SU459802A1 - Запоминающий элемент - Google Patents
Запоминающий элементInfo
- Publication number
- SU459802A1 SU459802A1 SU1916131A SU1916131A SU459802A1 SU 459802 A1 SU459802 A1 SU 459802A1 SU 1916131 A SU1916131 A SU 1916131A SU 1916131 A SU1916131 A SU 1916131A SU 459802 A1 SU459802 A1 SU 459802A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- dielectric
- layer
- memory element
- semiconductor
- voltage
- Prior art date
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
дар большой крутизне вольт- ркостных характеристик электролюминофоров , где а измен етс от 3 до 30 дл разных материалов .
.Эти требовани реализуютс , например, при использовании в качестве диэлектрика нитрида кремни , а в качестве электролюминофора - ZnS, легированного Си, Мп. Толщина
о
сло ДОП 1000А, люминофора - 1 мкм. В этом случае погонные емкости одного пор дка и составл ет 10 пф/см. Интервал напр жений на диэлектрике, в пределах которого записанна информаци не уничтожаетс , т. е. накопленный зар д не переходит из диэлектрика Б полу проводник или контакт, составл ет 30 в. Этих напр жений достаточно дл нормального функционировани электролюминосфора . Коэффициент а дл ZnS легированного Си, Мп может иметь значени 10-30.
Запись информации в предлагаемое ЗУ можно осуществл ть, использу , например, эффект генерации носителей в обедненном слое кремни вблизи сло диэлектрика при освещении локальных областей.
Другой способ записи состоит в использовании фотопровод щих свойств электролюминесцентного сло : к структуре прикладываетс посто нное напр жение и производитс засветка тех участков поверхности, где хот т произвести запись информации. При этом сопротивление освещенных участков уменьшаетс , и соответственно возрастает напр жение, приложенное к системе диэлектрик-полупроводник. При подход щем выборе напр жени зар ды из полупроводника переход т в диэлектрик, т. е. осуществл етс процесс записи.
Предмет изобретени
Запоминающий элемент, содержащий расположенные между первым и вторым сло ми проводника слой полупроводника и слой диэлектрика с остаточной пол ризацией, отличающийс тем, что, с целью обеспечени оптического считывани информации, он содержит слой электролюминофора, расположенный между слоем диэлектрика и вторым слоем проводника, выполненным полупрозрачным.
3
2
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1916131A SU459802A1 (ru) | 1973-05-10 | 1973-05-10 | Запоминающий элемент |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1916131A SU459802A1 (ru) | 1973-05-10 | 1973-05-10 | Запоминающий элемент |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU459802A1 true SU459802A1 (ru) | 1975-02-05 |
Family
ID=20551991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1916131A SU459802A1 (ru) | 1973-05-10 | 1973-05-10 | Запоминающий элемент |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU459802A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0316508A1 (en) * | 1982-12-15 | 1989-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
US5738765A (en) * | 1982-12-15 | 1998-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
-
1973
- 1973-05-10 SU SU1916131A patent/SU459802A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0316508A1 (en) * | 1982-12-15 | 1989-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
US5738765A (en) * | 1982-12-15 | 1998-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4103341A (en) | Ferroelectric photovoltaic method and apparatus for transferring information | |
US6067244A (en) | Ferroelectric dynamic random access memory | |
US6069381A (en) | Ferroelectric memory transistor with resistively coupled floating gate | |
KR100663310B1 (ko) | 불휘발성 메모리 | |
US4363110A (en) | Non-volatile dynamic RAM cell | |
US4068217A (en) | Ultimate density non-volatile cross-point semiconductor memory array | |
CN1149680C (zh) | 存储单元装置 | |
US3906296A (en) | Stored charge transistor | |
EP0135036A3 (en) | Semiconductor memory | |
US3590337A (en) | Plural dielectric layered electrically alterable non-destructive readout memory element | |
US3838405A (en) | Non-volatile diode cross point memory array | |
SU459802A1 (ru) | Запоминающий элемент | |
US5373462A (en) | Non-volatile storage cell of the metal - ferroelectric - semiconductor type | |
US4057820A (en) | Dual gate MNOS transistor | |
JPS6180852A (ja) | 不揮発性ダイナミツク・メモリ・セル | |
US4106107A (en) | MIS readout device with dielectric storage medium | |
US4230954A (en) | Permanent or semipermanent charge transfer storage systems | |
US3906462A (en) | Optical storage device using piezoelectric read-out | |
JPS6355788B2 (ru) | ||
US4110839A (en) | Non-volatile long memory for fast signals | |
US4025910A (en) | Solid-state camera employing non-volatile charge storage elements | |
US4571607A (en) | Semiconductor device | |
SU628536A1 (ru) | Элемент пам ти | |
US3987474A (en) | Non-volatile charge storage elements and an information storage apparatus employing such elements | |
JPH04228191A (ja) | 半導体集積回路 |