SU420100A1

SU420100A1 -

Info

Publication number: SU420100A1
Application number: SU1762292A
Authority: SU
Original assignee: Ю. Н. Ерофеев
Priority date: 1972-03-23
Filing date: 1972-03-23
Publication date: 1974-03-15

Description

1

Изобретение относитс к области импульсной техники. Мультивибратор может быть использован , например, в качестве генератора тактовых импульсов, синхронизирующего устройства , задающего генератора импульсов.

Известен мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости с коллекторно-базовыми С-св з ми. Такой мультивибратор имеет высокое значение скважности выходных импульсов, однако требует наличи двух разнопол рных источников питани и отличаетс значительным разбросом длительности импульсов и нестабильностью частоты их повторени .

Целью изобретени вл етс повышение стабильности частоты повторени и длительности имнульсов. Это достигаетс тем, что между точками соединени резисторов и конденсаторов коллекторно-базовых КС-св зей включен диод.

На чертеже изображена принципиальна схема предлагаемого мультивибратора.

Мультивибратор выполнен на транзисторах 1 и 2 разного типа проводимости с коллекторно-базовымИ С-св з ми, одна из которых образована резистором 3 и конденсатором 4, а друга - резистором 5 и конденсатором 6, и содержит коллекторные нагрузки 7 и 8 (резисторы ), резистор 9 и диод 10. Диод включен между точками соединени резисторов 3,

5 и конденсаторов 4, 6. Мультивибратор выполнен симметричным.

Иосле включени источника питани эмиттерные переходы транзисторов смещаютс в

пр мом направлении. Выбором величины сопротивлени резистора 9 добиваютс того, что оба транзистора начинают работать в активном режиме, что обеспечивает м гкий релшм возбуждени . При наличии достаточно большого (большего 1) коэффициента усилени в петле обратной св зи процесс включени транзисторов развиваетс лавинообразно и заканчиваетс насыщением транзисторов. После насыщени транзисторов тока базы /б

каждого транзистора складываетс из тока

/о, протекающего через резистор 9, и тока /с

зар да конденсатора коллекторно-базовой RCсв зи , т. е. /б /о+-/ с.

Цепь зар да конденсаторов представл ет

собой импульсный мостовой элемент, образованный резисторами и конденсаторами коллекторно-базовых ./ С-цепей с диодом в одной диагонали и источником питани в другой. Конденсаторы 4 и 6 зар жаютс независимо,

каждый с посто нной времени Qi C(), где С - емкость конденсатора, г сопротивление резистора коллекторно-базовой RCсв зи , Гб - входное сопротивление насыщенного транзистора. Обычно и .

Когда каждый из конденсаторов зар дитс