SU504251A1 - Material for conductive phase resistors - Google Patents

Material for conductive phase resistors

Info

Publication number
SU504251A1
SU504251A1 SU2002869A SU2002869A SU504251A1 SU 504251 A1 SU504251 A1 SU 504251A1 SU 2002869 A SU2002869 A SU 2002869A SU 2002869 A SU2002869 A SU 2002869A SU 504251 A1 SU504251 A1 SU 504251A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistors
conductive phase
phase resistors
values
range
Prior art date
Application number
SU2002869A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Григорий Валентинович Самсонов
Ирина Гербертовна Буданова
Юрий Михайлович Мудролюбов
Борис Михайлович Рудь
Ольга Ивановна Шулишова
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Украинской Сср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Украинской Сср filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Украинской Сср
Priority to SU2002869A priority Critical patent/SU504251A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU504251A1 publication Critical patent/SU504251A1/en

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

(54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОКОПРОВОДЯЩЕЙ ФАЗЫ РЕЗИСТОРОВ(54) MATERIAL FOR THE CURRENT CONDUCTIVE PHASE OF RESISTORS

Двойной борид получаетс по следующей технологии . Из предварительно прокаленных (ISO 2 часа), В (170°С, 3 часа) и Ва €03, вз тых в нужноМ соотношении, составл ют шихту дл  совместного получени  двойного борида (Ba,Sin)Bg в натервале составов ( . ) Ба Л При этом ВаСо берут на 20 вес.% больше расчётного количества. Шихту прессуют в брикеты, загружают в тигли из ZnBj, в качестве засыпки используютВа Вб Образцы получают в вакуумной печи с начальным вакуумом 1 10 мм рт. ст. по следук щему режиму: повышают температуру до , выдерживают в течение 15 мин, затем повышают тем пературу до 1600С и снова вьщерживают в течение 15 мин, после чего нагрев перкрашают. IDouble boride is obtained by the following technology. From pre-calcined (ISO 2 hours), B (170 ° C, 3 hours) and Ba € 03, taken in the desired ratio, make up the mixture for the joint production of double boride (Ba, Sin) Bg in the range of compositions (.) Ba L At the same time, BaCo takes 20% by weight more than the calculated amount. The mixture is pressed into briquettes, loaded into crucibles from ZnBj, Va Wb is used as a charge. Samples are obtained in a vacuum furnace with an initial vacuum of 1-10 mm Hg. Art. According to the following mode: the temperature is raised to, held for 15 minutes, then the temperature is raised to 1600 ° C and held again for 15 minutes, after which the heating is repainted. I

Полученные образцы размалывают, из порошкаThe resulting samples grind, from powder

прессуют и спекают компактные образцы дл  измерени  резистивных свойств при температуре 2050° С в течение 10 мин в вакууме.compact samples are pressed and sintered to measure resistive properties at a temperature of 2050 ° C for 10 minutes under vacuum.

Полу енные составы обладают низкими значени ми термического коэффициента сопротивлени  и дают возможность, измен   соотношение KOMnojienтов , получать резистивные материалы с широким диапазоном удельных значений электросопротивлени .Semi-composite compositions have low values of thermal resistance coefficient and make it possible, by changing the ratio of KOMnojients, to obtain resistive materials with a wide range of specific values of electrical resistance.

Это позволит номинальные значени  резисторов более ишрокихдиапазоновдем при обычно при-, н том изменении количественного соотношени ; провод ща  фаза-стекло, наполнитель. Предлагаемый материал не разлагаетс  в процессе изготовлени  резисторов, устойчив в окислительных средах до 800 С, он может быть использован в качестве токопровод шей фазы толстопленочных и объемных резисторов в электронной промьипленности.This will allow the nominal values of the resistors of more and more narrow ranges when we usually change the quantity ratio; conductive phase glass, filler. The proposed material does not decompose in the process of manufacturing resistors; it is stable in oxidizing environments up to 800 ° C; it can be used as conductors of the phase of thick-film and bulk resistors in electronic form.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Материал дл  токопровод щей фазы резисторов на основе сложных боридов металлов, отличающийс  тем, что, с целью снижени  значений тем- :1 пературного коэффициента электросопротивлени , расширени  диапазона номинальных значений и стабилизации свойств материала в процессе изготовлени  резисторов, он содержит следующие ингредиенты , вес %:The material for the conductive phase of resistors based on complex metal borides, characterized in that, in order to reduce the values of the thermal resistance coefficient 1, expand the range of nominal values and stabilize the material properties in the process of manufacturing resistors, it contains the following ingredients, weight%: 26,1-40,0 29,0-43,0 30,9-31,026.1-40.0 29.0-43.0 30.9-31.0
SU2002869A 1974-02-27 1974-02-27 Material for conductive phase resistors SU504251A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2002869A SU504251A1 (en) 1974-02-27 1974-02-27 Material for conductive phase resistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2002869A SU504251A1 (en) 1974-02-27 1974-02-27 Material for conductive phase resistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU504251A1 true SU504251A1 (en) 1976-02-25

Family

ID=20577868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2002869A SU504251A1 (en) 1974-02-27 1974-02-27 Material for conductive phase resistors

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU504251A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4110260A (en) Electroconductive composite ceramics
JP3430023B2 (en) Composition for thermistor
US3928837A (en) Ceramic oxide resistor element
US3044968A (en) Positive temperature coefficient thermistor materials
SU504251A1 (en) Material for conductive phase resistors
US4743881A (en) Ceramic temperature sensor
US2891914A (en) Fired electrical resistor comprising molybdenum disilicide and borosilicate glass frit
JP2894036B2 (en) High temperature thermistor and manufacturing method thereof
JPS6143841B2 (en)
Kuwabara et al. Instability of the Characteristics of the Positive Temperature Coefficient of Resistivity in High‐Curie‐Point Barium‐Lead Titanate Ceramics and Their Grain Structures
JPS5850001B2 (en) Semiconductor porcelain composition
JP5309586B2 (en) Thermistor composition
JP3202275B2 (en) Composition for thermistor
JPS5934141A (en) Electric resistance material sensitive to air fuel ratio
SU1636400A1 (en) Mixture for manufacturing electric heaters
SU551308A1 (en) Ceramic material
JP2948934B2 (en) Composition for thermistor
JPS6136164A (en) Electroconductive ceramics
CN117819968A (en) Negative temperature coefficient thermosensitive ceramic material in high temperature area and preparation method thereof
JPS6328323B2 (en)
Kineri et al. The characteristics of high temperature thermistor with new materials
RU1574094C (en) Semiconductor ceramic material for manufacture of posistors
JPS5867001A (en) Method of producing positive temperature coefficient semiconductor porcelain
JPH0722206A (en) Thermistor
JPS58107603A (en) Method of producing positive temperature coefficient semiconductor magnetism