SU521242A1 - Semiconductor ceramic material - Google Patents
Semiconductor ceramic materialInfo
- Publication number
- SU521242A1 SU521242A1 SU2077923A SU2077923A SU521242A1 SU 521242 A1 SU521242 A1 SU 521242A1 SU 2077923 A SU2077923 A SU 2077923A SU 2077923 A SU2077923 A SU 2077923A SU 521242 A1 SU521242 A1 SU 521242A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- semiconductor ceramic
- ceramic material
- resistance
- temperature
- temperature coefficient
- Prior art date
Links
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к области изготовлени полупроводниковых керамических материалов дл высокотемпературных резисторов объемного типа, в частности дл резисторов дуговых ртутных ламп.The invention relates to the field of the manufacture of semiconductor ceramic materials for high-temperature resistors of the bulk type, in particular for the resistors of arc mercury lamps.
Известны резистивные материалы с малым температурным коэффициентом сопротивлени на основе окиси магни и двуокиси титана 1. Производство этих материалов вызывает затруднение из-за необходимости создани сиециальной газовой среды высокой чистоты и разброса параметров полученных материалов, вызываемого даже небольшими отклонени ми от технологических режимов.Resistive materials with a low temperature coefficient of resistivity based on magnesium oxide and titanium dioxide are known. The production of these materials makes it difficult because of the need to create a high-purity special social gas environment and a variation in the parameters of the materials produced, caused even by small deviations from process conditions.
Известен полупроводниковый материал, включающий в качестве диэлектрического неорганического наполнител ультрафарфор и, кроме того, сажу и окись марганца 2. Однако такой материал имеет сравнительно высокий температурный коэффициент сопротивлеПИЯ и примен етс при недостаточно высоких рабочих температурах.A semiconductor material is known that includes ultrafine porous as a dielectric inorganic filler and, furthermore, carbon black and manganese oxide 2. However, such a material has a relatively high temperature coefficient of resistance and is used at insufficiently high operating temperatures.
Целью насто щего изобретени вл етс повышение рабочей температуры, снижение температурного коэффициента сопротивлени при сохранении выс®кой воспроизводимости параметров.The aim of the present invention is to increase the operating temperature, decrease the temperature coefficient of resistance while maintaining high reproducibility of the parameters.
Цель достигаетс за счет того, что полупроводниковый керамический материал, включающий сажу и диэлектрический неорганический The goal is achieved due to the fact that a semiconductor ceramic material including carbon black and dielectric inorganic
наполнитель, дополнительно содержит гексаборид лантана, а в качестве диэлектрического неорганического наполнител - стеатит при следующем соотношении компонентов, вес. %: Стеатит88,5-94,98the filler additionally contains lanthanum hexaboride, and as a dielectric inorganic filler is steatite in the following ratio of components, weight. %: Steatit88,5-94,98
Сажа0,02-1,5Soot 0.02-1.5
Гексаборид лантана5-10Lanthanum Hexaboride5-10
Дл получени данного материала мокрым способом смешивают, например, 90% стеатита , 1% сажи и 9% гексаборида лантана, смесь обезвоживают и формуют. Обжиг осуществл ют в пламенных печах в засыпке графита при 1240-1270°С.To obtain this material using a wet method, for example, 90% steatite, 1% carbon black and 9% lanthanum hexaboride are mixed, the mixture is dried and molded. Calcination is carried out in fiery furnaces in graphite bed at 1240-1270 ° C.
Резисторы из предлагаемого материала имеют следующие свойства:Resistors of the proposed material have the following properties:
Температурный коэффициент сопротивлени в интервале температур 20-400°С, 10-2%/°Сне более 8,5Temperature coefficient of resistance in the range of temperatures 20-400 ° C, 10-2% / ° C more than 8.5
Номинальное сопротивление при температуреNominal resistance at temperature
20±5°С, ком9-2520 ± 5 ° С, com9-25
Максимальна рабоча температура , °С400Maximum operating temperature, ° C400
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2077923A SU521242A1 (en) | 1974-11-20 | 1974-11-20 | Semiconductor ceramic material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2077923A SU521242A1 (en) | 1974-11-20 | 1974-11-20 | Semiconductor ceramic material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU521242A1 true SU521242A1 (en) | 1976-07-15 |
Family
ID=20601587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU2077923A SU521242A1 (en) | 1974-11-20 | 1974-11-20 | Semiconductor ceramic material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU521242A1 (en) |
-
1974
- 1974-11-20 SU SU2077923A patent/SU521242A1/en active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB187804502A (en) | Incandescent lamps | |
| US4279880A (en) | Acetylene black with high electrical conductivity and high absorptive power | |
| JPS59119249A (en) | Detecting element of carbon monoxide and its production | |
| SU521242A1 (en) | Semiconductor ceramic material | |
| CN105241571B (en) | N and Mo is used for the method for improving graphene oxide temperature-sensing property | |
| US3065088A (en) | Oxidation-resistant graphite article and method | |
| JP2002114521A (en) | Method for manufacturing cobalt-based black pigment | |
| JPH0562805A (en) | Material for high-temperature thermistor | |
| JPS58135129A (en) | Preparation of reduced alkali titanate | |
| SU608271A1 (en) | Method of manufacturing current-conducting material for heaters | |
| JPS6033208A (en) | Method for reducing puffing of graphite electrode | |
| JP7213607B2 (en) | Manufacturing method of conductive silicon carbide sintered body and conductive silicon carbide sintered body | |
| JP2018168006A (en) | Method for producing conductive silicon carbide-based sintered body and conductive silicon carbide-based sintered body | |
| SU856040A1 (en) | Method of manufacturing carborundum electric heater | |
| US2018133A (en) | Manufacture of silicon carbide | |
| SU640986A1 (en) | Charge for making ceramic material | |
| JPH0226867A (en) | Production of graphite electrode material | |
| Ueltz | Sintering reactions in MgO‐TiC mixtures | |
| SU970488A1 (en) | Method of producing varistors | |
| SU1636400A1 (en) | Mixture for manufacturing electric heaters | |
| SU116773A1 (en) | The method of obtaining nodded nitrous oxide | |
| JP2005035806A (en) | Conductive wood and bamboo charcoal and method of manufacturing conductive wood and bamboo charcoal | |
| JPH10214674A (en) | Ceramic heating element | |
| SU823355A1 (en) | Charge for producing high-temperature ceramic material | |
| SU442226A1 (en) | The method of obtaining ferrosilocalcium |