SU783954A1 - Генератор импульсов - Google Patents

Description

I

Изобретение относитс  к области импульсной техники и может быть использовано в системах автоматики и вычислительной техники.

Известно устройство, содержащее транзистор и туннельный диод, включенный между базой и эмиттером транзистора 1 .

Недостатком известного устройства  вл етс  нестабильность напр жени  питани , больша  длительность импульсов и св занна  с этим низка  частота генерации.

Известен генератор импульсов, содержащий транзистор, в базово-эмиттерный переход которого включен туннельный диод .

В этом генераторе импульсов также низкие частота и стабильность генерируемых импульсов.

Целью изобретени   вл етс  повышение частоты и стабильности генерируемых импульсов.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в генератор импульсов, содержащий транзистор, в базово-эмиттерный переход которого включен туннельный диод, между коллектором и базой транзистора дополнительно установлен в .обратном направлении стабилитрон.

I На чертеже показана принципиальна  схема описываемого генератора импульсов . Туннельный диод 1 включен в базо5 во-эмиттерный переход транзистора 2, а между его коллектором и базой дополнительно установлен в обратном направлении стабилитрон 3,

Резистор 4 включен в цепь питани 

0 транзистора 2.

Генератор импульсов работает следующим образом.

При включении схемы ток протекает через резистор 4, стабилитрон 3 и

15 туннельный диод 1 и нарастает от нул  до значени , превышающего ток максимума туннельного диода 1, который переключаетс  в состо ние высокого напр жени , транзистор 2 открываетс :

20 и шунтирует последовательно соединенные стабилитрон 3 и туннельный диод 1..

Как только напр жение на коллекторе транзистора 2 становитс  меньше

Claims (2)

1. 25 напр жени  стабилизации стабилитрона 3, ток, протекающий через туннельный диод, падает практически до нул  туннельный диод 1 начинает переключатьс  в состо ние низкого напр же30 .ни . Таким образом, в св зи с включе ,нием стабилитрона 3 процесс начала ™Т1ёрекл чени  туннельного диода 1 из ---&ск:; 6 ййй высокого в состо ние кого наггрйжёнй  йачинаетс  внач1але отрицательного фронта напр жени  на коллекторе транзистора 2, при этом умёйьшаётс  длительность генерируе ШоХ ймЬУльсов и, следовательно, првышаетс  частота генерации. Установленный в коллекторно-базо вой цепи стабилитрон 3 позвол ет та е повысить некритичность к изменен йапр жени  питани . Данна  схема может работать в ре жиме одновибратора и триггера. Эти режиАШ задаютс  резистором 4. Формула изобретени  Генератор импульсов, содержащий транзистор, в базово-эмиттерный переход которого включен туннельный диод, отличающийс  тем, что, с целью повышени  частоты и стабильности генерйруекйлх импульсов, между коллектором и базой транзистора дополнительно установлен в обратном направлении стабилитрон. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Извести  АН Латвийской ССР, 1962, 11, с. 21-28.
2. 2. Туннельные диоды и их применение в схемах переключени  и в устройствах СВЧ диапазона. Пер. с англ, под.ред. А.А. Визел  М. , Сов. радио, 1965 (прототип).

   -О