SU411607A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU411607A1
SU411607A1 SU1766396A SU1766396A SU411607A1 SU 411607 A1 SU411607 A1 SU 411607A1 SU 1766396 A SU1766396 A SU 1766396A SU 1766396 A SU1766396 A SU 1766396A SU 411607 A1 SU411607 A1 SU 411607A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
gate
drain
source
bus
Prior art date
Application number
SU1766396A
Other languages
Russian (ru)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1766396A priority Critical patent/SU411607A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU411607A1 publication Critical patent/SU411607A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

1one

Предлагаемое изобретение относитс  к области вычислительной техники и, в частности, может найти применение при построении цифровых интегральных схем на МДП-транзисторах .The present invention relates to the field of computing technology and, in particular, can be used in the construction of digital integrated circuits on MOS transistors.

Известны триггеры на МДП-транзисторах, содержащие два переключаюш,их транзистора , затвор каждого из которых соединен со стоком другого переключаюп его транзистора, вентильный транзистор, у которого исток подключен ко входной шине, а затвор - к шине записи информации и к истоку первого переключающего транзистора.Known triggers on MOS transistors, containing two switches, their transistors, the gate of each of which is connected to the drain of the other switch of its transistor, the gate transistor, whose gate is connected to the input bus, and to the source of the first switching transistor .

С целью упрощени  и повыщени  надежности предлагаемое устройство содержит дополнительный транзистор, у которого исток и сток соединены соответственно с истоком и стоком первого переключающего транзистора, а затвор дополнительного транзистора подключен к стоку вентильного транзистора.In order to simplify and increase reliability, the proposed device contains an additional transistor, in which the source and drain are connected respectively to the source and drain of the first switching transistor, and the gate of the additional transistor is connected to the drain of the gate transistor.

Па чертеже представлена схема предлагаемого триггера.Pa drawing presents the scheme of the proposed trigger.

Предлагаемый триггер построен на МДПтранзисторах 1-6. Нагрузочный транзистор 1 и переключающий транзистор 2 образуют первый инвертор, а нагрузочный транзистор 3 и переключающий транзистор 4 - второй инвертор. Выходы инверторов перекрестно св заны со входами. Параллельно переключающему транзистору 2 включен дополнительный транзистор 5, затвор которого соединен со стоком вентильного транзистора 6, его исток, соединенный с истоком переключающего транзистора 2, подключен к щине 7 записи информации, а сток, соединенный со стоком транзистора 2, подключен к выходной щине триггера. Кроме того, предлагаемый триггер содержит вторую выходную шину 9, конденсатор 10, образованный емкостью узла затвора транзистора 5, информационную входную щину 11 и щину питани  12.The proposed trigger is built on MDPtransistors 1-6. The load transistor 1 and the switching transistor 2 form the first inverter, and the load transistor 3 and the switching transistor 4 form the second inverter. The inverter outputs are cross-linked to the inputs. Parallel to the switching transistor 2, an additional transistor 5 is turned on, the gate of which is connected to the drain of the gate transistor 6, its source connected to the source of the switching transistor 2 is connected to the information recording bus 7, and the drain connected to the drain of the transistor 2 is connected to the trigger output pin. In addition, the proposed trigger contains a second output bus 9, a capacitor 10 formed by the capacitance of the gate node of the transistor 5, the information input bar 11 and the power bar 12.

Схема работает следующим образом.The scheme works as follows.

В исходном положении щина 7 подключенаIn the initial position, a field 7 is connected

к общей щине через низкое выходное сопротивление источника сигналов записи информации . При этом вентильный транзистор 6 закрыт , а транзисторы 1-4 образуют триггерную  чейку, в которой хранитс  записанноеto the common bus through the low output impedance of the source information recording signals. In this case, the gate transistor 6 is closed, and the transistors 1-4 form a trigger cell, in which the recorded

ранее значение информации. Перепись информации осуществл етс  при поступлении на щину 7 высокого потенциала, открывающего вентильный транзистор 6 и пропускающего на затвор дополнительного транзистора 5earlier value information. The information is copied when a high potential arrives at the bus 7, which opens the gate transistor 6 and transmits an additional transistor 5 to the gate

