SU536442A1 - Probe for the study of the structure of the microwave field - Google Patents

Probe for the study of the structure of the microwave field

Info

Publication number
SU536442A1
SU536442A1 SU2092772A SU2092772A SU536442A1 SU 536442 A1 SU536442 A1 SU 536442A1 SU 2092772 A SU2092772 A SU 2092772A SU 2092772 A SU2092772 A SU 2092772A SU 536442 A1 SU536442 A1 SU 536442A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
probe
transmission line
microwave field
microwave
jumper
Prior art date
Application number
SU2092772A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Винцентас Ионо Денис
Яунюс Александрович Каружа
Юозас Петрович Скучас
Миколас Миколович Ярмалис
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Полупроводников Ан Литовской Сср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Полупроводников Ан Литовской Сср filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Полупроводников Ан Литовской Сср
Priority to SU2092772A priority Critical patent/SU536442A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU536442A1 publication Critical patent/SU536442A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Claims (2)

его сопротивлени , регистрируют индикатором . Направление электрической составл ющей сверхвысокочастотного пол  определ етс  по положению зонда в линии передачи при максимальном выходном сигнале, который наблюдаетс  в случае, если направление продольной оси перемычки совладает с направлением электрической составл ющей сверхвысокочастотного пол . Возмущение, вносимое зондом в сверхвысокочастотное ноле, зависит от выбора удельного сопротивлени  нолупроводниковой пластины и от ее геометрических размеров. С увеличением удельного сопротивлени  полупроводниковой пластины и с уменьшением ее геометрических размеров степень возмущени  сверхвысокочастотного пол  уменьщаетс . Возмущение слабо зависит от глубины погружени  зонда в линию передачи, поэтому предлагаемый зонд позвол ет производить измерени  в любой точке поперечного сечени  линии передачи. Геометрические размеры перемычки должны быть значительно меньще, чем длина рабочей волны в исследуемой линии передачи. Повышение сопротивлени  в перемычке достигаетс  либо путем понижени  концентрации носителей тока, либо уменьщением поперечного сечени  перемычки. Длина параллельных ветвей 2, используемых в качестве выводов, подбираетс  в зависимости от геометрических размеров линии передачи. Предложенный зонд взаимодействует только с электрическим полем, что обеспечивает непосредственное определение его направлени . Выполнение петли 1 из полупроводниковой пластины лищь незначительно искажает структуру сверхвысокочастотного пол , что новышает точность измерени . Таким образом, предложенный зонд обеспечивает непосредственное определение направлени  электрической составл ющей сверхвысокочастотного нол . Формула изобретени  Зонд дл  исследовани  структуры сверхвысокочастотного пол , выполненный в виде симметричной петли, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  непосредственного определени  направлени  электрической составл ющей сверхвысокочастотного нол , петл  выполнена из полупроводниковой пластины Побразной формы, образованной двум  параллельнымИ ветв ми, одни концы которых соединены перемычкой, выполненной из материала с повыщенным сопротивлением без изменени  подвижности носителей тока и длиной на один - два пор дка больще ее толщины, а на других концах параллельных ветвей расположены электрические контакты. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Гинзтон Э. Л. Измерени  на сантиметровых волнах, М., «Иностранна  литература, I960 г., стр. 310-311 (аналог). its resistances are recorded with an indicator. The direction of the electric component of the microwave field is determined by the position of the probe in the transmission line with the maximum output signal, which is observed if the direction of the longitudinal axis of the jumper coincides with the direction of the electric component of the microwave field. The perturbation introduced by the probe in the microwave field depends on the choice of resistivity of the semiconductor plate and on its geometrical dimensions. With an increase in the resistivity of a semiconductor wafer and with a decrease in its geometric dimensions, the degree of perturbation of the microwave field decreases. The disturbance is weakly dependent on the depth of the probe in the transmission line, therefore, the proposed probe allows measurements at any point of the cross section of the transmission line. The geometric dimensions of the jumper should be significantly smaller than the length of the working wave in the transmission line under study. An increase in resistance in the bridge is achieved either by lowering the carrier concentration or by reducing the cross section of the bridge. The length of the parallel branches 2 used as leads is chosen depending on the geometric dimensions of the transmission line. The proposed probe interacts only with the electric field, which provides a direct determination of its direction. Making a loop 1 from a semiconductor plate only slightly distorts the structure of the microwave field, which improves the measurement accuracy. Thus, the proposed probe provides direct determination of the direction of the electrical component of the microwave. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A probe for examining a microwave structure made in the form of a symmetrical loop, characterized in that, in order to directly determine the direction of the electrical component of the microwave, the loop is made of a semiconductor plate of a P shaped shape formed by two parallel branches with one end of which is connected a jumper made of a material with increased resistance without changing the carrier mobility and one to two orders of length olsche its thickness, and on the other ends of the parallel branches are arranged electrical contacts. Sources of information taken into account in the examination: 1.Ginzton, E.L. Measurement on centimeter waves, M., “Foreign Literature, 1960, pp. 310-311 (analog). 2.Тищер Ф. Техника измерений на сверхвысоких частотах. Справочное руководство, М., Государственное издательство физико-математической литературы, 1963 г., стр. 336 (прототип ).2. Tischer F. Technique of measurements at ultra-high frequencies. Reference guide, M., State publishing house of physical and mathematical literature, 1963, p. 336 (prototype).
SU2092772A 1975-01-03 1975-01-03 Probe for the study of the structure of the microwave field SU536442A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2092772A SU536442A1 (en) 1975-01-03 1975-01-03 Probe for the study of the structure of the microwave field

