SU543207A1 - Graphite heating element for crystal growing plants - Google Patents

Graphite heating element for crystal growing plants

Info

Publication number
SU543207A1
SU543207A1 SU2111469A SU2111469A SU543207A1 SU 543207 A1 SU543207 A1 SU 543207A1 SU 2111469 A SU2111469 A SU 2111469A SU 2111469 A SU2111469 A SU 2111469A SU 543207 A1 SU543207 A1 SU 543207A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
heating element
crystal growing
growing plants
graphite heating
crystal
Prior art date
Application number
SU2111469A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Дмитриевич Мартынко
Юрий Григорьевич Пухов
Original Assignee
Завод Чистых Металлов Им. 50-Летия Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Завод Чистых Металлов Им. 50-Летия Ссср filed Critical Завод Чистых Металлов Им. 50-Летия Ссср
Priority to SU2111469A priority Critical patent/SU543207A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU543207A1 publication Critical patent/SU543207A1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

который выполн ет роль подпорното. Другое кольцо 4, донное, примыкает к внутреннему цилиндру и имеет центральное сквозное отверстие дл  прохода контейнера или штока контейнера. Если высота цилиндров будет более , чем 0,35, а толщина донного и соединительных колец более 1,1 диаметра внутреннего цилиндра, то тер ютс  «подпорные тепловые свойства нагревател . То же самое происходит , если отношение диаметров внешнего и внутреннего цилиндров будет более 1,5. Если высоту цилиндров выбрать менее 0,25 диаметра внутреннего цилиндра, то зона нагрева становитс  настолько узкой, что при выборке расплава из тигл  режим выт гивани  становитс  неустойчивым, рост монокристалла прекращаетс . При толщине верхнего и нижнего колец менее 1,1 уменьшаетс  осевой градиент температуры, рост кристалла становитс  неустойчивым , уменьшаетс  выход монокристаллической части. Наименьщее значение отношени  диаметров наружного и внутреннего диаметров, равное 1,05, обусловлено технически достижимой минимальной величиной зазора между цилиндрами. Если толщина стенки наружного цилиндра менее 1,2 стенки внутреннего , это приводит к снижению потребл емой мощности, у стенок тигл  возможно образование центров кристаллизации, рост становитс  неустойчивым.which performs the role of the counterpart. The other ring 4, the bottom one, is adjacent to the inner cylinder and has a central through-hole for the passage of the container or the stem of the container. If the height of the cylinders is more than 0.35, and the thickness of the bottom and connecting rings are more than 1.1 times the diameter of the inner cylinder, then the retaining thermal properties of the heater are lost. The same thing happens if the ratio of the diameters of the outer and inner cylinders is more than 1.5. If the height of the cylinders is chosen to be less than 0.25 of the diameter of the inner cylinder, then the heating zone becomes so narrow that when sampling the melt from the crucibles, the stretching mode becomes unstable, the growth of the single crystal stops. When the thickness of the upper and lower rings is less than 1.1, the axial temperature gradient decreases, crystal growth becomes unstable, and the yield of the single crystal portion decreases. The smallest ratio of the diameters of the outer and inner diameters, equal to 1.05, is due to the technically achievable minimum gap between the cylinders. If the wall thickness of the outer cylinder is less than 1.2 of the inner wall, this leads to a decrease in power consumption, the formation of crystallization centers is possible at the walls of the crucibles, growth becomes unstable.

Применение предлагаемого графитового нагревательного элемента позвол ет установить в системе расплав-кристалл оптимальные с точки зрени  получени  монокристалла температурные градиенты при выращивании кристаллов в защитной атмосфере при давлении, больше атмосферного. При этом на 10-15% уменьшаетс  потребл ема  мощность. Это позвол ет уменьшить габариты камеры установки или увеличить диаметр кристалла при неизменных габаритах камеры и потребл емой мощности. В случае применени  фосфида галли  на 20-25% возрастет выход монокристаллов , что дает возможность на 300- 400 руб. уменьшить себестоимость 1 кг фосфида галли .The use of the proposed graphite heating element allows the melt-crystal system to establish optimum temperature gradients from the point of view of obtaining a single crystal when growing crystals in a protective atmosphere at a pressure greater than atmospheric. At the same time, power consumption is reduced by 10-15%. This makes it possible to reduce the dimensions of the installation chamber or to increase the diameter of the crystal with the same dimensions of the chamber and the power consumption. In the case of the use of gallium phosphide by 20-25%, the yield of single crystals will increase, which makes it possible for 300-400 rubles. reduce the cost of 1 kg of gallium phosphide.

