Claims (2)
Изобретение относитс к изготовлению транзисторных структур дл сверхбыстродействующих и мйломощных интегральных схем, имеющих микронные размеры базы и субмикронные размеры эмиттера, ко тактных окон эмиттера и базы, Известен способ изготовлени тран зисторных структур, включающий нанесе ние многослойного покрыти , формирование базовой области из легирующего примесного стекла, нанесение на поверхность термического окисла, создание окна дл формировали эмиттера, диффузшо из примесного стекла д/ш получени эмиттер«ой области и нанесение контактных площадок Однако в этом способе наблюдаетс боаьша погрешность совмещени , обусловленна точностью совмещени фотошаб лона с пластиной, Известен также способ селективного формировани источника базы при изготов лении транзисторных структур, включак щий нанесение низкотемпературным способом неоднородного покрыти , содержащего легирующий, экранирующий и маскирующий слои, н его фотолитографию. Но при таком методе ширина окна эмиттера зависит от точности совмещени фотошаблона с пластиной, котора составл ет не менее + 0,5 мкм (ошибка установок совмещени ), а такой разброс по ширине окна недопустим при получении окон субмикронных размеров, кроме того применение окиси алюмини как легирующего вещества неудобно, так как диффузи из него проводитс в атмосфере водфода , а экранирует он гораздо хуже некоторых материалов (примерно в двадцать раз хуже, чем слой алюмосиликатнаго стекла). Цель изобретени - получение самосовмещаюшихс окон эмиттера с базовой областью контактных окон базы и эмиттера . Это достигаетс тем, что источник которого легирующий и экранирующий слои имеют одинаковые размеры, а ширина маскирующего сло на двойную ширину эмиттера меньше их, формируют с помощью травитеп , раствор ющего маскирующий и легирующий слой со скоростью бопыирй, чем экранирующий слой. Травление производ т травителем К, включающим О-травитель, в состав которого входит , об. ч: Концентрированна фтористов{ дородна кислота1 Лед на уксусна кислота3 Однопроцентный раствор щавелевой кислоты25 и 21 -травитель, в состав которого входит , об. ч.: Концентрированна ортофосфор- на кислота85 Концентрированна фтористоводородна кислета20 . На фиг. 1 показана пластина, покрыта неоднородным покрытием с защитным рельефом из фоторезиста; .; на фиг. 2 источник базы, сформированный предоа гаемым способом, продопЬный разрез. При формировании источника базы на попупроводниковой пластине 1 (фиг. 1) формируетс неоднородное покрытие, состо щее из легирующего сло 2, например, бфосиликатного стекла, нанесенного из раствора, экранирующего сло 3, например , алюмосиликатного стекла, осажденного центрифугированием из раствора, маскирующего сло 4, например, двуокиси кремни , осажденного из раствора. Указанные слои могут быть осаждены и другими низкотемпературными способами. Из фоторезиста 5 (фиг. 1) формируют защитный рельеф требуемого рисунка, готов т К-травитель смешиванием О-трав тел , состо щего из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты 3 об. ч лед ной уксусной кислоты, 25 об. ч однопроцентного водного раствора щавелевой кислоты и 2 Р-трааител , состо ще го из 85 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты и 20 об. ч. концентри рованной фтористоводородной кислоты.. К-травитель быстро раствор ет легирую ищи слой 2 (боросиликатное стекло) и маскирующий слой 4 tдвуокись кремни ) и медленнее - экранирующий слой 3 (алю м.осиликатное стекло). Скорости травлени подбираютс так, чтобы за врем формир вани источника базы ширина маскирующе го сло 4 достигла бы требуемых размер После травлени одним из известных спо бов снимают фоторезист 5 иполучают стр туру, показанную на фиг. 2. Соотнощение скоростей травлени слоев 3 и 4, соответственно экранируюего и маскирующего7определ ют щирину а экранирующего сло 3, незащищеного маскирующим (будущее -. окно эмит ера и контакта базы),Сооткощение скоостей травлени регулируетс соотнощеием количества травителей О и 2 F. Изенение соотнощени скоростей травле ни разрещает получать разные значени Предлагаемый способ разрещает получать самосовмещающиеса структуры мик ронных и субмикронных размеров. Шир№на селективно открывающихс окон не зависит ни от ширины окна в фотошаблоне, ни от точности совмещени . Кроме того, получение структур субмикронных размеров не требует нового оборудовани , а осуществл етс стандартным оборудованием контактной фотолитографии. Формула изобретени 1 Способ селективного формировани источника базы при изготовлении транзисторных структур, включающий нанесение низкотемпературным способом неоднородного покрыти , содержащего легирующий , экранирующий и маскирующий слой, его фотолитографию, отличающийс тем, что, с целью получени самосовменшющихс окон эмиттера с базовой областью контактных окон базы и эмиттера, источник базы, у которого легирующий и экр&нирующий слой имели бы одинаковые размеры , а ширина маскирующего сло бьша бы меньше их на двойную ширину эмиттера , формируют с помощью травктел , рас- вор ющего маскируюиадй и легирующий слой со скоростью большей, чем экранирующий. The invention relates to the manufacture of transistor structures for ultrafast and low-power integrated circuits having micron dimensions of the base and submicron dimensions of the emitter, contact emitter windows and a base. There is a known method of manufacturing transistor structures involving the application of a multilayer coating, the formation of a base region from doped impurity