SU401258A1 - ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ - Google Patents
ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙInfo
- Publication number
- SU401258A1 SU401258A1 SU1663113A SU1663113A SU401258A1 SU 401258 A1 SU401258 A1 SU 401258A1 SU 1663113 A SU1663113 A SU 1663113A SU 1663113 A SU1663113 A SU 1663113A SU 401258 A1 SU401258 A1 SU 401258A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- radiation
- source
- thicknessers
- coating
- sources
- Prior art date
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к радиоактивным источникам р-излучеии , предназначенным дл толщиномеров тонких покрытий, анализаторов состава тонких покрытий, измерителей толщины тонких нлепочиых материалов, измерителей плотности тазовых сред и др.
При контроле покрытий в области малых
о
ТОЛЩИН (100-2000 А) по методу регистрации обратно рассе иного ,р-излучени и при контроле состава покрытий, толщина которых меньще 12 мг/см, а также при контроле плотности газовых сред необходимы источники м гкого |3-излучени . Обычно эти источники необходимо помещать в коллиматоры малых размеров с малым отверстием выходного канала дл обеснечени возможности контрол вышеуказанных нараметров (толщины, состава , плотности и др.) на малых площад х.
Известные конструкции плоскостных, днековых кольцевых и точечных источников р-излучени , серийно выпускаемых нромышленностью , не обеспечиватот достаточной интенсивности потока р-излучени на выходе из канала коллиматора с малым отверстием. При использовании рассеивающих коллиматоров дл см гчени энергии .р-частиц, выход щих из канала, }1едостаточность интенсивности потока про вл етс еще больше, чем в колли.маторах с потоком пр мого р-излучег .и . Повышение интенсивности пр мого, а в особенности см гченного р-излученн вл етс актуальной задачей при разработке источников р-излучеии дл радиоизотопных ириборов .
Цель изобретени - увеличение интенсивности истока см .гченного излучени . Указанна цель достигаетс тем, что подложка дл радиоактивного препарата выполнена в виде усеченного конуса с ребристой боковой поверхностью , причем радиоакт1 вный препарат нанесен на меньшее основание и на боковую поверхность подложки с внутренней стороны.
На фиг. 1 ноказан источник р-излучеии ; на фиг. 2 - источник р-излучени в рассепвающе .м коллиматоре.
В качестве примера можио иривести источник р-нзлучени иа ос1юве Р „ с максимальной энергией р-спектра 223 кэв. Самопоглощение м гкого р-излучени в активном слое лимнтирует величииу интенсивности выходного нотока от источииков на плоской подложке заданных малых размеров. Кроме того, дл целей контрол тонких покрытий необходим поток р-излучени преимущественно с более м гким спектром. В предлагаемом источнике эта задача решепа путем создани подложки такой формы, котора обеспечивает достаточно большую поверхность актив
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1663113A SU401258A1 (ru) | 1971-05-24 | 1971-05-24 | ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1663113A SU401258A1 (ru) | 1971-05-24 | 1971-05-24 | ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU401258A1 true SU401258A1 (ru) | 1974-05-05 |
Family
ID=20477193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1663113A SU401258A1 (ru) | 1971-05-24 | 1971-05-24 | ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU401258A1 (ru) |
-
1971
- 1971-05-24 SU SU1663113A patent/SU401258A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zahradnik et al. | scCVD diamond membrane based microdosimeter for hadron therapy | |
| US2604596A (en) | Bombardment induced conductivity in solid insulators | |
| SU401258A1 (ru) | ИСТОЧНИК р-ИЗЛУЧЕНИЯ, НАПРИМЕР, ДЛЯ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ | |
| JPS5512500A (en) | Partial pressure meter of oxygen | |
| JPS5231762A (en) | Method of measuring thickness and composition of thin film formed on s ubstrate | |
| JPS5253665A (en) | Semiconductor device | |
| JPS52134786A (en) | Radiation detector | |
| Ishiyama et al. | In situ lithium diffusion measurement in solid ionic conductors using short-lived radiotracer beam of 8Li | |
| Moriyama | Studies on X-agent. XVI. The nature of transmittance change induced by X-agent in frosted glass surface | |
| JPS5340195A (en) | Irradiating method of radioactive ray | |
| JPS5372470A (en) | Semiconductor device | |
| JPS57102008A (en) | Control of warp of semiconductor wafer | |
| JPS5293279A (en) | Forming method for silicon gate electrode | |
| JPS52143019A (en) | Developing agent for positive type radiation sensitive material | |
| JPS5220771A (en) | Manufacturing method of semi-conductor unit | |
| JPS556841A (en) | Planar type semiconductor device | |
| JPS5370769A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS5227995A (en) | Rotating device for electron beam irradiation | |
| JPS5448174A (en) | X-ray exposure device | |
| JPS5361303A (en) | Formation method of protecting layer of recording member | |
| JPS52109923A (en) | Photographic material | |
| JPS5442987A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH01153979A (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
| David | Thermoluminescence of quartz. Part XII. Effect of neutron irradiation. | |
| JPS57112091A (en) | Semiconductor luminescent device |