SU374718A1 - RELAXATION RADIATION DETECTOR - Google Patents

RELAXATION RADIATION DETECTOR

Info

Publication number
SU374718A1
SU374718A1 SU1471804A SU1471804A SU374718A1 SU 374718 A1 SU374718 A1 SU 374718A1 SU 1471804 A SU1471804 A SU 1471804A SU 1471804 A SU1471804 A SU 1471804A SU 374718 A1 SU374718 A1 SU 374718A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
circuit
radiation detector
relaxation
Prior art date
Application number
SU1471804A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Торошелидзе Институт кибернетики Грузинской ССР Н.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1471804A priority Critical patent/SU374718A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU374718A1 publication Critical patent/SU374718A1/en

Links

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к вычислительной технике и автоматике.The invention relates to computing and automation.

Известны релаксационные детекторы излучени , содержащие транзистор с резистивными цеп ми смещени , ограничени  и обратной св зи, люминесцентный диод, включенный в коллекторную цепь транзистора, и два фотодиода , первый из которых включен в цепь коллектор-база , а второй - в цепь база-эмиттер транзистора, и источник питани .Relaxation radiation detectors are known, which contain a transistor with resistive bias circuits, limiting and feedback, a luminescent diode included in the collector circuit of the transistor, and two photodiodes, the first of which is connected to the collector-base circuit transistor, and power supply.

Предлагаемое устройство отличаетс  от известных тем, что в него введена нелинейна  емкость (например, стабилитрон), включенна  между эмиттером транзистора и положительным полюсом источника питани .The proposed device differs from the known ones in that a nonlinear capacitance (e.g., a zener diode) is inserted in it, connected between the emitter of the transistor and the positive pole of the power source.

Это позволило увеличить чувствительность и уменьшить врем  релаксации.This allowed us to increase the sensitivity and reduce the relaxation time.

На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.The drawing shows a diagram of the proposed device.

Устройство содержит транзистор 1 с резистивными цеп ми смещени  2, ограничени  3 и обратной св зи 4, люминесцентный диод 5, включенный в коллекторную цепь транзистора 1 и два фотодиода 6 и 7, включенные обратной пол рностью в цепь обратной св зи: первый - в цепь коллектор-база, а второй - в цепь база-эмиттер, и источник питани  8.The device contains a transistor 1 with resistive bias circuit 2, limiting 3 and feedback 4, a luminescent diode 5 included in the collector circuit of transistor 1 and two photodiodes 6 and 7, connected inversely to the feedback circuit: the first is in the circuit the collector base, and the second into the base-emitter circuit, and the power source 8.

Кроме того, устройство содержит нелинейную емкость 9 (например, стабилитрон обратной пол рности), котора  включена междуIn addition, the device contains a non-linear capacitance 9 (for example, a reverse polarity zener diode), which is connected between

эмштером транзистора 1 и положительным полюсом источника питани  8.Emster transistor 1 and the positive pole of the power source 8.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

В режиме автогенерации рабоча  точка транзистора 1 выбрана на отрицательном сопротивлении между и-f   LJf , где U-f - напр жение лавинного пробо  транзистора 1, И - напр жение, соответствующее открытому состо нию транзистора /. In the autogeneration mode, the operating point of the transistor 1 is selected on the negative resistance between i-f LJf, where U-f is the avalanche voltage of transistor 1, and is the voltage corresponding to the open state of the transistor /.

Когда рабоча  точка находитс  вблизи И и в транзисторе 1 протекает минимальный коллекторный ток /к, напр жение на коллекторе транзистора 1 приблизительно равно напр жению источника питани  6. При этом, на фотодиоде 6 приложено максимальное по абсолютной величине напр жение, что соответствует минимальному значению нелинейной емкости .When the operating point is close to AND and the minimum collector current / k flows in transistor 1, the voltage on the collector of transistor 1 is approximately equal to the voltage of power supply 6. At the same time, the absolute value of absolute voltage is applied to photodiode 6, which corresponds to the minimum non-linear value capacity.