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2092772A SU536442A1 (en) 1975-01-03 1975-01-03 Probe for the study of the structure of the microwave field

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU536442A1 true SU536442A1 (en) 1976-11-25

Family

ID=20606272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2092772A SU536442A1 (en) 1975-01-03 1975-01-03 Probe for the study of the structure of the microwave field

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU536442A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES8400602A1 (en) Apparatus for determining the hematocrit ratio.
FR2328201A1 (en) PROBE FOR MEASURING CONDUCTIVITY AND / OR CONCENTRATION OF SOLUTIONS
SU536442A1 (en) Probe for the study of the structure of the microwave field
ES414246A1 (en) Linear dimension measuring apparatus
JPS5378859A (en) Automatic measuring and testing system
FR2273257A1 (en) Sensor for surfaces of objects - has surface electrode and measurement electrodes connected to integral elastic film
SU977937A1 (en) Dynamic deformation measuring method
SU491840A1 (en) The method of measuring the temperature of the surface layer of electrically conductive bodies
JPS5295274A (en) Coaxial probe for high frequency measurement
SU380999A1 (en) DEVICE FOR MEASURING THE MICROSHURNESS OF MACHINE-SURFACE SURFACE OF ROAD-BUILDING MATERIALS AND PRODUCTS
SU661317A1 (en) Probe for investigating semiconductors
SU589571A1 (en) Wave-type measuring transducer
SU555326A1 (en) Capacitive transducer
SU1509713A1 (en) Capacitance-type primary transducer
SU408388A1 (en) DEVICE FOR MEASUREMENT OF TRANSITION CONTACT RESISTANCE
SU691681A1 (en) Electromagnetic transducer for measuring the length of cracks in fatigue tests of parts
SU372518A1 (en) Sun. Union
SU535456A1 (en) Device for measuring the longitudinal slope of the free surface of a watercourse
SU894331A1 (en) Device for measuring specimen lateral deformation
SU1259098A1 (en) Device for measuring lateral strain of specimens
RU2115897C1 (en) Integral converter of deformation and temperature
ATE70124T1 (en) DATA TRANSMISSION SYSTEM.
SU901839A1 (en) Pickup for measuring average for capacitive temperature of material surface-heated by axisymmetrical thermal wave
SU697883A1 (en) Method of measuring diffusion coefficient in monocrystalline samples of pure metals
SU505957A1 (en) Moisture measuring device