SU459802A1 - Запоминающий элемент - Google Patents

Запоминающий элемент

Info

Publication number
SU459802A1
SU459802A1 SU1916131A SU1916131A SU459802A1 SU 459802 A1 SU459802 A1 SU 459802A1 SU 1916131 A SU1916131 A SU 1916131A SU 1916131 A SU1916131 A SU 1916131A SU 459802 A1 SU459802 A1 SU 459802A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
dielectric
layer
memory element
semiconductor
voltage
Prior art date
Application number
SU1916131A
Other languages
English (en)
Inventor
Вадим Петрович Лаврищев
Эдуард Алексеевич Полторацкий
Валентин Васильевич Поспелов
Николай Филиппович Трутнев
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1631
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1631 filed Critical Предприятие П/Я А-1631
Priority to SU1916131A priority Critical patent/SU459802A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU459802A1 publication Critical patent/SU459802A1/ru

Links

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

дар  большой крутизне вольт- ркостных характеристик электролюминофоров , где а измен етс  от 3 до 30 дл  разных материалов .
.Эти требовани  реализуютс , например, при использовании в качестве диэлектрика нитрида кремни , а в качестве электролюминофора - ZnS, легированного Си, Мп. Толщина
о
сло  ДОП 1000А, люминофора - 1 мкм. В этом случае погонные емкости одного пор дка и составл ет 10 пф/см. Интервал напр жений на диэлектрике, в пределах которого записанна  информаци  не уничтожаетс , т. е. накопленный зар д не переходит из диэлектрика Б полу проводник или контакт, составл ет 30 в. Этих напр жений достаточно дл  нормального функционировани  электролюминосфора . Коэффициент а дл  ZnS легированного Си, Мп может иметь значени  10-30.
Запись информации в предлагаемое ЗУ можно осуществл ть, использу , например, эффект генерации носителей в обедненном слое кремни  вблизи сло  диэлектрика при освещении локальных областей.
Другой способ записи состоит в использовании фотопровод щих свойств электролюминесцентного сло : к структуре прикладываетс  посто нное напр жение и производитс  засветка тех участков поверхности, где хот т произвести запись информации. При этом сопротивление освещенных участков уменьшаетс , и соответственно возрастает напр жение, приложенное к системе диэлектрик-полупроводник. При подход щем выборе напр жени  зар ды из полупроводника переход т в диэлектрик, т. е. осуществл етс  процесс записи.
Предмет изобретени 
Запоминающий элемент, содержащий расположенные между первым и вторым сло ми проводника слой полупроводника и слой диэлектрика с остаточной пол ризацией, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  оптического считывани  информации, он содержит слой электролюминофора, расположенный между слоем диэлектрика и вторым слоем проводника, выполненным полупрозрачным.
3
2
SU1916131A 1973-05-10 1973-05-10 Запоминающий элемент SU459802A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1916131A SU459802A1 (ru) 1973-05-10 1973-05-10 Запоминающий элемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1916131A SU459802A1 (ru) 1973-05-10 1973-05-10 Запоминающий элемент

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU459802A1 true SU459802A1 (ru) 1975-02-05

Family

ID=20551991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1916131A SU459802A1 (ru) 1973-05-10 1973-05-10 Запоминающий элемент

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU459802A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0316508A1 (en) * 1982-12-15 1989-05-24 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optic memory device
US5738765A (en) * 1982-12-15 1998-04-14 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optic memory device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0316508A1 (en) * 1982-12-15 1989-05-24 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optic memory device
US5738765A (en) * 1982-12-15 1998-04-14 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optic memory device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4103341A (en) Ferroelectric photovoltaic method and apparatus for transferring information
US6067244A (en) Ferroelectric dynamic random access memory
US6069381A (en) Ferroelectric memory transistor with resistively coupled floating gate
KR100663310B1 (ko) 불휘발성 메모리
US4363110A (en) Non-volatile dynamic RAM cell
US4068217A (en) Ultimate density non-volatile cross-point semiconductor memory array
CN1149680C (zh) 存储单元装置
US3906296A (en) Stored charge transistor
EP0135036A3 (en) Semiconductor memory
US3590337A (en) Plural dielectric layered electrically alterable non-destructive readout memory element
US3838405A (en) Non-volatile diode cross point memory array
SU459802A1 (ru) Запоминающий элемент
US5373462A (en) Non-volatile storage cell of the metal - ferroelectric - semiconductor type
US4057820A (en) Dual gate MNOS transistor
JPS6180852A (ja) 不揮発性ダイナミツク・メモリ・セル
US4106107A (en) MIS readout device with dielectric storage medium
US4230954A (en) Permanent or semipermanent charge transfer storage systems
US3906462A (en) Optical storage device using piezoelectric read-out
JPS6355788B2 (ru)
US4110839A (en) Non-volatile long memory for fast signals
US4025910A (en) Solid-state camera employing non-volatile charge storage elements
US4571607A (en) Semiconductor device
SU628536A1 (ru) Элемент пам ти
US3987474A (en) Non-volatile charge storage elements and an information storage apparatus employing such elements
JPH04228191A (ja) 半導体集積回路