SU368579A1

SU368579A1 - METHOD OF ELECTROPHOTOGRAPHIC RECORDING INFORMATION

Info

Publication number: SU368579A1
Application number: SU1442974A
Authority: SU
Inventors: В. А. Миколайтис Г. А. Юцис В. А. Макарычев
Priority date: 1970-05-27
Filing date: 1970-05-27
Publication date: 1973-01-26

Description

1one

Изобретение относитс к способу электрографической записи информации на носитель с фотополупроводниковым слоем.The invention relates to a method for electrographically recording information on a carrier with a photo-semiconductor layer.

Известны способы электрографической записи , использующие перенос изображени через воздушный зазор на диэлектрическую поверхность . Эти способы дают возможность разделить функцию светочувствительности и пам ти, которые обычНо выполн ет фотополупроводниковый слой, и тем самым обеспечивают возможность применени более иизкоомных и более фоточувствительных фотополупровод нкков.Electrographic recording methods are known that use image transfer through an air gap onto a dielectric surface. These methods make it possible to separate the function of photosensitivity and memory, which is usually performed by the photo-semiconductor layer, and thus make it possible to use more low-impedance and more photosensitive photo-semiconductors.

Запись по предлагаемому способу осуществл етс S устройстве, состо щем из фотополупроводникового сло и диэлектрического слоев, нанесенных на провод щие подложки, и разделенных газовы.м зазором. Одна из провод щих подложек выполнена оптически прозрачной . Если к провод щим подложкам подключить источник «апр жени , то при достаточно большом напр жении з газовом промежутке возникает таунсендовский разр д, во врем которого на слои осаждаютс зар ды противоположных знаков и одновременно на фотополупроводник воздействует световое излучение этого разр да. Коэффициент накоплени зар да К(Ефо) показывает, как происходит .накопление зар да на поверхности фотополупроводника , когда из газового промежутка на него осаждаютс зар ды и одновременно действует светова радиаци разр да. Этот коэффициент зависит от напр женности пол в зоне генерации, котора определ етс The recording according to the proposed method is carried out with an S device consisting of a photo semiconductor layer and a dielectric layer deposited on conductive substrates and separated by a gas gap. One of the conductive substrates is optically transparent. If the april source is connected to the conductive substrates, then a sufficiently high voltage across the gas gap produces a Townsend discharge, during which charges of opposite signs are deposited on the layers and simultaneously the photoconductor is affected by the radiation of this discharge. The charge accumulation coefficient K (Efo) shows how the charge accumulates on the surface of the photoconductor when the charge is deposited on it from the gas gap and at the same time light emission of the discharge is applied. This coefficient depends on the field strength in the generation zone, which is determined by

в основном поверхностным зар дом фотополупроводника , так каК количество зар дов, покидающих зону генерации фотополупроводникового сло , зависит не только от интенсивности светового излучени , но и от веро тностиmainly the surface charge of the photosemiconductor, since the number of charges leaving the zone of generation of the photosemiconductor layer depends not only on the intensity of the light emission, but also on the probability

разделени пар электрон-дырка, котора , в свою очередь, определ етс напр женностью пол в зоне генерации. При К-о весь зар д, подошедший к фотополупровадниковому с.тою из газового промежутка, остаетс на его поверхности , что возможно только при равенстве нулю напр женности пол фп в зоне генерации .separation of electron-hole pairs, which, in turn, is determined by the field strength in the generation zone. With K-o, all the charge that has approached the photo-propellant one from the gas gap remains on its surface, which is possible only if the field strength fP in the generation zone is equal to zero.

С ростом фп коэффициент К увеличиваетс и при некоторой напр женности пол кр.With an increase in php, the coefficient K increases and, with a certain intensity, the polkr.

достигает значени , равного 1, когда все осевшие на слой зар ды из воздушного промежутка компенсируютс носител ми из зоны генерации . Дальнейшее увеличение подводимого к провод щим подложкам напр жени не может привести к увеличению поверхностного зар да на фотополупроводниковом слое, так как в этом случае коэффициент накоплени зар да был бы больше 1, т. е. число носителей , подход щих к поверхности из зоны генерации , было бы больше числа носителей,reaches a value of 1 when all charges deposited on the layer from the air gap are compensated by carriers from the generation zone. A further increase in the voltage applied to the conductive substrates cannot lead to an increase in the surface charge on the photo semiconductor layer, since in this case the charge accumulation factor would be greater than 1, i.e. the number of carriers suitable to the surface from the generation zone there would be more carriers