входной сигнал с щины 11. Так как при этом истоки транзисторов 2 и 5 отключены от общей щины, то на выходной щине устанавливаетс  высокий уровень напр жени , открывающий переключающий транзистор 4, чтоthe input signal is of length 11. Since, at the same time, the sources of transistors 2 and 5 are disconnected from the common ground, a high voltage level is established on the output bus opening the switching transistor 4, which

приводит к принудительной установке низкого уровн  напр жени  на выходной шине 9 и затворе переключающего транзистора 2.leads to a low voltage setting on the output bus 9 and the gate of the switching transistor 2.

По окончании импульса записи на шипе 7 восстанавливаетс  низкий потенциал, закрываетс  вентильный транзистор 6, и входна  информаци , задержанна  на копденсаторе 10 узла затвора транзистора 5, переписываетс  на выходной шине 9 триггера.At the end of the write pulse on the spike 7, a low potential is restored, the gate transistor 6 is closed, and the input information delayed on the synchronizer 10 of the gate node of the transistor 5 is rewritten on the trigger 9 output bus.

Предмет изобретени Subject invention

Триггер на МДП-транзисторах, содержащий два переключающих транзистора, затвор каждого из которых соединен со стоком другого переключающего транзистора, вентильный транзистор, у которого исток подключен к входной шине, а затвор - к шине записи информации и к истоку первого переключающего транзистора, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности и упрощени  устройства, он содержит дополнительный транзистор, у которого исток и сток соединены соответственно с истоком и стоком первого переключающего транзистора, а затвор дополнительного транзистора подключен к стоку вентильного транзистора.A trigger on MIS transistors containing two switching transistors, the gate of each of which is connected to the drain of another switching transistor, a gate transistor whose source is connected to the input bus, and the gate to the information recording bus and to the source of the first switching transistor, differing in that, in order to increase reliability and simplify the device, it contains an additional transistor, whose source and drain are connected respectively to the source and drain of the first switching transistor, and the gate is complemented nogo transistor connected to the drain valve transistor.

SU1766396A 1972-03-31 1972-03-31 SU411607A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1766396A SU411607A1 (en) 1972-03-31 1972-03-31

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1766396A SU411607A1 (en) 1972-03-31 1972-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU411607A1 true SU411607A1 (en) 1974-01-15

Family

ID=20508684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1766396A SU411607A1 (en) 1972-03-31 1972-03-31

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU411607A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1194754A (en) Semiconductor Bistable Circuit Arrangements
US4017741A (en) Dynamic shift register cell
KR870001599A (en) Output buffer circuit of memory
KR970012696A (en) Ferroelectric memory device
GB1370934A (en) Electrical delay devices
ES366284A1 (en) Capacitor charge transferring arragements and circuits
US3619670A (en) Elimination of high valued {37 p{38 {0 resistors from mos lsi circuits
US3509379A (en) Multivibrators employing transistors of opposite conductivity types
US4366400A (en) Delay gate circuit
GB1459951A (en) Shift registers
SU411607A1 (en)
US3708688A (en) Circuit for eliminating spurious outputs due to interelectrode capacitance in driver igfet circuits
KR880011805A (en) Semiconductor integrated circuit
GB1435347A (en) Digital shift register
US4016430A (en) MIS logical circuit
US3808458A (en) Dynamic shift register
SU462274A1 (en) Trigger with counting input on transistors
GB1336927A (en) Semiconductor circuits
SU369717A1 (en) ACCOUNT TRIGGER ON MDN-TRANSISTORS
SU1015435A1 (en) Reading amplifier
SU1140245A1 (en) Amplifier-conditioner of output signals of read-only storages based on metal-oxide-semiconductor transistors
SU657594A1 (en) Mos transistor-based dynamic flip-flop
SU414740A1 (en) LOGICAL ELEMENT
SU762190A1 (en) Readout amplifier
SU1026291A1 (en) Mds-transistor t-flip-flop