На эмиттере транзистора 1 напр жение равно нулю, а нелинейна  емкость стабилитрона 9 и фотодиода 7 имеет максимальное значение . 1юминесцентный диод 5 на выходе не выдает световых сигналов, а в фотодиодах 6At the emitter of the transistor 1, the voltage is zero, and the capacitance of the Zener diode 9 and the photodiode 7 is non-linear and has a maximum value. 1 luminescent diode 5 does not emit light signals at the output, and in photodiodes 6

и 7 протекают темповые токи.and 7 tempo flows.

Когда рабоча  точка находитс  вблизи точки , в транзисторе / протекает максимальный коллекторный ток, люминесцентный диод 5 дает на выходе световой сигнал, а на выходе устройства по вл ютс  соответственно положительные и отрицательные электрические сигналы, так как на коллекторе транзистора 1 устанавливаетс  минимальное напр жение.When the operating point is near the point, the maximum collector current flows in the transistor /, the luminescent diode 5 produces a light signal at the output, and the device output accordingly positive and negative electrical signals, as the minimum voltage is set at the collector of transistor 1.

Резистор 3 ограничени  выбираетс  меньше резистора 2 смещени . Если на выходе устройства нет необходимости получать положительные электрические сигналы, то резистор 5 в цени ограничени  выбираетс  равным нулю.The limiting resistor 3 is selected to be less than the bias resistor 2. If at the output of the device there is no need to receive positive electrical signals, then the resistor 5, in the value limit, is chosen to be zero.

Максимальна  амплитуда отрицательных сигналов на выходе получаетс  при максимальном приращении нелинейной емкости 9.The maximum amplitude of negative signals at the output is obtained at the maximum increment of nonlinear capacitance 9.

В конце зар да у нелинейной емкости 9 ток зар да уменьщаетс  почти до нул , поэтому коллекторный ток будет равным току фотодиода 6. При этом рабоча  точка снова переместитс  в сторону, i/p и при выполнении услови  /к,/удер., где /удер. - удерживающий ток дл  сохранени  транзистора 1 в открытом состо нии , транзистор 1 закроетс  и восстановитс  первоначальное положение.At the end of charge of nonlinear capacitance 9, the charge current decreases almost to zero, so the collector current will be equal to the photodiode current 6. At the same time, the operating point will move again to the side, i / p and when the condition is met / k, / boom, where / ud. - the holding current to keep the transistor 1 in the open state, the transistor 1 is closed and the original position is restored.

После закрывани  транзистора нелинейна  емкость 9 будет разр жатьс  через резистор 2 смещени , и рабоча  точка перемещаетс  в сторону t/p, транзистор / открываетс  и т. д., поэтому на выходе получают незатухающие релаксационные колебани . Длительность каждого импульса можно получить от нескольких наносекунд до нескольких дес тков микросекунд, в зависимости от величины емкости , включенной в эмиттерную цепь.After closing the transistor, the non-linear capacitance 9 will be discharged through the bias resistor 2, and the operating point moves to t / p, the transistor / opens, and so on, so the output receives undamped relaxation oscillations. The duration of each pulse can be obtained from several nanoseconds to several tens of microseconds, depending on the size of the capacitance included in the emitter circuit.

Дл  работы предлагаемого устройства в ждущем режиме соблюдают условие Uf и Кг I- При освещении фотодиода 6 в нгм протекает фототок, и потенциал на базе по абсолютной величине поднимаетс  выще точек отсечки транзистора /, /7,з снижаетс , и когда 11/3 I i t/Ki I, устройство переключаетс  и на его выходах по вл ютс  сигналы, длительность которых пропорциональна сопротивлению резистора 2 смещени  и нелинейной емкости 9, а на выходе П1 -импульс света, пропорциональный току - . В этом режиме коdtFor the proposed device in standby mode, the condition Uf and Cg I- is observed. When the photodiode 6 is illuminated, a photocurrent flows in ngm, and the potential on the base rises above the cut-off point of the transistor /, / 7, h and when The / Ki I, the device switches and at its outputs signals appear, the duration of which is proportional to the resistance of the bias resistor 2 and the nonlinear capacitance 9, and at the output P1 a light pulse proportional to the current is. In this mode, the code

личество импульсов определ етс  формулойThe number of pulses is determined by the formula

ПP

где п - целое число.where n is an integer.

