RU1574094C - Semiconductor ceramic material for manufacture of posistors - Google Patents
Semiconductor ceramic material for manufacture of posistors Download PDFInfo
- Publication number
- RU1574094C RU1574094C SU4409826A RU1574094C RU 1574094 C RU1574094 C RU 1574094C SU 4409826 A SU4409826 A SU 4409826A RU 1574094 C RU1574094 C RU 1574094C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxide
- manufacture
- ceramic material
- posistors
- semiconductor ceramic
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ПТКС) позисторов, в частности для саморегулирующихся позисторных нагревателей бытовых электроприборов. The invention relates to electronic equipment and can be used for the manufacture of thermistors with a positive temperature coefficient of resistance (PTCS) of posistors, in particular for self-regulating posistor heaters of household appliances.
Целью изобретения является повышение надежности за счет расширения диапазона значений положительного температурного коэффициента сопротивления в высокотемпературную область и снижения температурного коэффициента сопротивления. The aim of the invention is to increase reliability by expanding the range of values of the positive temperature coefficient of resistance in the high temperature region and reducing the temperature coefficient of resistance.
П р и м е р. Для изготовления полупроводникового керамического материала использовались PbO(ч. д. а. ); Fe2O3 (ч.д.а.); TiO2 (ч.д.а.); Nb2O5 пьезотехнический, ниобат калия KNbO3 (ч.). Смесь оксидов и КNbO3 перемешивали в фарфоровых ступках в дистиллированной воде и высушивали в сушильном шкафу при 100-110оС. Для сравнения были приготовлены несколько составов, где вместо KNbO3 в шихту вводили соответствующие количества K2CO3 марки ч. д. а. и Nb2O5. К порошку добавляли в качестве пластификатора 3%-ный водный раствор поливинилового спирта и при давлении 100 МПа прессовали образцы в виде дисков диаметром 10 мм и толщиной 2-3 мм или в виде брусков 5х5х25 мм3. Спекание образцов проводили в плотно закрытых алундовых тиглях на подложках из стабилизированной двуокиси циркония. Температура спекания Тсп составляла 1140-1180оС, время спекания 2-3 ч, охлаждение проводили со скоростью 200 К/ч до 900оС, после чего образцы остывали вместе с печью. После обжига образцы шлифовали и наносили электроды из алюминия методом испарения в вакууме или путем вжигания серебряной пасты с последующей диффузией сквозь слой серебра атомов индия и свинца. Источником диффузии служил сплав из 30 мас.% In и 70 мас.% Pb, наносившийся на серебряный электрод с помощью паяльника.PRI me R. For the manufacture of semiconductor ceramic material, PbO (p.a.) was used; Fe 2 O 3 (analytical grade); TiO 2 (analytical grade); Nb 2 O 5 piezotechnical, potassium niobate KNbO 3 (parts). The mixture of oxides and KNbO 3 was stirred in a porcelain mortar with distilled water and dried in an oven at 100-110 ° C. For comparison, several formulations were prepared, where instead of KNbO 3 was injected into the charge amount corresponding to K 2 CO 3 hour mark. D. And . and Nb 2 O 5. A 3% aqueous solution of polyvinyl alcohol was added as a plasticizer to the powder, and samples were pressed at a pressure of 100 MPa in the form of disks with a diameter of 10 mm and a thickness of 2-3 mm or in the form of bars 5x5x25 mm 3 . Sintering of the samples was carried out in tightly closed alundum crucibles on substrates of stabilized zirconia. The sintering temperature T cn was 1140-1180 ° C, sintering time of 3.2 hours, cooling was performed at a rate of 200 K / h to 900 C, after which the samples were cooled down with the furnace. After firing, the samples were ground and aluminum electrodes were deposited by evaporation in vacuum or by burning silver paste followed by diffusion through a silver layer of indium and lead atoms. The diffusion source was an alloy of 30 wt.% In and 70 wt.% Pb, deposited on a silver electrode using a soldering iron.
Электрические свойства позисторов, изготовленных из данного материала, приведены в табл.1, где Тсп - температура спекания; p20 о С - удельное сопротивление при 20оС; Т1 и Т2 - температуры, при которых соответственно начинается и прекращается рост сопротивления; Δ Т=Т2-Т1 - область ПТКС; ρ1 и ρ2 - значения удельного сопротивления соответственно при Т1 и Т2; α - температурный коэффициент сопротивления.The electrical properties of the posistors made of this material are given in table 1, where T SP - sintering temperature; p 20 about With - specific resistance at 20 about ; T 1 and T 2 are the temperatures at which resistance growth begins and stops, respectively; Δ T = T 2 -T 1 - region PTKS; ρ 1 and ρ 2 are the resistivity values at T 1 and T 2 , respectively; α is the temperature coefficient of resistance.