glass, deposition of thermal oxide on the surface, creating a window for the emitter, diffused from impurity glass d / w to obtain the emitter Bonding of pads However, in this method a large combination error is observed due to the accuracy of combining the photomask with the plate. There is also known a method of selectively forming a base source in the fabrication of transistor structures, including the application of a non-uniform coating containing alloying, shielding and masking layers, with a low-temperature method. his photolithography. But with this method, the width of the emitter window depends on the accuracy of combining the photomask with the plate, which is at least + 0.5 µm (overlap setting error), and such a spread across the width of the window is unacceptable when producing submicron-sized windows, besides using aluminum oxide as The dopant is inconvenient, since diffusion from it is carried out in water-hydrogen atmosphere, and it screens much worse than some materials (about twenty times worse than a layer of aluminosilicate glass). The purpose of the invention is to obtain self-compatible emitter windows with the base area of the base and emitter contact windows. This is achieved by the fact that the source of which the alloying and shielding layers have the same dimensions, and the width of the masking layer to the double width of the emitter is less than them, is formed using a trapeze dissolving the masking and alloying layer at a rate of baird than the shielding layer. Etching was performed by etchant K, including O-etchant, which includes, vol. h: Concentrated fluorides {dorbate acid1 Ice on acetic acid3 One-percent solution of oxalic acid25 and 21 - etcher, which contains, vol. including: Concentrated orthophosphoric acid85 Concentrated hydrofluoric acid20. FIG. 1 shows a plate coated with a non-uniform coating with a protective relief of photoresist; ; in fig. 2, the base source, formed by the proposed method, is a food cut. When forming the base source on the semiconductor plate 1 (Fig. 1), an inhomogeneous coating is formed, consisting of an alloying layer 2, for example, bfosilicate glass, applied from a solution, a shielding layer 3, for example, aluminosilicate glass, precipitated by centrifuging from a solution, the masking layer 4 for example, silica precipitated from solution. These layers can be precipitated and other low-temperature methods. From photoresist 5 (Fig. 1) a protective relief of the desired pattern is formed, a K-etchant is prepared by mixing O-herbs of bodies consisting of 1 vol. including concentrated hydrofluoric acid 3 vol. glacial acetic acid, 25 vol. One-percent aqueous solution of oxalic acid and 2 P-traaitel, consisting of 85 vol. including concentrated orthophosphoric acid and 20 vol. h. concentrated hydrofluoric acid. K-etchant quickly dissolves the doped layer 2 (borosilicate glass) and the masking layer 4 t silica) and more slowly the shielding layer 3 (aluminum-silicate glass). The etching rates are chosen so that during the formation of the base source the width of the masking layer 4 would reach the required size. After etching, photoresist 5 is removed by one of the known methods and the page shown in FIG. 2. Ratio of etching rates of layers 3 and 4, respectively, of shielding and masking 7, determine the width of shielding layer 3, which is unprotected by masking (the future is the emitter window and base contact). The ratio of etching rates is controlled by the ratio of the number of etchants O and 2 F. etching does not allow obtaining different values. The proposed method allows obtaining self-compatible structures of micron and submicron sizes. The width of the selectively opening windows depends neither on the width of the window in the photomask, nor on the accuracy of the combination. In addition, obtaining structures of submicron size does not require new equipment, but is carried out with standard equipment for contact photolithography. Claim 1 A method of selectively forming a base source in the manufacture of transistor structures, comprising applying a non-uniform coating with a low-temperature method containing a doping, shielding and masking layer, its photolithography, characterized in that in order to obtain self-varying emitter windows with a base area of contact base windows and emitter , the source of the base for which the alloying and the screen are the same dimensions and the width of the masking layer would be less than them by the double width at the emitter, they are formed with the help of a travtel which dissolves the masking and alloying layer with a speed greater than the shielding.
2. Способ по п. 1, о т ли ч а ющ и и с тем, что травление гфоизвод т травителем К, включающим О-травитель в состав которого входит, об. ч.: Концентрированна фтористоводородна кислота1 Лед на уксусна кислота3 Однопроцентный раствор щавелевой кислоты 25 и 2F- травитель, в сост«..в которого входит , об. ч.: Концентрированна ортофоофорна кислота85 Концентрированна фторист{ водородна кислота2О2. A method according to claim 1, wherein and etch so that etching is produced by etchant K, including O-etchant which contains, on. including: Concentrated hydrofluoric acid1 Ice on acetic acid3 A one-percent solution of oxalic acid 25 and 2F- etchant, which includes ".. which includes, vol. h .: Concentrated orthophosphoric acid85 Concentrated fluoride {hydrogen acid 2O