Claims (2)
дл отвода части луча лазера к измерителю 5 мощности излучени , например к фотоэлементу ФЭК-09К. За пластиной 4 на пути излучени установлен делитель б света, например система призм дл разделени лазерного луча на два луча. На месте пересечени этих лучей помещен исследуемый полупроводниковый образец 7 и измеритель 8 интенсивнос дифракции которым может служить также фотоэлемент ФЭК-09К. Измеритель 5 мощности излучени и измеритель 8 интенсивности дифракции подключены к двухлучевому запоминающему осциллогра фу С1-429. Направление лучей на фиг.1 обозначено стрелками. Под действием лучей лазера в полупроводниковом образце 7 создают большие концентрации свободных носителей зар да в виде синусоидальной дифракционной решетки. На этой решетке дифрагируют те же формирующие peiueTKy лучи лазера. Подобрав или заранее подсчитав угол между ними, создают почти толстую динa шчecкyю голограмму с вно выраженным лишь первым дифракционным максимумом, как показано на фиг. to divert part of the laser beam to the radiation power meter 5, for example, the FEK-09K photocell. Behind the plate 4 in the path of the radiation, a light divider B is installed, for example, a system of prisms for dividing the laser beam into two beams. At the intersection of these rays is placed the investigated semiconductor sample 7 and the meter 8 of the diffraction intensity which can also serve as a photocell FEC-09K. A radiation power meter 5 and a diffraction intensity meter 8 are connected to a two-beam memory oscilloscope C1-429. The direction of the rays in figure 1 is indicated by arrows. Under the action of laser beams in a semiconductor sample 7, large concentrations of free charge carriers in the form of a sinusoidal diffraction grating are created. The same laser beams forming peiueTKy diffract on this grating. By selecting or calculating the angle between them in advance, they create an almost fat din hologram with a clearly pronounced only first diffraction maximum, as shown in FIG.
2. С помощью нейтральных светофильтров 3 мен ют мощность лучей лазера (уровень возбуждени полупроводника), а с помощью фотоэлемента 5 и двухлучевого осциллографа 9 измер ют уровень возбуждени полупроводникового образца 7, т.е. мощность части луча, отведенной пластиной 4. С помощью фотоэлемента 8, помещенного в первый дифракционный максимум, и осциллографа 9 измер ют интенсивность восстановленного сигнала. Таким образом, получают зависимость интенсивности дифракции от уровн возбуждени . Поскольку между интенсивностью света, дифрагированного в первый дифракционный максимум, и концентрацией свободных носителей зар да существует однозначна квадратична зависимость в виде |i 2oL +1 (где |i - показатель степени измеренной характеристики; d- показатель степени зависимости концентрации свободных носителей зар да от уровн возбуждени ), фотоэлектрическую характеристику .полупроводника, т.е. зависимость концентрации свободных носителей .зар да от уровн возбуждени , получают, уменьша показатели степени измеренной зависимости. Применение голографии дл исследовани полупроводников позвол ет повысить точность и упростить способ измерений. Формула изобретени Способ определени Фотоэлектрических характеристик полупроводника путем облучени лазерным лучом, отличающийс тем, что, с целью повышени точности измерений, записывают и восстанавливают динамическую голограмму в полупроводниковом образце и по величине восстановленного сигнала суд т о его фотоэлектрических характеристиках .2. Using neutral light filters 3, the laser beam power is changed (semiconductor excitation level), and the excitation level of semiconductor sample 7, i.e. the power of the portion of the beam retracted by the plate 4. With the help of a photocell 8 placed at the first diffraction maximum, and the oscilloscope 9 measure the intensity of the reconstructed signal. In this way, the dependence of the diffraction intensity on the excitation level is obtained. Since between the intensity of light diffracted into the first diffraction maximum and the concentration of free charge carriers, there is a unique quadratic dependence in the form | i 2oL +1 (where | i is the exponent of the measured characteristic; d is the exponent of excitation), the photoelectric characteristic of the semiconductor, i.e. the dependence of the free carrier concentration on the excitation level is obtained by decreasing the exponents of the measured dependence. The use of holography to study semiconductors improves the accuracy and simplifies the measurement method. Claims The method of determining the photoelectric characteristics of a semiconductor by irradiating a laser beam, characterized in that, in order to improve the measurement accuracy, a dynamic hologram is recorded and restored in a semiconductor sample and the photoelectric characteristics of the reconstructed signal are determined.
Координата X, отн.ед. Coordinate X, relative units
it68 Фиг.2it68 FIG. 2
/10/ten
уровень оз5цждениЯ) MBT/CftMBT / Cft
1ОО1OO
Физ.ЗFiz.Z