SU458785A1

SU458785A1 - Устройство дл замера токов утечки в цеп х высоковольтных напр жений

Info

Publication number: SU458785A1
Application number: SU1846695A
Authority: SU
Inventors: Владимир Ильич Турченков
Priority date: 1972-11-16
Filing date: 1972-11-16
Publication date: 1975-01-30

Description

1

Изобретение относитс к приборам дл измерени токов утечки в высоковольтных цеп х .

Известные устройства, содержащие генератор импульсов, имеют высокое входное сопротивление , что обуславливает ошибки в показани х; кроме того, дл работы этих устройств требуетс дополнительный источник п-нтани .

Цель изобретени - уменьшение входного сопротивлени устройства и исключение дополнительного источника питани .

Цель достигаетс тем, что в предлагаемом устройстве входна обмотка импульсного трансформатора включаетс последовательно с хронируюшим конденсаторо,м, а база транзистора соединена с концом второй входной обмотки импульсного трансформатора.

Принципиальна схема устройства приведена на чертеже.

Устройство содержит транзистор I, диоды 2 и 3, шунтирующий входные прибора резистор 4, конденсаторы 5 и 6, импульсный трансформатор 7, измерительный миллиамперметр 8.

Когда напр жение на конденсаторе достигает начала проводимости базоэмиттерного перехода транзистора, в коллекторной об-мот«е транзистора течет ток, который индуцирует ток в обмотке, включенной последовательно с конденсатором, таким образом, что на конце

вывода обмотки, соединенной с конденсатором , возникает положительное напр жение. Это вызывает еще большее увеличение токов эмиттера и коллектора, т. е. начинаетс блокинг-процесс . Импульс тока в выходной обмотке детектируетс диодом 3 и подаетс на измерительный прибор 8. Чем больше ток утечки, тем больший средний ток протекает через эмиттер транзистора, тем больший ток имеетс на выходе.

ПрбИ;муществом устройства вл етс отсутствие дополнительного источника в высоковольтной цепи и минимально возможное значение входного сопротивлени прибора.

Предмет изобретени

Устройство дл замера токов утечки в цеп х высоковольтных напр жений с гальванической разв зкой, содержащее транзистор, включенный по схеме с общей базой, коллектор которого соединен с первой обмоткой импульсного трансформатора, а эмиттер - с первой обкладкой конденсатора, отличающеес тем, что, с целью уменьщени входного сопротивлени и исключени источника питани , втора обкладка конденсатора через вторую обмотку импульсного трансформатора соединена с базой транзистора и с первой обмоткой импульсного трансформатора.

42

в