Для оценки характеристик нагревателей были изготовлены нагревательные позисторные элементы в виде брусков 5х5х20 мм3 из титаната бария с добавками стеклообразующих оксидов и ниобия (базовый образец), имеющего Т4=100оС и α =6%К, а также из данного материала. Электроды из вожженного серебра, омизированные диффузией атомов индия и свинца, наносили на грани 5х5 мм2. Экспериментально было установлено, что для надежной работы нагревателей необходимо использовать такие составы, которые спекаются при сравнительно низкой температуре ( ≈ 1150оС), имеют значение ρ20o C<(7,5-8,0).104 Ом.см, отношение ρ2 / ρ1 больше 5-7, более низкие, чем в прототипе, значения α и расширенную в сторону высоких температур область
ΔТ=Т2-Т1.To evaluate the characteristics of the heaters, heating posistor elements in the form of bars 5x5x20 mm 3 were made of barium titanate with the addition of glass-forming oxides and niobium (base sample) having T 4 = 100 ° C and α = 6% K, as well as from this material. The electrodes made of burnt silver, omisified by the diffusion of indium and lead atoms, were deposited on the face of 5x5 mm 2 . Experimentally it has been found necessary to use such compositions that are sintered at relatively low temperatures (≈ 1150 ° C), have the value ρ 20 o C <(7,5-8,0) for
ΔT = T 2 -T 1 .
Оптимальными свойствами обладают составы 4-6, 8, 10-12. При выходе за границы содержания любого из компонентов (составы 3, 7 и 13) свойства материала ухудшаются. Увеличение содержания Fe2O3 и уменьшение содержания TiO2 (состав 3), PbO, Fe2O3, Nb2O5 (состав 13) приводят к уменьшению Т1 до 100-120оС и возрастанию значений α . Увеличение содержания TiO2 и PbO и уменьшение содержания KNbO3 (состав 7) приводят к сужению Δ Т и возрастанию α .The optimal properties are compounds 4-6, 8, 10-12. When you go beyond the boundaries of the content of any of the components (
Сравнение свойств составов 8 и 9, отличающихся способом введения в материал KNbO3 (состав 8 в виде синтезированного соединения, состав 9 в виде смеси соответствующих количеств K2CO3 и Nb2O5), показывает, что при введении KNbO3 в виде смеси K2CO3 и Nb2O5 значения ρ20o C резко увеличиваются, а величина ρ2 / ρ1 уменьшается до значения 4,1, т.е. становится недостаточной для надежной работы позистора. Таким образом, положительный эффект достигается только в случае введения в материал синтезированного KNbO3.A comparison of the properties of
Для оценки точности стабилизации температуры были проведены испытания нагревателей из BaTiO3 (базовый образец) и из данного материала. На нагреватели подавалось переменное напряжение частотой 50 Гц. Температура элементов, находящихся в спокойном воздухе, измерялась с помощью хромельалюмелевой термопары, плотно прижатой к поверхности образца посередине между электродами, через изолирующую прокладку из слюды. Полученные результаты приведены в табл.2.To assess the accuracy of temperature stabilization, we tested BaTiO 3 heaters (base sample) and from this material. An alternating voltage of 50 Hz was applied to the heaters. The temperature of the elements in calm air was measured using a chromel-alumel thermocouple tightly pressed to the sample surface in the middle between the electrodes through an insulating mica pad. The results are shown in table.2.
Как видно из табл.2, несмотря на то, что у данного материала величина α в несколько раз меньше, чем у BaTiO3, точность автотермостабилизации ( ΔТ/ Δ V) объемных позисторных нагревателей в виде брусков 5х5х20 мм из BaTiO3 и данного материала (состав 5) при питании от сетевого напряжения 220 В отличается незначительно.As can be seen from Table 2, despite the fact that the value of α for this material is several times lower than that of BaTiO 3 , the accuracy of autotherm stabilization (ΔТ / Δ V) of bulk posistor heaters in the form of bars 5x5x20 mm from BaTiO 3 and this material ( composition 5) when powered by a mains voltage of 220 V, it differs slightly.
