SU566345A1 - Широтно-импульсный преобразователь - Google Patents

Description

Изобретеыве относитс  к обпасги подупроводниковой импульсной техники. DHO может использоватьс  в устройствах электронной ретулировки и п ёстройки длитепь ности пр моугольных импульсов преобразо- & ватвоах тнпа напр жение длвтельность импульсов , мооупнрукмцвх каскадах телеметрических систем, рвботаюших по хфинанпу шнротво-икшульсноб ыодулааии.,

Известен широтно-вмпульсвый преобра- Ю зователь, выполненный на двух транзисторах с резистивной и емкостной коллекторно-бан зовыми св з ми 1

Недостатком его  вл етс  низка  точжють, прео азовани .15

Известен также ышротно-импульсный npejобразователь , выполненный на жнущем муль|- тивибраторе, содержащем нормально запертый и нормально насыщенный транзисторы, одну резисторную и одну емкостную коллекторно- 0 базовые св зи, в котором коллекторна  цепь нормально запертого транзистора подключена; к источнику управл ющего напр жени  2J .

Недостатком его  вл етс  резкое изменение степени насыщени  иранзистора во вре- 25

менво устойчивом состоаннн. Из-за этого при малых значени х управл ющего вапраженва резко уве нчв автс  степень насжацени  в врем  рассасывани , затвгввакшее процесс опрокидывание. По вл етс  веконтролнруеи мое паразитное увапнчешсе опительноств.

Целью изо етенв   вл етс  расширенае диапазоне изменешш выходного сигнала в сторонумалых  лнтельностей импульса.

Это достигаетс  тем, что в широтно-рмпульсный преобразователь выполненный на ждушем мультивв(% атор% солвржащвм нормально запертый и нормально насыщенный транзисторы, одну резистивную и одну емК1х:тную коллекторно-базовые св зи, введены два эмиттерных повторител , вход первого повторител  подключен к источнику управл кадего напр жени , вход второго noRторнтел  подключен к коллектору нормально, насьщенного транзистора, а выходи повторителей включены в коллекторную цепь нормально запертого тоанзистора.

Claims (1)

1. На чертеже изображена электрическа  схема преобразовател . Устройство содержит нормально запертый транзистор 1, коллектор которого соединен с вы водами резистора 2 и конденсатора 3; база транзистора 1 соединена с выводами ре зистора 4, конденсатора 5 и резистора 6. Второй вывод резистора 2 соединен с эмит терами транзисторов 7 и 8, Второй вывод конденсатора 3 соединен с базой транзисто ра 9 и коллектором транзистора 10. Второй вывод резистора 4 соединен со вторым выводом конденсатора 5, коллектором транзистора Э базой транзистора | 8 н выводом рЗэзистора 11. Второй вывод резистора 6 соединен с клеммой плюс источника 12 смещени . Коллекторы транзисторов 7,8, база транзистора 10, второй вывод резистора 11 соединены d клеммой минус НС точника 13 питани . Эмиттер транзистора 10 соединен с выводом резистора 14, второй вывод которого соединен с клеммой минус дополнительного источника 15. База транзистора 7 соединена с клеммой минус источника управл ющего напр жени 16. Эмиттер транзистора 1, эмиттер транзистора 9, клемма минус источника смещени  12, клеммы плюс источников 13, 15 и 16 соеиинены с корпусом устройства. I Преобразователь работает следующим об разом. После включени  источников питани  и управл ющего напр жени  {транзистор 10 дет находитьс  в активном режиме, поскольку его эмиттерный переход смещен в пр мом направлении (предполагаетс , что абсолютное значение напр жени  источника IS больше, чем абсолютное значение напр жени  источника ). Ток коллектора транзистора 10 течет через эмиттерный переход транзистора 9 обеспечивает его насыщение. Транзистор 1 при этом закрыт. Напр жение источнике управл ющего напр жени  16 подаетс  на базу транзистора 7, включенного по схеме эмиттерного повторител , и следовательно, повтор етс  на его эмиттере, | Напр жение на эмиттере транзистора 8, св за1шом с эмиттером транзистора 7, будет также равно напр жению источника 16, поскольку напр женке на базе транзистора 8 определ  етс  напр жением на коллекторе транзистора 9, т. е. близко к нулю, то Ьмиттерный переход транзистора 8 смещен в обратном направлении и указанный транзистор заперт Конденсатор 3 зар жен до напр жени  источника 16. Такое состо ние схемы  вл ет с  длительно устойчивым. Запускающий и fflyльc отрицательной пол рности , поступа  на базу транзистора 1, вызывает переключение Tpaiiancторов 1 и 9 И перевод схемы ждущего мультивибратора во второе, временно устойчивое состо ние . В этом состо нии транзистор 1 будет насыщен, транзистор 9 заперт. Запертое состо ние транзистора 9 обеспечиваетс  за счет положительного напр жени  на его базе, создаваемого зар женным конденсатором 3. Разр д конденсатора 3 происходит по линейному закону за счет тока коллектора транзистора 10. Когда по мере разр да конденсатора напр жение на базе транзистора 9 перейдет через нулевой уровень, формирование выходного импульса заканчиваетс . Длительность выходного импульса пропорциональна начальному напр жению на конденсаторе 3, т. е. напр жению источника 16. Транзистор 8 во временно устойчивом состо нии открыт, а транзистор 7 закрыт. Напр жение на эмиттере транзистора 8 не. зависит от управл ющего напр жени , и режим транзистора 1 при перестройке длительности выходного импульса не измен етс . В результате этого при снижении управл йющего напр жени  врем  выхода транзистора 1 из насыщени  не возрастает, что позвол ет расширить диапазон изменени  выходного сигнала в сторону малых длительностей импульса. Формулаизобретени  Широтно-импульсный преобразова1-ель, выполненный на ждущем мультивибраторе, содержащем нормально запертый и нормально насыщенный транзисторы, одну резистивную и одну емкостную коллекторно-базовые св зи , отличающи и с  тем, что, с целью расширени  диапазона изменени  выходного сигнала в сторону малых длительностей импульса, в преобразователь введены два эмиттерных повторител , вход первого повторител  подключен к источнику управл ющего напр жени , вход второго повторител  подключен к коллектору нормально насыщенного транзистора, а выходы повторителей включены в коллекторную цепь нормально запертого транзистора. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1 Важенина, 3. П. Импульсные генераторы на транзисторах , М., Энерги , 1971, с. 38-42. 2, Тшценко А. М. и др. Расчет и проектирование имп ульсных устройств на транзисторах . М., Сов-радио, 1964, с. 139, рис. 2, 20.

   в

   -0

   /5

   р

   10