SU495378A1 - Cobalt based alloy - Google Patents
Cobalt based alloyInfo
- Publication number
- SU495378A1 SU495378A1 SU2064920A SU2064920A SU495378A1 SU 495378 A1 SU495378 A1 SU 495378A1 SU 2064920 A SU2064920 A SU 2064920A SU 2064920 A SU2064920 A SU 2064920A SU 495378 A1 SU495378 A1 SU 495378A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- cobalt
- based alloy
- temperature
- cobalt based
- plus
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к области металлургии , в частности к изысканию сплава на основе кобальта, который может быть использован в электротехнической и электронной промышленности дл получени резисторов с сопротивлением, не завис щим от температуры в интервале 80-350° iK, и низкотемпературных нагревательных элементов.The invention relates to the field of metallurgy, in particular to the search for a cobalt based alloy, which can be used in the electrical and electronics industry to obtain resistors with a resistance independent of temperature in the range of 80-350 ° iK and low-temperature heating elements.
В насто щее врем дл резисторов и нагревательных элементов примен лись такие сплавы, как константан, манганин, нихром. В последнее врем по вились сообщени о попытках получени новых высокоомных резистивных материалов на базе таких, например , интерметаллических соединений, как моноалюминид никел .At present, alloys such as constantan, manganin, and nichrome have been used for resistors and heating elements. Recently, there have been reports of attempts to obtain new high-resistance resistive materials based on, for example, intermetallic compounds such as nickel monoaluminide.
Известен сплав на основе кобальта следующего химического состава, вес.%:Known cobalt based alloy of the following chemical composition, wt.%:
Германий42,5Germanium42,5
КобальтОстальноеCobalt Else
Удельное электросопротивление сплава составл ет 1,85Х10 омХм и весьма слабо,зависит от температуры винтервалеминус 173- нлюс 27° С. В интервале плюс 27-плюс 177° С удельное электросопротивление этого сплава практически не зависит от температуры.The specific electrical resistance of the alloy is 1.85 X 10 ohm and very weakly, depending on the temperature of the valeminus 173-plus 27 ° C. In the range of plus 27-plus 177 ° C, the specific electrical resistance of this alloy is practically independent of temperature.
С целью получени удельного электросопротивлени , не завис щего от температуры в интервале минус 190-плюс 100° С, предлагаемый сплав имеет следующий химический состав, вес. %:In order to obtain electrical resistivity, independent of temperature in the range of minus 190-plus 100 ° C, the proposed alloy has the following chemical composition, weight. %:
Германий41,1-41,4Germanium41,1-41,4
КобальтОстальноеCobalt Else
Сплав имеет удельное электросопротивление не менее 1,75X10- омХм и не зависит от температуры в интервале минус 190-плюс 1QO°C.The alloy has a resistivity of at least 1.75X10-ohmhm and does not depend on temperature in the range of minus 190-plus 1QO ° C.
Сплав кобальт - германий, содержащий 58,7 вес. % кобальта и 41,3 вес. % германи , был приготовлен из кобальта марки К-О (99,98% Со) и полупроводникового германи (99,99% Ge). Сплавление проводили в индукционной печи в атмосфере аргона с использованием тиглей ЛиОз.Cobalt-germanium alloy containing 58.7 wt. % cobalt and 41.3 wt. % germanium, was prepared from cobalt brand TO (99.98% Co) and semiconductor germanium (99.99% Ge). The fusion was carried out in an induction furnace in an argon atmosphere using LiO3 crucibles.
Дл выращивани монокристаллов способом Чохральского была использована установка с графитовым нагревателем, допускающа частичное тепловое экранирование растущего слитка. Материалом тиглей служила окись алюмини (А120з), практически не взаимодействующа с расплавом. В процессе роста кристалла (со скоростью близкой к 1 мм/мин) тигель и затравка вращались в противоположных направлени х со скорост ми 20-30 и 60-80 об/мин соответственно. В качестве затравок использовали поликристаллические стержни диаметром 3-4 мм того же состава, что и расплав.To grow single crystals by the Czochralski method, a setup with a graphite heater was used, allowing partial thermal shielding of the growing ingot. The crucible material was alumina (A1203), which practically did not interact with the melt. In the process of crystal growth (at a rate close to 1 mm / min), the crucible and the seed rotated in opposite directions at speeds of 20–30 and 60–80 rpm, respectively. Polycrystalline rods with a diameter of 3-4 mm of the same composition as the melt were used as seeds.
