SU832712A1 - Генератор линейно-измен ющегос НАпР жЕНи - Google Patents

Description

I

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники.

Известен генератор фантастронного тийа, содержащий задающий генератор на составном транзисторе, дополнительный третий транзистор, конденсаторы и резисторы (1.

Недостатком устройства  вл етс  его существенна  нелинейность.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности  вл етс  генератор линейно измен ющегос  напр жени , содержащий первый транзистор, эмиттер которого подключен к общей шине устройства, база через первый резистор, а коллектор через последовательно соединенные второй и третий резисторы подключены к щине первого источника питани , второй транзистор, коллектор которого через четвертый резистор подключен к шине первого источника питани , а через последовательно соединенные первый конденсатор и п тый резистор - к базе первого транзистора, треftm TffeH3HCTOp, коллекторно-базовый переход которого подключен параллельно второму кс«денсатору , одна из обкладок которого подключена к общей шине устройства, эмиттер третьего транзистора через шестой резистор подключен к шине второго источника .тгитани , а коллектор соединен с эмиттером второго транзистора, первый и второй диоды 2.

Недостаток известного устройства - невозможность получени  больших значений амплитуды формируемого напр жени .

Цель изобретени  - повышение амплитуды выходного напр жоти .

Claims (2)

1. Поставлегша  цель достигаетс  тем, что геиератор линейно измен ющегос  напр жени , содержащий первый транзистор, змиттер которого подключен к общей шине устройства, база через первый резистор, а коллектор через последовательно соединенные второй и третий резисторы подключены к шине первого источника питани , второй транзистор, коллектор кот(Ч)ого через четвертый резистор {юдключен к шине первого источника питани , а через последовательно соединенные первый кондассатор и п тый резистор - к базе первого транзистора, третий транзистор. 3 коллекторно-базовый переход которого подключен параллельно второму конденсатору, одна из обкладок которого подключена к общей шине устройства, эмиттер третьего транзистора через шестой резистор подключен к шине второго источника питани , а .коллектор соединен с эмиттером второго, транзистора, первый и второй диоды, введен Ьграничительный элемен, подключенньш парал лельно переходу база-эмиттер второго транзйстора , база которого через первый диод . подключена к точке соединени , второго и третьего транзисторов, а второй диод подкдют чен параллельно переходу база-эмиттер первого транзистора. ;, На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема устройства. Устройство содержит транзистор 1, пер&Ь1Й: 2, второй 3 и третий 4 резисторы, второй транзистор 5, четвертый резистор 6, первый конденсатор 7, п тый резистор 8, третий тран зистор 9, второй конденсатор Ю, шестой резистор И, ограничительный элемент 12 и дио ды 13 и 14. Устройство работает следующим образом. При подаче питающего напр жени  происходит зар д второго конденсатора 10 (обратный ход пилообразного напр жени ) через резистор 6 и транзистор 5. Транзистор 5 находитс  в насьоценном состо нии, а транзистор 1 - в закрытом. При зар де конденсатора 10 до напр жени , по величине близкого напр жению питани , происходит лавинообразное запирание транзистора 5 и отпирание транзистора 1 и начинаетс  разр д второго кондшсатора 10 через токостабилйзирзнщий транзистор 9. Когда .напр жение на переходе эмиттербаза транзистора 5 становитс  приблизителшо равным нулю, последний приоткрываетс , что привод т к уменьшению тока транзисто .ра 1. Происходит лавинообразное запирание транзистора 1 и насыщение транзистора 5. образом, процесс формировани  линейно измен ющегос  напр жени  на кс зденсаторе. 10 пбЬтор етс . Обратное напр жение на переходе эмиттербаза транзистора 5 имеет значителшо меньшую величину, чем в известном, что позвол ет по .выешь амплитуду выходного напр жени . Дл  защиты от пробо  приме;{ены диод 13 и ограничительный элемент 12. Величина сопротивлени  диода, наход щегос  под обратным напр жением, имеет большую величину. В то же врем  щюд не преп тствует прохождению базового тока открытого транзистора 5. Таким образом, обратное напр жение на переходе эмиттер база транзистора 1 равно пр мому падению напр жени  на диоде 14, а на пер ходе эмиттер-база транзистора 5 равно падению напр жз1и  на ограничительном злементе 12... Формула изобретени  линейно измен ющегос  напр жени , содержащий первый транзистор, эмиттер которого подключен к общей щине устройства база через первый резистор, а коллектор через последовательно сое191ненные второй и третий резисторы подключены к шине первого источника питани , второй транзистор, коллектор которого через четвертый резистор подключен к 1шше первого источника питани , а через последоватетно соединенные первый конденсатор и п тый резлсюр - к базе первого транзистора , третий транзистор, коллекторно-базовый пе{)еход подключен параллельно вт(фому конденсатору, одна из обкладок которого подключ а к общей шине устройства, эмиттер третьего транзистора через шестой резистор подключен к шине второго источни-: .ка питани , а коллектор соединен с эмиттером второго транзистора, первый и второй диоды, о т л и ч а.ю щ и и с   тем, что, с целью повышени  амплитуды выходного напр жени , в него введен ограничэтельный элемент, подключ енный парадле11ьн6 переходу база -эмиттер второго транзистора, база которого через Первый д;иод подклнмета к точке соединени  второго и третьего резисторов, а второй диод подключен параллельно переходу база-эмиттер первого транзистора. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское сввдетельство СССР N 441650, кл. Н 03 К 4/S8, 09.10.75.
2. 2.С|фавочник по импульсной технике. Под ред. В. Н. Яковлева, Киев, Техника, 1973, с. 435, рис. 13.6.

   О 4о -