Claims (3)

1. Сборник трудов МИИТа № 254 «Исследование тепло-массообмена в процессах получени  монокристаллических полупроводниковых материалов и теплообмена в каналах, 1967, стр. 78.1. Collection of works by MIIT No. 254 "Study of heat and mass transfer in the processes of obtaining single-crystal semiconductor materials and heat exchange in channels, 1967, p. 78. 2. Вильке «Методы выращивани  кристаллов , 1968 г., стр. 201.2. Wilke, Crystal Growing Techniques, 1968, p. 201. 3. Труды Гиредмета, т. ХХП1, 1971, стр. 121.3. Proceedings of Giredmet, Vol. HHP1, 1971, p. 121. У iU i Т ТТТ ЛT TTT L xXXA- -x JxXXA- -x J
SU2111469A 1975-03-10 1975-03-10 Graphite heating element for crystal growing plants SU543207A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2111469A SU543207A1 (en) 1975-03-10 1975-03-10 Graphite heating element for crystal growing plants

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2111469A SU543207A1 (en) 1975-03-10 1975-03-10 Graphite heating element for crystal growing plants

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU543207A1 true SU543207A1 (en) 1977-01-15

Family

ID=20612111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2111469A SU543207A1 (en) 1975-03-10 1975-03-10 Graphite heating element for crystal growing plants

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU543207A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4748315A (en) * 1986-01-21 1988-05-31 Hitachi, Ltd. Molecular beam source

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4748315A (en) * 1986-01-21 1988-05-31 Hitachi, Ltd. Molecular beam source

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2457913A1 (en) METHOD FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALS, PARTICULARLY FERRITE, AND MAGNETIC HEADS COMPRISING FERRITE MONOCRYSTALS THUS MANUFACTURED
GB1213867A (en) Method of manufacturing silicon carbide single crystal filaments
SU543207A1 (en) Graphite heating element for crystal growing plants
KR980700460A (en) PROCESS AND DEVICE FOR SUBLIMATION GROWING SILICON CARBIDE MONOCRYSTALS
FR2425128A1 (en) PROCESS FOR PREPARING CERAMIC NUCLEAR FUEL PELLETS
US3796548A (en) Boat structure in an apparatus for making semiconductor compound single crystals
US5135726A (en) Vertical gradient freezing apparatus for compound semiconductor single crystal growth
JPH01108200A (en) Production of sic ingot
US4824519A (en) Method and apparatus for single crystal pulling downwardly from the lower surface of a floating melt
JPH0314800B2 (en)
CN102912416A (en) Novel polycrystalline furnace heating device
CN211689294U (en) Heat preservation device for bottom of czochralski crystal growing furnace and czochralski crystal growing furnace
SU508266A1 (en) Device for growing mono-crystals from melts
JPS6350393A (en) Growth method for sic single crystal
JPH0651275U (en) Silicon carbide single crystal growth equipment
CN106149045B (en) A kind of spherical high-pressure reaction kettle for hydrothermal method crystal growth
CN105063745A (en) Dislocation density control technology for GaSb single crystal growth
JPH04187585A (en) Device of growing crystal
RU575807C (en) Device for growing crystals of oriented crystallization of fusion
SU552993A1 (en) The method of obtaining single crystals of a double compound from alkali metal hydroxodes
JPH0940492A (en) Production of single crystal and apparatus for production therefor
JPS6041040B2 (en) How to grow gallium phosphide semiconductor crystals
SU327776A1 (en) Method for growing metastable diamond crystals
SU148017A1 (en) Furnace to apparatus for growing single crystals of refractory substances
JPH0699214B2 (en) Method for producing gallium arsenide single crystal and quartz reaction tube