Включение стабилитрона 9 в качестве нелинейной емкости повышает чувствительность устройства к выходным сигналам, так как дл The inclusion of the Zener diode 9 as a nonlinear capacitance increases the sensitivity of the device to the output signals, since for

входных сигналов нелинейна  емкость стабилитрона 9 к моменту открывани  транзистора 1 шунтирует резистор 2, т. е. отрицательна  обратна  св зь через эмиттер транзистора / будет равна нулю. Поэтому, если рабоча  точка находитс  вблизи f/з. Дл  открывани  транзистора 1 на его вход нужно подавать электрический сигнал небольшой мощности.The input signals are non-linear, the capacitance of the Zener diode 9 by the time of opening of the transistor 1 bypasses the resistor 2, i.e. the negative feedback through the emitter of the transistor / will be zero. Therefore, if the operating point is near f / z. To open transistor 1, an electric signal of small power must be applied to its input.

Предмет изобретени Subject invention

Релаксационный детектор излучени , содержащий транзистор с резистивными цеп ми смещени , ограничени  и обратной св зи, люминесцентный диод, включенный в коллекторную цепь транзистора, и два фотодиода, первый из которых включен в цепь коллектор-база , а второй - в цепь база-эмиттер транзистора , и источник питани , отличающийс  тем,A relaxation radiation detector containing a transistor with resistive bias, limiting and feedback circuits, a luminescent diode included in the collector circuit of the transistor, and two photodiodes, the first of which is connected to the collector-base circuit and the second is connected to the base-emitter circuit of the transistor and a power source different in that

что, с целью увеличени  чувствительности и уменьщени  времени релаксации, в него введена нелинейна  емкость (например, стабилитрон ), включенна  между эмиттером транзистора и положительным полюсом источникаthat, in order to increase the sensitivity and decrease the relaxation time, a nonlinear capacitance (for example, a zener diode) is inserted into it, connected between the emitter of the transistor and the positive pole of the source

питани .nutrition

пф ПPF P

-f 8-f 8

вЫА IWYA I

SU1471804A 1970-07-29 1970-07-29 RELAXATION RADIATION DETECTOR SU374718A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1471804A SU374718A1 (en) 1970-07-29 1970-07-29 RELAXATION RADIATION DETECTOR

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1471804A SU374718A1 (en) 1970-07-29 1970-07-29 RELAXATION RADIATION DETECTOR

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU374718A1 true SU374718A1 (en) 1973-03-20

Family

ID=20456780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1471804A SU374718A1 (en) 1970-07-29 1970-07-29 RELAXATION RADIATION DETECTOR

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU374718A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3011068A (en) Semiconductor ramp function generator
SU374718A1 (en) RELAXATION RADIATION DETECTOR
US2955265A (en) Signal wave-form converter
SU376729A1 (en) CONDENSING FREQUENCY
SU478343A1 (en) Photoelectric converter
SU420103A1 (en) GENERATOR OF LINEALLY CHANGING TENSION
SU434575A1 (en) TRIGGER SHMITTA
SU715944A1 (en) Photoelectronic device
SU452058A1 (en) Pulse shaper
SU1689763A1 (en) Radiation sensor
SU445139A1 (en) Integrator
SU711687A2 (en) Optronic input arrangement
SU459849A1 (en) Pulse selector by duration
GB1379856A (en) Circuit arrangement for linear voltage-frequency or current-frequency conversion
SU418970A1 (en) THRESHOLD DEVICE
SU525985A1 (en) Alarm device
SU536619A1 (en) Control device for switching systems
SU416894A1 (en)
SU629524A1 (en) Threshold arrangement
SU418913A1 (en)
SU522546A1 (en) Device for extracting a signal affected by interference
SU474927A1 (en) Threshold device
SU411620A1 (en)
SU345600A1 (en) DELAY DEVICE
SU347899A1 (en) Pulse sequence generator