SU409975A1

SU409975A1 -

Info

Publication number: SU409975A1
Application number: SU1722597A
Authority: SU
Priority date: 1971-12-09
Filing date: 1971-12-09
Publication date: 1974-01-05

Description

Изобретение относитс к области нроНзводства стекла, примен емого в электронной промышленности.The invention relates to the field of the manufacture of glass used in the electronics industry.

Известна композици дл изготовлени переключающих и запоминающих элементов на основе стекла, включающего VaOs и PjOs, не обеспечивает стабильности работы электронных приборов при повышенных темнературах и требует специальных условий дл проведени синтеза.The known composition for the manufacture of switching and storage elements based on glass, including VaOs and PjOs, does not ensure the stability of the operation of electronic devices at elevated temperature and requires special conditions for carrying out the synthesis.

Целью изобретени вл етс обеспечение стабильности эффектов переключени и запоминани элементов.The aim of the invention is to ensure the stability of switching and storing elements.

Это достигаетс тем, что композици дополнительно содержит VOz в количестве 7-35 вес. ч. на 100 вес. ч. стекла, а стекло дополнительно содержит WOa и 5Ь2Оз при следующем соотношении компонентов (вес. %): V2Os30-50This is achieved in that the composition additionally contains VOz in an amount of 7-35 wt. hours per 100 weight. glass, and the glass additionally contains WOa and S2O3 in the following ratio of components (wt.%): V2Os30-50

PaOs15-30PaOs15-30

WOa20-40WOa20-40

SbsOs10-15SbsOs10-15

Активные элементы получают путем напылени смесн стекла с двуокисью ванади методом высокочастотного плазменного раснылени на кремниевые или графитовые подложки . При этом, в зависимости от содержани в композиции VO2, получаемые элементы могут иметь свойства переключател или элемента с «пам тью.The active elements are obtained by spraying a mixture of glass with vanadium dioxide by high-frequency plasma separation on silicon or graphite substrates. At the same time, depending on the content of VO2 in the composition, the resulting elements may have the properties of a switch or a memory element.

ii

Например, композици (вес. %):For example, composition (wt.%):

VaOgVaOg

PaOsPaOs

WOaWOA

SbsOaSbsoy

следующие физико-химические сьойимеет ства:The following physico-chemical properties:

Коэффициент линейногоLinear coefficient

термического расширени 69 - КН Г/С Температура деформации455°Сthermal expansion 69 - KN G / C Deformation temperature 455 ° С

Удельное электрическое сопротивление нрн t 2 КР ом IM Энерги активации электропроводности1 ,04 Э1. Элементы, нолученпые на основе оннсанно) комнозиции, обладают стабильностью, нозвол ют регулировать свойства от пере1сл1Очающ .их до запоминаюш.их.Electrical resistivity nrn t 2 CR ohm IM Activation energies of electrical conductivity1, 04 E1. Elements derived from onsano-compositing are stable, but they can adjust the properties from the front to the bottom of the memory.

П р е д м е т и з о б j.) к т к н и PREDOMET and z about b j.) To the t to n and

Композици дл изготовлени переключающих и запоминающих элементов па основе стекла, включающего 205 и PzO-,, отличающа с тем, что, с целью обесиечени стабильности эффектов переключени и запоминани , она дополнительно содержит VOg вA composition for making switching and storage elements on a glass-based basis comprising 205 and PzO-, characterized in that, in order to ensure the stability of switching and storing effects, it additionally contains VOg in

3434

количестве 7-35 вес. ч. на 100 вес. ч. стекла,V2O530-50the number of 7-35 weight. hours per 100 weight. including glass, V2O530-50

а стекло дополнительно содержит WOs иР2О515-30and the glass additionally contains WOs iP2O515-30

SbgOs при следующем соотношении компонеи-WOs20-40SbgOs in the following ratio komponey-WOs20-40

тов (вес. %):SbgOa10-15.comrade (wt.%): SbgOa10-15.

40d97S40d97S