SU384132A1 - Схема формирования стробирующих импулбсов для магнитных запоминающих устройств - Google Patents

Схема формирования стробирующих импулбсов для магнитных запоминающих устройств

Info

Publication number
SU384132A1
SU384132A1 SU1635259A SU1635259A SU384132A1 SU 384132 A1 SU384132 A1 SU 384132A1 SU 1635259 A SU1635259 A SU 1635259A SU 1635259 A SU1635259 A SU 1635259A SU 384132 A1 SU384132 A1 SU 384132A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
scheme
output
circuit
formation
input
Prior art date
Application number
SU1635259A
Other languages
English (en)
Inventor
Д. Г. Нисневич Б. А. Пробатов В. А. Левин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1635259A priority Critical patent/SU384132A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU384132A1 publication Critical patent/SU384132A1/ru

Links

Landscapes

  • Digital Magnetic Recording (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к вычнслительной технике.
Известна схема формировани  стробирующих импульсов дл  магнитных запоминающих устройств (ЗУ), в которой дл  формировани  стробирующего сигнала используетс  импульс со стробируюп1,его разр да накопител  информации , образованного двум  дифференниально включеиными элементами пам ти. В одном из указанных элементов записана «1, во втором - «О. Сигнал, снимаемый со стробирующего разр да, представл ет собой результат амплитудного суммировани  полезного сигнала и «помехи. Этот сигнал непосредственно подаетс  на вход усилител  считывани  дл  стробировани  и способствует устойчиво1му выделению нолезиого си-гпала на фоне «номех , обусловленных неидеальностью характеристик элементов пам ти магнитного накопител  информации.
Однако в магнитных ЗУ действуют номехн,  вл ющиес  следствием таких факторов, как паразитные емкости монтажа, индуктивность проводов и др. Эти факторы завис т от конструкции накопител , характеристик отдельных компонентов ЗУ и характера переходных процессов в нем при заниси и считывани  информации . Такие помехи нос т, как правило, характер затухаюи;его колебательного процесса , имеют зиачительную амплутуду (соизмеримую с сигналом «1) и по времени своего затухани  могут превзо1 1ти длительность импульса «1.
Цель изобретенн  - повысить надежность работы нредлагаемой схемы в щироком температурном- диапазоне.
Это достигаетс  введением логической цоночки , содержащей схему «НЕ и схему «11, причем выход «О элементов стробнрующего
разр да соединен со входом схемы «ИЕ, выход которой подключен на нервый вход схемы «И. Второй вход последней соединен с выходом «1 стробирующего разр да, а выход схемы «И подключен ко входу «запрета
усилител  считывани .
На чертеже представлена предлагаема  схема . Она содержит специальный стробирующий разр д /, вход щий в магнитный наконитель информации и образованный парой элементов пам ти, «запись информации в когэрые производитс  ио дифференциально включенной обмотке. «Онрос элементов стробирующего разр да происходит одновременно с информациониыми. Выходна  обмотка элемента стробирующего «разр да, в котором занисана «1, по шине 2 подключаетс  к одному входу логической схемы «И 3. Второй вход последней через логическую схему «НЕ 4 НО щине 5 соедии етс  с выходом второго
элемента стробнрующего разр да, в которо.м
записан «О. Выход логической схемы «И 3 соедин етс  со входами «запрета усилителей считывани  6, основные входы которых соедин ютс  с выходными цеп ми информационных разр дов накопител  информации.
Дл  выработки стробирующего сигнала в предлагаемом устройстве используютс  параллельно сигналы «1 и «О, вырабатываемые одновременно в стробирующем разр де /. Указанные сигналы обрабатываЕОтс  логическими устройствами 3 и 4 так, что сигнал «запрета, поступающий со схемы 3 на усилитель считывани  6, снимаетс  с последнего тогда, когда на выходе стробирующего разр да ./ действует только полезный сигнал, а «помеха либо полностью отсутствует, либо мала.
В остальное врем  с выхода логической схемы «И 3 на усилители считывани  6 постунает запрещающий сигнал, исключа  реакцию последних на любое входное воздействие.
Предлагаема  схема благодар  этому o6ei;печнвает устойчивое выделение полезной информации при воздействии различного рода «помех.
Предмет изобретени 
Схема формировани  стробирующих нмпульсов дл  магнитнг 1х запоминающих устройств , содержаща  стробирующий разр д в накопителе информации, соединенный со Bxciдом усилител  считывани , отличающа с  тем, что, с целью повышени  надежности ргботы схемы в широком температурном диапазоне , в нее введена логическа  цепочка, ссдержаща  схему «НЕ и схему «И, причем выход «О элементов стробирующего разр да соединен со входом схемы «НЕ, выход которой подключен на первый вход схемы «И, второй вход которой соединен с выходом «Ь стробирующего разр да, а выход схемы «И подключен ко входу «запрет усилител  считывани .
SU1635259A 1971-03-10 1971-03-10 Схема формирования стробирующих импулбсов для магнитных запоминающих устройств SU384132A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1635259A SU384132A1 (ru) 1971-03-10 1971-03-10 Схема формирования стробирующих импулбсов для магнитных запоминающих устройств

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1635259A SU384132A1 (ru) 1971-03-10 1971-03-10 Схема формирования стробирующих импулбсов для магнитных запоминающих устройств

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU384132A1 true SU384132A1 (ru) 1973-05-23

Family

ID=20469268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1635259A SU384132A1 (ru) 1971-03-10 1971-03-10 Схема формирования стробирующих импулбсов для магнитных запоминающих устройств

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU384132A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960012013A (ko) 동기형 반도체 기억 장치
JPS5619586A (en) Semiconductor memory unit
KR870002582A (ko) 테스트 패턴 발생회로를 갖는 반도체 기억장치
ATE24617T1 (de) Direktzugriffsspeicher-anordnungen.
KR960005605A (ko) 반도체 기억장치
KR920010624A (ko) 반도체기억장치
SU384132A1 (ru) Схема формирования стробирующих импулбсов для магнитных запоминающих устройств
KR910004733B1 (ko) 데이타 버스 리셋트 회로를 지닌 반도체 기억장치
GB960728A (en) Memory sensing circuit
GB1123612A (en) Improvements in or relating to coded information analysing arrangements
KR920022297A (ko) 다이너믹 랜덤 액세스 메모리 장치
KR920702574A (ko) 반도체 집적회로
GB783918A (en) Magnetic memory system
SU378948A1 (ru) Запоминающее устройство
GB1509059A (en) Clocking signal generators for use in data processing systems
GB1000246A (en) Memory arrays
SU377876A1 (ru) Ферритовое запоминающее устройство с линейной
KR850008238A (ko) 반도체 기억장치
GB1025838A (en) Improvements relating to data storage systems
SU1277188A1 (ru) Устройство дл цифровой магнитной записи
SU394848A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗВЛЕЧЕНИЯ ПОЛЕЗНОЙ ИНФОРМАЦИИ ИЗ СЧИТАННОГО СИГНАЛА
US3723984A (en) Storage device for the storage of word-organized information
US3462748A (en) Memory using sense amplifiers with gated feedback
SU407390A1 (ru)
SU1105939A1 (ru) Блок считывани информации дл доменного запоминающего устройства