SU508686A1

SU508686A1 - Резистивный датчик температуры

Info

Publication number: SU508686A1
Application number: SU2058822A
Authority: SU
Inventors: Николай Силович Болтовец; Александр Васильевич Войцеховский; Суламифь Николаевна Ендржеевская; Вадим Арсеньевич Ищук; Светлана Кузьминична Петрусенко; Ирина Ильинична Тычина
Original assignee: Ордена Трудового Красного Знамениинститут Проблем Материаловедения; Киевский Государственный Педагогичес-Кий Институт Им. А.М.Горького
Priority date: 1974-08-09
Filing date: 1974-08-09
Publication date: 1976-03-30

Description

1

Извесгны резисти:вные датчики температуры , содержащие в качестве активного элемента полупроводники, например 3-d окислы металлов (чаще всего окиси Мп, Со, Ni, Си), карбид кремни , нитрид бора, материалы группы В.

Однако известные датчики на основе полупроводниковых материалов наход т ограниченное использование в услови х радиоактивного излучени .

Целью изобретени вл етс повышение стойкости тернорезисторов к радиоактивному излучению.

Достигаетс это тем, что в качестве активного элемента полупроводникового терморезистора , используют стеклообразный полупроводниковый материал CdGe(PxAsi.x.)2 при следующем соотношении инградиентов, вес. %:

Cd33-46

Ge21-30

Р0,2-25

As0,6-4,5

Наличие примесей Sb, Bi, Se, Те в количестве до 1%, а также отклонени компонентов от стехиометрического состава в пределах 0,5% дл Cd и 3-5% дл Ge Р и As существенно не вли ют на электрические параметры терморезисторов.

Высока устойчивость стеклообразного полупроводникового .материала к агрессивным средам позвол ет дл р да применений обойтись без герметического корпуса.

Фор М у л а изобретени

Резистивный датчик температуры, содержаБдий в качестве активного элемента полунроводник , отличающийс тем, что, с целью повышени его стойкости к радиоактивному излучению, в качестве полупроводника использовано стеклообразное вещество CdGe(P,rAsi-.T)2 нри следующем соотношении инградиентов, вес. %:

Cd33-46

Ge21-30

Р0,2-25

As0,6--4,5