С помощью реле времени осуществляли следующий режим работы: напряжение подавалось на включенные параллельно позисторные элементы в течение 5 мин, затем выключалось на 5 мин, после чего цикл повторялся. Испытывали по 3 элемента из BaTiO2 и из состава 5. После каждого часа испытаний в течение первых 5 ч, а затем через каждые 48 ч проводили измерения протекающего через образцы тока. Все 3 элемента из BaTiO3 раскололись в течение первого часа испытаний, т.е. в течение первых 6 циклов включения-выключения напряжения. Элементы из данного материала сохранили работоспособность и после 640 ч испытаний, т.е. успешно выдержали более 3800 циклов включения-выключения напряжения.Using the time relay, the following operation mode was carried out: voltage was applied to the posistor elements connected in parallel for 5 minutes, then turned off for 5 minutes, after which the cycle was repeated. Three elements of BaTiO 2 and of
Данный материал позволяет получать позисторные нагревательные элементы для бытовых электроприборов (в том числе объемные и крупногабаритные) из технического сырья на обычном технологическом оборудовании, применяемом при производстве электротехнической керамики (мельницы с железными шарами, стальные пресс-формы и т.п.), что невозможно при использовании материалов на основе титаната бария. This material makes it possible to obtain posistor heating elements for household electrical appliances (including bulk and bulky) from technical raw materials using conventional technological equipment used in the manufacture of electrotechnical ceramics (mills with iron balls, steel molds, etc.), which is impossible when using materials based on barium titanate.
Claims (1)
Оксид свинца 57,52 - 68,68
Оксид железа 6,49 - 10,67
Оксид ниобия 13,14 - 21,93
Оксид титана 0,02 - 7,39
Ниобат калия 0,50 - 16,66SEMICONDUCTOR CERAMIC MATERIAL FOR POSITOR PRODUCTION, containing oxides of lead, iron, niobium and titanium, characterized in that, in order to increase reliability, it additionally contains potassium niobate in the following ratio, wt.%:
Lead oxide 57.52 - 68.68
Iron oxide 6.49 - 10.67
Niobium oxide 13.14 - 21.93
Titanium oxide 0.02 - 7.39
Potassium Niobate 0.50 - 16.66
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4409826 RU1574094C (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Semiconductor ceramic material for manufacture of posistors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4409826 RU1574094C (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Semiconductor ceramic material for manufacture of posistors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1574094C true RU1574094C (en) | 1994-12-30 |
Family
ID=30440944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4409826 RU1574094C (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Semiconductor ceramic material for manufacture of posistors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1574094C (en) |
-
1988
- 1988-04-15 RU SU4409826 patent/RU1574094C/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Заявка Японии N 48-13798, кл. H 01C 7/02, 1973. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107043251A (en) | Semiconductor ceramic composition and PTC thermistor | |
KR20170016805A (en) | Semiconductive ceramic composition and ptc thermistor | |
JP2000191371A (en) | Nonlinear dielectric porcelain, capacitor for pulse generation, high pressure vapor discharge lamp circuit and high pressure vapor discharge lamp | |
Kuwabara | Lead titanate ceramics with positive temperature coefficients of resistivity | |
RU1574094C (en) | Semiconductor ceramic material for manufacture of posistors | |
Kuwabara et al. | Varistor characteristics in PTCR-type (Ba, Sr) TiO3 ceramics prepared by single-step firing in air | |
JP3554786B2 (en) | Semiconductor ceramic, degaussing positive temperature coefficient thermistor, degaussing circuit, and method of manufacturing semiconductor ceramic | |
US3630970A (en) | Resistor | |
JPH01143202A (en) | Positive temperature coefficient(ptc) thermister for moderate high temperature | |
JPS6255281B2 (en) | ||
JPS6243522B2 (en) | ||
JP4374433B2 (en) | Spark plasma sintered body and manufacturing method thereof | |
SU1730080A1 (en) | Semiconducting ceramic material | |
JPH05129667A (en) | Thermoelectric semiconductor element and manufacture thereof | |
Zuo et al. | Effects of silver incorporation on the dielectric and ferroelectric properties of PMN–PNN–PZT ceramics | |
JPH1053459A (en) | Alumina porcelain composition | |
JPH11106261A (en) | Ceramic heater element | |
JP3088039B2 (en) | Thermoelectric semiconductor element | |
JP3178083B2 (en) | Barium titanate-based ceramic semiconductor and method for producing the same | |
SU1296548A1 (en) | Ceramic material | |
JPS5850001B2 (en) | Semiconductor porcelain composition | |
JP2004014950A (en) | Ceramics material having ptc characteristic | |
RU2035780C1 (en) | Low-temperature ceramic material for thermaly stable capacitors | |
SU1339902A1 (en) | Ceramic material for electric heaters | |
JP3196516B2 (en) | Positive thermistor |