SU372578A1

SU372578A1 - MEMORY ELEMENT ^ f ^ -ff ^; ri-iill, lt ..-, i i Л-Б! ^^? ^ •

Info

Publication number: SU372578A1
Application number: SU1700369A
Authority: SU
Inventors: Р. И. Клейнерман витель Б. А. Калабеков
Original assignee: Московский Ордена Трудового Красного Знамени Электротехнический Институт
Priority date: 1971-09-29
Filing date: 1971-09-29
Publication date: 1973-03-01

Description

1one

Предложенное устройство относитс к области вычислительной техники.The proposed device relates to the field of computing.

Известны элементы пам ти, содержащие диоды Ганна, подключенные одними электродами к разнопол рным клеммам источника питани , резистор и конденсатор.Memory elements are known that contain Gunn diodes connected by the same electrodes to different polarity terminals of the power source, a resistor and a capacitor.

Однако такие устройства сложны и недостаточно надежны в работе.However, such devices are complex and not reliable in operation.

Предложенный элемент пам ти отличаетс тем, что в нем другие электроды диодов Ганна соединены между собой и подключены через резистор к входному выводу элемента, а через конденсатор - к клемме нулевого потенциала источника питани .The proposed memory element is characterized in that in it other Gunn diode electrodes are interconnected and connected via a resistor to the input terminal of the element, and through a capacitor to the zero potential terminal of the power supply.

Это позвол ет значительно упростить устройство и повысить его надежность.This makes the device much simpler and more reliable.

На чертеже изображена принципиальна электрическа схема предложенного элемента пам ти.The drawing shows a circuit diagram of the proposed memory element.

Он содержит диоды Ганна /, 2, подключенные соответственно к разнопол рным клеммам 3, 4 источника питани , а также резистор 5, соединенный с входным выводом 6 элемента , и конденсатор 7 соединенный с клеммой нулевого потенциала 8 источника питани и выходным выводом 9 элемента.It contains Gunn diodes, 2, connected to the opposite-polarity terminals 3, 4 of the power supply respectively, as well as a resistor 5 connected to the input terminal 6 of the element, and a capacitor 7 connected to the zero potential terminal 8 of the power supply and output terminal 9 of the element.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

При подаче на клеммы 3, 4 питающего напр жени п и на клеммы 6, 8 управл ющего сигнала Еу в одном из диодов возникает домен , что обуславливает переход данного диода в режим ограничител тока. При этом напр жение на другом диоде оказываетс ниже порогового , поэтому негенерирующий домен диод представл ет собой лишь пассивную нагрузку дл генерирующего. После сн ти сигнала EJ конденсатор 7, сохран напр жение на своих обкладках неизменным за врем гашени домена, обеспечивает благопри тные услови дл зарождени нового домена именно в ранее генерирующем его диоде.When a supply voltage p and terminals 6, 8 are applied to the terminals 3, 4 of the control signal Ey, a domain arises in one of the diodes, which causes the transition of this diode to the current limiter mode. In this case, the voltage on the other diode is below the threshold, so the non-generating domain of the diode is only a passive load for the generating one. After the removal of the signal EJ, the capacitor 7, keeping the voltage on its plates unchanged during the domain quenching, provides favorable conditions for the generation of a new domain in the diode that previously generated it.

Схема предложенного элемента пам ти обладает двум устойчивыми состо ни ми. Одно устойчивое состо ние характеризуетс тем, что генерирующим домен вл етс диод 2. При этом напр жение на конденсаторе 7 и, следовательно, на выходе элемента имеет положительную пол рность. Другое устойчивое состо ние предполагает генерирующим домен диод /. В этом случае выходное напр жение элемента характеризуетс отрицательной пол рностью .The scheme of the proposed memory element has two stable states. One stable state is characterized by the fact that the diode 2 is the generating domain. The voltage across the capacitor 7 and, therefore, at the output of the element has a positive polarity. Another steady state implies a diode generating a domain. In this case, the output voltage of the element is characterized by a negative polarity.

Таким образом, предложенный элемент пам ти имеет потенциальную форму представлени дискретной информации.Thus, the proposed memory element has the potential form of representing discrete information.

Предмет изобретени Subject invention

Элемент пам ти, содержащий диоды Ганна, подключенные одними электродами к разнопол рным клеммам источника питани , резистор и конденсатор, отличающийс тем, что, с целью повышени надежности работы устройства , в нем другие электроды диодов Ганна соединены между собой и подключены через резистор к входному выводу элемента, а через конденсатор - к клемме нулевого потенциала источника питани .A memory element containing Gunn diodes connected by the same electrodes to different polarity terminals of the power source, a resistor and a capacitor, characterized in that, in order to increase the reliability of the device, it contains other Gunn diodes interconnected and connected through a resistor to the input terminal element, and through a capacitor - to the terminal of the zero potential of the power source.

3 3