effect (1/T) even when the length l is long, I did a lot of research. As a result of the research, it was found that Sn (tin) and Pb (lead) are excellent as materials for the elastic layer, and in particular, an alloy sheet of Sn and Pb was found to be the most excellent. By the way, when the elastic layer was formed with an alloy sheet of Sn and Pb and the unnecessary vibration removal effect (1/T) was measured, curve B in Figure 3 was obtained.
It became like this. In other words, when the length l is short, the unnecessary vibration removal effect (1/T) is small, but when the length l becomes long, the unnecessary vibration removal effect (1/T) becomes significant and is sufficiently large compared to polyethylene film sheets. It became.
本発明はこのような点に着目したもので、前記
弾性体層として、SnとPbとの合金を用いること
によつて、前記目的を達成したものである。 The present invention focuses on this point, and achieves the above object by using an alloy of Sn and Pb as the elastic layer.
以下、この発明の詳細を図示の実施例によつて
説明する。 Hereinafter, details of the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.
第4図はこの発明の一実施例の概略構成を示す
斜視図である。図中10はPZT系或いは三成分系
材料の第1の圧電セラミツク素子で、この素子1
0の両主面には電極11,12がそれぞれ取着さ
れている。また、第2の圧電セラミツク素子20
も上記素子10と同様にその両主面に電極21,
22がそれぞれ取着されている。そして、これら
第1および第2の圧電セラミツク素子10,20
はSnとPbとの合金シートからなる弾性体層30
を挾んで接着剤40にて積層されている。つま
り、第1の圧電セラミツク素子10の下面側の電
極12が接着剤40を介して弾性体層30の上面
に取着され、第2の圧電セラミツク素子20の上
面側の電極21が接着剤40を介して弾性体層3
0の下面に取着されている。なお、前記弾性体層
30を形成するSnとPbとの合金シートはSnの含
有率を98〔%〕とした。 FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of the present invention. In the figure, numeral 10 is a first piezoelectric ceramic element made of PZT or ternary material;
Electrodes 11 and 12 are attached to both main surfaces of 0, respectively. Moreover, the second piezoelectric ceramic element 20
Similarly to the above element 10, electrodes 21,
22 are attached to each. These first and second piezoelectric ceramic elements 10, 20
is an elastic layer 30 made of an alloy sheet of Sn and Pb.
They are sandwiched and laminated with adhesive 40. That is, the electrode 12 on the lower surface side of the first piezoelectric ceramic element 10 is attached to the upper surface of the elastic layer 30 via the adhesive 40, and the electrode 21 on the upper surface side of the second piezoelectric ceramic element 20 is attached to the upper surface of the elastic layer 30 via the adhesive 40. Elastic layer 3 through
It is attached to the bottom surface of 0. Note that the Sn content of the Sn and Pb alloy sheet forming the elastic layer 30 was 98%.
このような構成であれば、交流の偏向電圧に対
して発生する不要振動が前述した如く弾性体層3
0にて吸収されるため、不要振動の除去もしくは
大幅な減衰をはかることができる。たとえば、前
記第1の圧電セラミツク素子10の長さ、幅、厚
みをそれぞれ30〔mm〕、12〔mm〕、0.3〔mm〕、第2
の圧電セラミツク素子20の長さ、幅、厚みをそ
れぞれ35(mm〕、12〔mm〕、0.3〔mm〕、弾性体層3
0の長さ、幅、厚みをそれぞれ30〔mm〕、12
〔mm〕、0.2〔mm〕とし、偏向電圧として周波数30
〔Hz〕の鋸歯状波を用いたところ、第5図a,b
に示すような結果が得られた。すなわち、第5図
aに示すような鋸歯状波に対する応答は同図bに
示す如く不要振動成分がほとんどないものとなつ
た。この結果から明らかなように前記不要振動が
大幅に減衰することになる。 With such a configuration, unnecessary vibrations generated in response to an AC deflection voltage can be avoided by the elastic layer 3 as described above.
Since it is absorbed at 0, unnecessary vibrations can be removed or significantly damped. For example, the length, width, and thickness of the first piezoelectric ceramic element 10 are set to 30 [mm], 12 [mm], and 0.3 [mm], and the second
The length, width, and thickness of the piezoelectric ceramic element 20 are 35 (mm), 12 [mm], and 0.3 [mm], respectively, and the elastic layer 3 is
The length, width, and thickness of 0 are 30 [mm] and 12, respectively.