Монокристаллические слитки длиной 80- 100 мм, диаметром 20-25 мм получали в результате образовани шейки перед выходом на диаметр. Дл выращивани кристаллов в определенном направлении на электроэрозионном станке вырезали ориентированные затравки . Слитки, выт нутые на поликристаллических затравках, росли в направлени х, близких к 212. Указанные выше услови вырашивани обеспечивали при этом практически плоский фронт кристаллизации. Получены были лгонокристаллы и в направлении 001 в тех же услови х.Single crystal ingots with a length of 80-100 mm and a diameter of 20-25 mm were obtained as a result of the formation of a neck before reaching the diameter. Oriented seeds were cut out on the EDM machine to grow crystals in a certain direction. The ingots elongated on polycrystalline seeds grew in directions close to 212. The above conditions for growing provided an almost flat crystallization front. We obtained ligonocrystals in the direction 001 under the same conditions.
Удельное электросопротивление монокристаллического Coi,75Ge составл ет 1,75-10The electrical resistivity of single-crystal Coi, 75Ge is 1.75-10
омХм дл направлени 100 и 2,6-10 омХ XM - дл 001. При этом в обоих случа х в пределах ошибки измерений (±3%) электросопротивление не зависит от температуры.ohmm for directions 100 and 2.6-10 ohmX XM - for 001. At the same time, in both cases, within the measurement error (± 3%), the electrical resistance does not depend on temperature.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2064920A SU495378A1 (en) | 1974-10-09 | 1974-10-09 | Cobalt based alloy |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2064920A SU495378A1 (en) | 1974-10-09 | 1974-10-09 | Cobalt based alloy |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU495378A1 true SU495378A1 (en) | 1975-12-15 |
Family
ID=20597593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU2064920A SU495378A1 (en) | 1974-10-09 | 1974-10-09 | Cobalt based alloy |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU495378A1 (en) |
-
1974
- 1974-10-09 SU SU2064920A patent/SU495378A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07300667A (en) | Aluminum alloy single crystal target and its production | |
KR20120057536A (en) | Method of Producing SiC Single Crystal | |
US4303465A (en) | Method of growing monocrystals of corundum from a melt | |
Lenoir et al. | Growth of Bi1− xSbx alloys by the traveling heater method | |
SU495378A1 (en) | Cobalt based alloy | |
Finch et al. | Crystal growth and properties of trinickel boride, Ni3B | |
Feigelson et al. | Solution growth of CdGeAs2 | |
Lipińska-Chwałek et al. | Single-crystal growth of the complex metallic alloy phase β-Al–Mg | |
Fano et al. | Segregation in Pb 1− x Sn x Te during solidification by the Bridgman technique | |
Goodrum | Solution top-seeding: Growth of GeO2 polymorphs | |
US3394994A (en) | Method of varying the thickness of dendrites by addition of an impurity which controls growith in the <111> direction | |
Bachmann et al. | Czochralski pulling of cobalt and of cobalt-rich cobalt/iron alloy crystals | |
US2968014A (en) | Synthetic stibnite crystal and method for producing the same | |
US2829994A (en) | Method for preparing silicon-germanium alloys | |
Kuroda et al. | Growth of 10 cm wide silicon ribbon | |
JP2543449B2 (en) | Crystal growth method and apparatus | |
Orem | Growth of Preferentially Oriented Aluminum Sing Ie Crystals | |
JP3125313B2 (en) | Single crystal growth method | |
RU56404U1 (en) | CRYSTALLIZATION PLANT FOR GROWING REFLECTIVE EUTECTIC Pseudomonocrystals | |
CS264935B1 (en) | Treatment of growth conditions and growth sapphire modified by kyropouls method | |
Venkataraghavan et al. | The effect of growth parameters on the position of the melt-solid interface in Bridgman growth of indium antimonide | |
Fu et al. | The growth characteristics of single crystals with a shape memory effect | |
Elwell | Fundamentals of flux growth | |
Klein et al. | The influence of impurities on the crystallization of supercooled copper melts | |
Duong et al. | Temperature Gradient: A Simple Method for Single Crystal Growth |