SU535628A1

SU535628A1 - Способ удалени забракованных кристаллов

Info

Publication number: SU535628A1
Application number: SU1983749A
Authority: SU
Inventors: Владимир Бениаминович Саркисян; Борис Максимович Чубич
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5263
Priority date: 1974-01-07
Filing date: 1974-01-07
Publication date: 1976-11-15

Description

1

Изобретение относитс к технологии изготовлени полупроводниковых приборов и интегральных схем и может быть использовано, например, при разбраковке полупроводниковых кристаллов при контроле их по внешнему виду и Подготовке к сборке.

После разделени полупроводниковой пластины на отдельные кристаллы последние подвергают контролю по внешнему виду и разбракованию.

Известен способ группового удалени забракованных кристаллов, когда бракованные кристаллы маркируют клеем, накладывают на кристаллы металлическую фольгу, прижимают ее к кристаллам, разогревают все сборку до температуры отверждени кле , охлаждают ее и удал ют фольгу с приклеенными к ней забракованными кристаллами.

Недостатком этого способа вл етс его относительна сложность и возможность попадани клеевого состава на годные кристаллы вследствие их небольших размеров, что приводит к потере годных кристаллов, а также нарушению их первоначальной ориентации.

Известен способ удалени забракованных кристаллов, когда после разламывани скрайбированной пластины, помеш;енной в вакуумный пакет из термопластичной, например полиэтиленовой , пленки, и удалени верхней пленки, кристаллы подвергают внешнему конQ

тролю, например под микроскопом, и забракованные кристаллы удал ют при помоши вакуумного пинцета.

Недостатком такого способа вл етс больша трудоемкость процесса, особенно при разбраковке кристаллов со стороной квадрата размером менее 0,5 мм, вследствие их ненадежного захвата вакуумным пинцетом. Целью изобретени вл етс упрошение

технологического процесса удалени забракованных кристаллов.

Это достигаетс тем, что по предлагаемому способу при удалении забракованных кристаллов после разлома полупроводниковой

пластины в вакуумном пакете из термопластичного прозрачного материала участки одной из пленок пакета, расположенные напротив забракованных кристаллов, локально нагревают до разм гчени пленки, прикладывают к этим участкам давление в направлении кристаллов, после чего пленку с прилипшими к ней забракованными кристаллами удал ют . Пленку можно нагревать одновременно с приложением давлени . Полупроводниковую пластину с готовыми микроструктурами после операции скрайбировани размешают в полиэтиленовом пакете, откачивают из него воздух и герметизируют. Затем известными способами, например валиком, разламывают пластину на отдельные кристаллы, раст гивают пакет в направлении от центра к периферии до образовани зазора между кристаллами от 0,1 до 0,2 мм и производ т контроль кристаллов по внешнему виду и их разбраковку .

Дл этого пакет с кристаллами помещают под объектив микроскопа и просматривают при увеличении lOO -150. При обнаружении кристалла, имеющего дефекты по внешнему виду, участок одной из пленок пакета, расположенный напротив забракованного кристалла , локально нагревают до разм гчени плевки и прикладывают к указанному участку давление в направлении к кристаллу.

После отбраковки всех кристаллов в пакете указанным способом пакет разгерметизируют и удал ют пленку с прилипшими к ней кристаллами.

Дефекты полиэтиленовой пленки в лоле зрени микроскопа не просматриваютс и не оказывают вли ни на качество контрол кристаллов. Локальный нагрев уча-стков пленки целесообразно производить при помощи зондов, снабженных средствами дл нагрева. Нагреву можио подвергать как верхнюю, так и нижнюю пленки пакета, в зависимости от примен емого дл разбраковки оборудовани . Кроме того, нагрев пленки можно производить одновременно с приложением давлени . Предлагаемый способ обеспечивает значи.тельное упрощение технологического процесса удалени забракованных кристаллов, что позвол ет повысить его производительность и снизить трудовые затраты. Кроме того, при удалении забракованных кристаллов данным снособом практически исключаетс возможность повреждени годных кристаллов.

Claims

1.Способ удалени забракованных кристаллов после разламывани скрайбированной полупроводниковой пластины, расположенной в вакуумном пакете из термопластичной прозрачной пленки, отличающийс тем, что, с целью упрощени технологического процесса, участки одной из нленок пакета, расноложенные напротив забракованных кристаллов , локально нагревают до разм гчени пленки, прикладывают к указанным участкам давление в паправлении кристаллов, после чего пленку с прилипшими к ней забракованными кристаллами удал ют.

2.Способ по п. 1, отличающийс тем, что пленку нагревают одновременно с нриложением давлени .