[mm], 0.2 [mm], and the frequency is 30 as the deflection voltage.
When using a sawtooth wave of [Hz], Figure 5 a, b
The results shown are obtained. That is, the response to the sawtooth wave as shown in FIG. 5a has almost no unnecessary vibration components, as shown in FIG. 5b. As is clear from this result, the unnecessary vibrations are significantly attenuated.
したがつて本実施例によれば従来のようにデツ
ド・ラバー・パツド等を用いることなく、すなわ
ち偏向できる範囲を限定することなく不要振動の
除去もしくは大幅な減衰をはかり得ると言う効果
を奏する。さらに、この実施例によれば前記第3
図から明らかな如く、特に形状(長さl)が大き
い場合に有効となる。しかも、前記弾性体層30
をSnとPbとの合金シートで形成しているので、
弾性体層30をポリエチレンフイルムシート等で
形成したものよりもその使用温度範囲を拡大(〜
200℃)することができる。また、SnとPbとの合
金シートで弾性体層30を形成するのみで、特殊
な駆動回路を付加する必要もなく、安価に実現し
得る等の利点がある。 Therefore, according to this embodiment, unnecessary vibrations can be removed or significantly damped without using a dead rubber pad or the like as in the conventional case, that is, without limiting the deflectable range. Furthermore, according to this embodiment, the third
As is clear from the figure, this is particularly effective when the shape (length l) is large. Moreover, the elastic layer 30
is made of an alloy sheet of Sn and Pb, so
The operating temperature range is expanded (~
200℃). Further, by simply forming the elastic layer 30 with an alloy sheet of Sn and Pb, there is no need to add a special drive circuit, and there are advantages such as being able to be realized at low cost.
第6図は他の実施例の概略構成を示す斜視図で
ある。なお、第4図と同一部分には同一符号を付
してその詳しい説明は省略する。この実施例が先
に説明した実施例と異なる点は、前記接着剤40
を用いずして弾性体層30に直接第1および第2
の圧電セラミツク素子10,20を取着するよう
にしたことにある。すなわち、第1および第2の
圧電セラミツク素子10,20間に弾性体層30
を挿入したのち、この弾性体層30を加圧すると
共に加熱する。弾性体層30はSnとPbとの合金
シートであるから上記加熱により溶融する。かく
して、第1および第2の圧電セラミツク素子1
0,20が溶着され積層されることになる。 FIG. 6 is a perspective view showing a schematic configuration of another embodiment. Note that the same parts as in FIG. 4 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted. This embodiment differs from the previously described embodiments in that the adhesive 40
The first and second
The piezoelectric ceramic elements 10 and 20 are attached. That is, the elastic layer 30 is placed between the first and second piezoelectric ceramic elements 10 and 20.
After the elastic layer 30 is inserted, the elastic layer 30 is pressurized and heated. Since the elastic layer 30 is an alloy sheet of Sn and Pb, it is melted by the above heating. Thus, the first and second piezoelectric ceramic elements 1
0 and 20 are welded and laminated.
このような構成であつても先の実施例と同様の
効果を奏するのは勿論のことである。さらに、第
1および第2の圧電セラミツク素子10,20が
SnとPbとの合金シートつまり導電性シートから
なる弾性体層30に直接取着されるため、前記電
極12,21の接続が不要となり製作工程の簡略
化をはかり得る等の利点がある。 Of course, even with such a configuration, the same effects as in the previous embodiment can be achieved. Furthermore, the first and second piezoelectric ceramic elements 10 and 20
Since it is directly attached to the elastic layer 30 made of an alloy sheet of Sn and Pb, that is, a conductive sheet, there is an advantage that the connection between the electrodes 12 and 21 is unnecessary and the manufacturing process can be simplified.
なお、この発明は上述した各実施例に限定され
るものではない。例えば、前記圧電セラミツク素
子の大きさや厚み等は仕様に応じて適宜定めれば
よい。同様に、弾性体層の大きさや厚み等も使用
する圧電セラミツク子の大きさや厚み等に応じて
適宜定めればよい。さらに、前記不要振動除去効
果を大きくするために弾性体層に部分的に空げき
を作る、或いは弾性体層をハニカム構造にするこ
とも可能である。 Note that this invention is not limited to each of the embodiments described above. For example, the size, thickness, etc. of the piezoelectric ceramic element may be determined as appropriate according to specifications. Similarly, the size and thickness of the elastic layer may be appropriately determined depending on the size and thickness of the piezoelectric ceramic element used. Furthermore, in order to increase the effect of eliminating unnecessary vibrations, it is also possible to partially form gaps in the elastic layer or to form the elastic layer into a honeycomb structure.
