SU425132A1

SU425132A1 - Емкостной способ определения параметровматериала

Info

Publication number: SU425132A1
Application number: SU1636289A
Authority: SU
Original assignee: И. Г. Матис Институт механики полимеров Латвийской ССР
Priority date: 1971-03-23
Filing date: 1971-03-23
Publication date: 1974-04-25

Description

1

Изобретение относитс к измерительной технике, а именно к нзлгерснию диэлектрических и геометрических нараметров материалов емкостным способом.

Известен способ измерени диэлектрических свойств материала, основанный на измерении нараметров измерительного конденсатора при двух различных глубинах проникновени электрического пол в исследуемом материале , соответствующих различным раснределени м напр женности электрического нол в нем и определении результата но разности полных измеренных сопротивлений.

Однако известный способ. излмерени не позвол ет измер ть один диэлектрический параметр с исключением вли ни одного геометрического параметра.

Целью изобретени вл етс обеспечение возможности многопараметрового контрол диэлектрических и геометрических параметров слоистых сред.

Сущность способа заключаетс в том, что периодически измен ют глубину проникновени электрического пол в исследуемый материал между двум крайними значени ми, снимают амплитудно-временные осциллограммы параметров конденсатора в эталонной однородной и в исследуемой среде и по характеристикам обеих осцилограмм определ ют интересующие диэлектрические и геометрические параметры.

Супцюсть изобретени по снена примером применени способа дл двухпараметрового контрол диэлектрической проницаемости и толщины исследуемого материала.

На фиг. 1 приведены кривые изменени емкости конденсатора С от толщины d материала; на фиг. 2 - изменение емкости конденсатора С во времени t; на фиг. 3 - схема установки обкладок измерительного конденсатора на поверхности исследуемого материала.

Кривые изменени емкости конденсатора в зависимости от толщины материала (см. фиг. ) приведены только дл трех значениС глубины проникновени электрического пол в исследуемый материал: дл среднего значепи (крива 1). дл минимального значени (крива 2) и дл максимального значени (крива 3).

С целью упрощени на фнг. 1 не нриведены другие нромежуточные значени глубин проникновени пол при непрерывном ее изменении (в простейщем случае достаточно не менее двух фнксированных значений глубин проникновени ). Дл частного значени толп ,ины материала и периодическом изменении глубины проникновени электрического пол емкость конденсатора измен етс от

среднего значени (точка а на кривой 1), до максимального (точка б на кривой 2) и до минимального значени (точка в на кривой 3). Развертку этого процесса во времени дает график 4, приведенный на фиг. 2.

В данном примере диапазон изменени толщины Дй подобран на участке кривых изменени емкости, где чувствительность конденсатора к толщине материала одинакова. Поэтому изменение только толщины материала вызывает изменение среднего значени Со конденсатора, амплитудное значение остаетс посто нным.

Изменение только диэлектрической проницаемости вызывает изменение емкости конденсатора от среднего значени а на кривой 5 до максимального значени б на кривой б и до минимального значени в на кривой 7. Следовательно, изменитс как амплитудное значение, так и среднее значение Со емкости .конденсатора (крива 8 на фиг. 2).

Таким образом, зна амплитудное и среднее значение емкости конденсатора при периодически измен ющейс глубине проникновени электрического пол , можно одновременно определить два параметра: диэлектрическую проницаемость и толщину контролируемого материала.

Более подробное исследование формы осциллограмм параметров измерительного конденсатора с периодически измен ющейс глубиной проникновени пол даст возможность определить более, чем два параметра.

Предмет изобретени

Claims

1. Емкостной способ определени параметров материала, основанный на измерении характеристик заполненного исследуемым материалом измерительного конденсатора при двух глубинах проникновени электрического

пол в материале, отличающийс тем, что, с целью обеспечени возможности многопараметрового контрол диэлектрических и геометрических параметров слоистых сред, осуществл ют периодическое изменение глубины проникновени электрического пол в исследуемый материал между двум крайними значени ми, снимают амплитудно-временные осциллограммы параметров конденсатора в эталонной однородной и в исследуемой

среде и по характеристикам обеих осциллоrpaMiM определ ют интересующие диэлектрические и геометрические параметры.

2.Способ по п. 1, отличающийс тем, что изменение глубины проникновени пол

в однородной среде производ т по синусоидальному закону.

3.Способ по п. 1, отличающийс тем, что емкость измерительного конденсатора при периодическом изменении глубины проникновепи пол в однородной среде поддерживают посто нной.