SU530285A1 - Способ измерени отношени скоростей поверхностей рекомбинации - Google Patents

Claims (1)

1. 353 при одном значении эпектрира  измер етс  ческого пол . Измерение отношени  скоростей поверхностной рекомбинации происходит следующим образом: по измер емому образцу текут поСТО5ШНЫЙ и переменный токи, которые отфильтровывают и компенсируют в отсутствие магнитного пол . При помещении измер емого образца в посто нное магнитное поле сопротивление образца уменьшаетс , и на выхо де по вл етс  переменна  составл юща  падени  напр жени , котора  при воздействии на образец критической величины магнитного пол  становитс  равной нулю. По величине напр женности критического магнитного пол , при которой переменна  со ставл юща  падени  напр жени  становитс  равной нулю, определ ют отношение скоростей поверхностной рекомбинации из выражени  2dKCUo + U)H, где d - толщина образца; 5 Uo,U,посто нное и переменное напр жение на образце; критическое магнитное поле; К - коэффициент, завис щий от пара метров полупроводника. Формула изобретени  Способ измерени  отношени  скоростей поверхностной рекомбинации в полупроводнике путем пропускани  через него посто нного тока в посто нном магнитном поле, о тличающийс  тем, что, с целью повышени  точности измерени , через полупроводник пропускают переменный ток, регистрируют величину падени  напр жени  на образце от переменного тока, затем воздействуют на образец посто нным магнитным полем , напр женность которого увеличивают до величины, при которой падение напр жени  на образце от переменного тока равно падению напр жени  до воздействи  магнитным полем, и по величине напр женности пол  расчетным путем определ ют отношение скоростей поверхностной рекомбинации.