Claims (3)
действует с цезием и при рабочих температурах практически не расходуетс . Кремний может находитс внутри прибора в виде одной или нескольких твердых частиц или же в виде порошка. Учитьша реальные конструкщ1и и ожидаемые размеры приборов ; можно считать, что 0,1-0,5 г кремни достаточно. Максимальное количес ; о кремни , вводимого в состав газового наполнени прибора, не ограничено. На фиг. 1 показаны вольтамперные характеристики диода с цезиевым наполненнем, содержащим частицы кремни . Харктеристики получены экотериментально на приборе с трубчатыми электродами , имеющими внутренний диаметр 11 мм. Рассто ние между электродами 4 мм, давление паров цези 9 мм рт.ст, температура прибора:550° С - крива 1,600° С - крива 2 к 650° С - крива 3, На фиг. 2 приведена вольтамперна характеристика цезиевого диода без кремни (крива 4) и с кремнием (крива 5). Обе характеристики полученъ экспериментально дл одной и той же геометрии при температуре 600° С и давлении паров цези 9 мм рт.ст. Дл приведени прибора в рабочее состо ние необходимо обеспечить нагрев . кремни до 500--1200°С и давление паров цези 0,1-10 мм рт.ст.: Нагрев кремни можно осуществить за счет нагрева всего прибора или только резервуара с крем1шем. Рабочие температуры электродов SCO-1200° С. Благодар наличию ч сгиц кремни в приборе существенно уменьшаютс электрические потери в рабочем состо нии и вешршна отрицательного сопротивлени , область существовани отрицателього сопротивлени увеличиваетс в сторону больших токов. В результате существенно увеличиваетс к.п.д. газоразр дного цезиевого диода с отрицательным сопротивлением, а работа в сильноточных схемах генерироваш преобразовани и усили колебаний и одиношых импульсов становитс более устойчивой . Формула изобретени Состав дл наполнени подог1 еваемых газоразр дных приборов с отрицательным сопротивлением , включающий цезий, отличающийс тем, что, с целью снижени сопротивлени и обеаючени устойчивости работы прибора, в состав введены частицы Лремни . Источники информац 1И, прин тые во виимание цри экшертизе: 1.Гор нков CJV, и Абезгауз НЛ, Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлевдем . Энерги , 1970 г., acts with cesium and is practically not consumed at operating temperatures. The silicon may be inside the device in the form of one or more solid particles or in the form of a powder. Learn the real design and expected dimensions of the devices; we can assume that 0.1-0.5 g of silicon is sufficient. Maximum number; The silicon introduced into the gas filling device is not limited. FIG. 1 shows the current-voltage characteristics of a cesium-filled diode containing silicon particles. The characteristics were obtained eco-experimentally on a device with tubular electrodes having an internal diameter of 11 mm. The distance between the electrodes is 4 mm, the vapor pressure of cesium is 9 mm Hg, the temperature of the device: 550 ° C - curve 1,600 ° C - curve 2 to 650 ° C - curve 3, FIG. 2 shows the current-voltage characteristic of a cesium diode without silicon (curve 4) and with silicon (curve 5). Both characteristics were obtained experimentally for the same geometry at a temperature of 600 ° C and a cesium vapor pressure of 9 mm Hg. To bring the device to a working condition, it is necessary to provide heating. silicon up to 500--1200 ° С and a cesium vapor pressure of 0.1-10 mm Hg: Silicon can be heated by heating the entire device or only a container with silicon. The operating temperatures of the SCO-1200 ° C electrodes. Due to the presence of silicon silicon in the device, the electrical losses in the working state and the negative resistance are significantly reduced, the range of the negative resistance increases in the direction of high currents. As a result, the efficiency increases significantly. a gas-discharge cesium diode with negative resistance, and the work in high-current circuits that generate conversion and amplification of oscillations and single pulses becomes more stable. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Composition for filling suitable gas discharge devices with negative resistance, including cesium, characterized in that, in order to reduce the resistance and ensure the stability of the device operation, Lremni particles are introduced into the composition. Sources of information 1I, accepted in view of the critique: 1.Gorkkov CJV, and Abezgauz NL, Semiconductor devices with negative resistance. Energie, 1970,
2.Патент Великобритании № 1131632. кл. НЮ 1968 г. 2. The UK patent number 1131632. cl. NU 1968
3.Шформационньш бюллетень Пр мое преобразование тепловой энергии в электрическую и топливные элементы, вьш. 11(112), 1971г., стр. 129.3. Information bulletin Direct conversion of thermal energy into electrical and fuel cells, out. 11 (112), 1971, p. 129.
Ток,наCurrent on