SU441487A1

SU441487A1 - Method for measuring single crystal diffraction angles

Info

Publication number: SU441487A1
Application number: SU1855094A
Authority: SU
Inventors: Эрнст Константинович Ковьев; Александр Сергеевич Фокин
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5594
Priority date: 1972-12-12
Filing date: 1972-12-12
Publication date: 1974-08-30

Description

Изобретение относитс к рентгеновской дифрактометрии и может найти применение в рентгенографии дл прецизионного определени периодов решетки,, структурных несовершенств кристаллов и т.д.The invention relates to X-ray diffraction and can be used in X-ray diffraction for the precise determination of lattice periods, structural imperfections of crystals, etc.

Известен способ измерени углов дифракции монокристаллов с использованием двухкристального спектрометра цутем измерени смещени дифракционных максимумов этало11ного и исследуемого монокристаллов дл определешшх кристаллографической плоскости и-длины вошш рентгеновского излучени . Однако в процессе измерени известным способом необходимо последовательно смен ть эталонный и исследуемый кристаллы, что требует значительных затрат времени и снижает надежность измерений.A known method for measuring single crystal diffraction angles using a two-crystal spectrometer is used to measure the displacement of the diffraction maxima of the reference and investigated single crystals for the determined crystallographic plane and the x-ray luster length. However, in the measurement process in a known manner, it is necessary to successively change the reference and test crystals, which requires a considerable amount of time and reduces the reliability of measurements.

Цель изобретен11Я - по:рысить экспрессность и надежность измерений . - .......The goal of the invention - by: to haul rapid and reliable measurements. - .......

Цель достигаетс тем, что приThe goal is achieved by the fact that

измерении по предлагаемощ способу через слабо поглощающий рентгеновские лучи эталонный кристалл пропускают первичный и дифрагированный исследуемым кристаллом пучки, производ т колебани эталонного кристалла и измер ют угол между его положешшми, в которых имеют место м шшдумы интенсивности диафрагированного исследуемым кристал0 лом пучка.measuring by the proposed method, the reference crystal is passed through the primary and diffracted by the investigated crystal beams, weakly absorbing X-rays, the reference crystal oscillates and the angle between its position is measured, in which the intensity beam of the investigated crystal crystal is measured.

На чертеже приведена оптическа схема, иллюстрирующа предла- : гаемый способ.The drawing is an optical diagram illustrating the proposed method.

Исследуемый присталл уста5 навливают в отратащее положение. Эталонный кристалл 2, углы дифракции которого известны с большой точностью и который слабо поглощает рентгеновские лучи, установлен Researched pristal mouth5 is poured into a negative position. The reference crystal 2, the diffraction angles of which are known with great precision and which weakly absorbs x-rays, is set

0 таким образом, чтобы первичный 3 и дь1фрагированный 4 пучки проходили через него. Затем производ т колебани эталонного кристалла 2, причем он последовательно попадает 5 в оттвтаюиме положени по отношению к первичному 3 и дифрагщюванному 4 исследуемым кристаллом пучкам (соответственно положени 2а и 26), этих положени х регистрируй рций прибор 5 рнссирует ослабление интенсивности дифрагированного | пучка 4. Угол об между положени ми эталонного кристалла 2а и 26 равен 20JH, где ©9 - угол дифракции эталонного кристалла 2, а QHугол дифракции исследуеж1Гй кристалла i,0 in such a way that the primary 3 and the 4-framed 4 beams pass through it. Then, the reference crystal 2 is oscillated, and it successively hits 5 in the rational position with respect to the primary 3 and the diffraction of 4 beams studied by the crystal (respectively, position 2a and 26), the device 5 registering the attenuation of the intensity of the diffracted | beam 4. The angle between the positions of the reference crystal 2a and 26 is equal to 20 JH, where © 9 is the diffraction angle of the reference crystal 2, and QH is the diffraction angle of the iHD crystal i,

ПЩЩЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯINVENTIONS

Способ измерени углов дифракции монокристаллов закл1(навдшс Method of measuring diffraction angles of single crystals of CLR1 (above

в том, что определ ют угловое смещение дифракционных картин исследуемого и эталонного монокристаллов, отличающийс тем, что,in that determine the angular displacement of the diffraction patterns of the investigated and reference single crystals, characterized in that

о целью повышени экспрессноети и надежности изме рений, через слабо поглощащий рентгеновские лучи эталонный монокристалл пропускают одновременно первичный и дифрагированный исследуемым монокристаллом пучки, производ т колебание эталонного монокристалла и измер ют угол между его положени ми, в которых ;имеют место минш/ умы интенсивностиThe goal is to improve the expressiveness and reliability of measurements, the reference single crystal is passed through the X-ray-absorbing reference single crystal, which simultaneously passes the primary and diffracted beams of the monocrystal under study, oscillates the reference single crystal and measures the angle between its positions in which the min / intensity intensity occur

дифрагированного исслед1уемым монокристаллом пучрса.diffracted single crystal of the beam.