SU444243A1

SU444243A1 - Memory element

Info

Publication number: SU444243A1
Application number: SU1393404A
Authority: SU
Inventors: Виктор Игоревич Старосельский; Александр Николаевич Сапельников
Original assignee: Московский Инженерно-Физический Институт
Priority date: 1970-01-06
Filing date: 1970-01-06
Publication date: 1974-09-25

Description

1one

Изобретение относитс к заноминающим устройствам.This invention relates to zanomination devices.

Известен запоминающий элемент, содержащий диод Ганна и конденсаторы. Однако этому элементу свойственны малый диапазон устойчивой работы, жесткие допуски на напр жение питани и плоха помехозащищенность.Known storage element containing a Gunn diode and capacitors. However, this element is characterized by a small range of stable operation, tight tolerances for supply voltage and poor immunity to interference.

В предлагаемом запоминающем элементе последовательно с диодом Ганна включен дополнительный диод Ганна, щунтированный конденсатором, что позвол ет расширить область устойчивой работы.In the proposed storage element, in series with a Gunn diode, an additional Gunn diode connected by a capacitor is switched on, which makes it possible to expand the area of stable operation.

На фиг. 1 изображена схема запоминающего элемента; на фиг. 2 - вольтамперна характеристика домена сильного пол .FIG. 1 shows a diagram of a storage element; in fig. 2 - volt-ampere characteristic of the domain of the strong sex.

Описываемый запоминающий элемент состоит из двух одинаковых последовательно соединенных диодов 1 и 2 Ганна, один из которых защунтирован конденсатором 3. Диоды подключены к источнику 4 посто нного напр жени и, величина которого иревыщает удвоенное значение порогового напр жени Urn каждого диода.The storage element described consists of two identical Gann diodes 1 and 2 in series, one of which is grounded by a capacitor 3. The diodes are connected to a constant voltage source 4 and the value of which doubles the threshold voltage Urn of each diode.

При такой ситуации в одном из диодов об зательно существует домен сильного пол . ВIn such a situation, in one of the diodes a strong-field domain necessarily exists. AT

другом диоде домен отсутствует, так как ток /о диода, содерл ащего домен, примерно вдвое меньще порогового значени 1т- После исчезновени домена на аноде диода новый доменanother diode, the domain is absent, since the current / o diode containing the domain is approximately half the threshold value of 1m. After the domain at the anode of the diode disappears, the new domain

возбуждаетс в том же диоде конденсатором 3. Изменить состо ние элемента можно путем подачи импульса соответствующей пол рности в точку соединени диодов через конденсатор 5, при этом в состо ние генерации перейдет другой диод.It is excited in the same diode by a capacitor 3. The state of the element can be changed by applying a pulse of the corresponding polarity to the connection point of the diodes through the capacitor 5, while another diode will go into the generation state.

Считывание состо ни запоминающего элемента можно производить либо с помощью емкостных контактов к диодам 1 и 2 (на чертеже не показаны), либо путем регистрации потенциала точки соединени диодов.The reading of the state of the storage element can be made either by using capacitive contacts to the diodes 1 and 2 (not shown), or by recording the potential of the point of connection of the diodes.

Предмет изобретени Subject invention

Запоминающий элемент, содержащий диод Ганна и конденсаторы, отличающийс тем, что, с целью расширени области устойчивой работы, в него последовательно с диодом Ганна включен дополнительный диод Ганна , шунтированный конденсатором.A storage element containing a Gunn diode and capacitors, characterized in that, in order to expand the area of stable operation, an additional Gunn diode, shunt by a capacitor, is included in it in series with the Gunn diode.