また、複数の圧電セラミツク素子を積層結合し
たプツシユプル型のものに限らず、金属基板上に
圧電セラミツク素子を積層結合したものに適用し
てもよい。さらに、VTRの他に、たとえばビデ
オデイスク等光学系を応用した装置の偏向素子と
して使用することも可能である。その他に、この
発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。 Furthermore, the present invention is not limited to a push-pull type in which a plurality of piezoelectric ceramic elements are stacked and bonded, but may be applied to a structure in which piezoelectric ceramic elements are stacked and bonded on a metal substrate. Furthermore, in addition to VTRs, it can also be used as a deflection element for devices that use optical systems, such as video disks. In addition, various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.
以上詳述したようにこの発明によれば、偏向で
きる範囲を限定することなく、不要振動の除去も
しくは減衰をはかり得て、かつその駆動回路に特
殊な回路を必要とせず安価に実現し得るバイモル
フ圧電素子を提供することができる。 As detailed above, according to the present invention, a bimorph that can eliminate or attenuate unnecessary vibrations without limiting the deflectable range, and that can be realized at low cost without requiring a special drive circuit. A piezoelectric element can be provided.
第1図は従来のバイモルフ圧電素子の概略構成
を示す斜視図、第2図a,bはそれぞれ上記装置
の作用を説明するもので、第2図aは偏向電圧を
示す信号波形図、第2図bは素子の応答を示す
図、第3図はこの発明の要旨を説明するための
図、第4図はこの発明の一実施例の概略構成を示
す斜視図、第5図a,bはそれぞれ上記実施例の
作用を説明するもので第5図aは偏向電圧を示す
信号波形図、第5図bは素子の応答を示す図、第
6図は他の実施例の概略構成を示す斜視図であ
る。
10,20……圧電セラミツク素子、30……
弾性体層、40……接着剤、11,12,21,
22……電極。
FIG. 1 is a perspective view showing the schematic structure of a conventional bimorph piezoelectric element, and FIGS. 2a and 2b illustrate the operation of the above device, respectively. FIG. Figure b is a diagram showing the response of the element, Figure 3 is a diagram for explaining the gist of the invention, Figure 4 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of the invention, and Figures 5 a and b are 5A is a signal waveform diagram showing the deflection voltage, FIG. 5B is a diagram showing the response of the element, and FIG. 6 is a perspective view showing the schematic configuration of another embodiment. It is a diagram. 10, 20... piezoelectric ceramic element, 30...
Elastic layer, 40...Adhesive, 11, 12, 21,
22...electrode.
Claims (1)
るバイモルフ圧電素子において、前記圧電セラミ
ツク素子間に不要振動を抑制する弾性体層とし
て、鉛と錫との合金を用いたことを特徴とするバ
イモルフ圧電素子。1. A bimorph piezoelectric element formed by laminating and bonding a plurality of piezoelectric ceramic elements, characterized in that an alloy of lead and tin is used as an elastic layer between the piezoelectric ceramic elements to suppress unnecessary vibrations. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8880580A JPS5713784A (en) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | Bimorph piezoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8880580A JPS5713784A (en) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | Bimorph piezoelectric element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5713784A JPS5713784A (en) | 1982-01-23 |
JPS6125228B2 true JPS6125228B2 (en) | 1986-06-14 |
Family
ID=13953090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8880580A Granted JPS5713784A (en) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | Bimorph piezoelectric element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5713784A (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5923763U (en) * | 1982-08-05 | 1984-02-14 | 株式会社トーキン | Bimorph type piezoelectric displacement element |
US4805157A (en) * | 1983-12-02 | 1989-02-14 | Raytheon Company | Multi-layered polymer hydrophone array |
JPH0658978B2 (en) * | 1984-05-21 | 1994-08-03 | 株式会社村田製作所 | Piezoelectric displacement element |
JPS649673A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-12 | Ube Industries | Piezoelectric flexible element |
JPH01169982A (en) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | Bimorph type piezoelectric element |
US6904921B2 (en) * | 2001-04-23 | 2005-06-14 | Product Systems Incorporated | Indium or tin bonded megasonic transducer systems |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5610078Y2 (en) * | 1977-12-16 | 1981-03-05 |
-
1980
- 1980-06-30 JP JP8880580A patent/JPS5713784A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5713784A (en) | 1982-01-23 |
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