Выполнение предложенного способа, который состоит из п ти стадий, изображенных на фиг. 1 и в виде эквивалентных схем на фиг. 2, которые служат моделью способа при условии Асл С $ч Ап1 где и R -соответственно темповое и стационарное фотосопротивление фотополупроводникового сло , Rn - сопротивление пленки, характеризуетс следующим примером . В I стадии цроцесса фотополупроводниковый (например, бипол рный селеновый) слой 1, канесемный на токопровод щую подложку 2 и покрытый диэлектрической (например, лавсановой) пленкой 3, зар жаетс с одновременным освещением через прозрачную в области чувствительности сло пленку или подложку в поле положительного коронного разр да , изображенного на фиг. 2 в виде источника напр жени U с внутренним сопротивлением RK- При этом на поверхности пленки осаждаетс положительный зар д плотности СГ-,- , а экранированный отрицательный зар д плотности а- , вследствие малого сопротивлени освещенного сло по сравнению с сопротивлением пленки, скапливаетс на границе раздела сло и пленки. Затем при отсутствии света производитс перезар дка двухслойной системы в поле отрицательного коронного разр да, напр жение которого, например , по абсолютной величине превышает напр жение положительной короны (II стади процесса). В результате этой операции на пленке создаетс плотность зар да, равна II , I а -р 3, , а экранированный ноложительныи зар д плотности а./ из-за высокого темного сопротивлени сло располагаетс в провод щей подложке. При экспонировании изображени (III стади процесса) экранированный положительный разр д на светлых участках сло аивследствие резкого уменьшени их сопротивлени переходит па границу раздела сло и и , пленки, где создаетс плотность зар да о : - -+-а , равна по абсолютной величине зар ду на поверхности пленки а.; -f- о . На темных участках сло распределение зар дов остаетс прежним. В следующей IV стадии процесса поверхность пленки закорачиваетс с провод щей ПОДЛОЖКОЙ при отсутствии света, например, с помощью вала с покрытием из токопровод щей резины. Таким образом, что исход из соотношени + 0. где бел и бп - напр женность электрического пол соответственно в слое и пленке; и dn - толщины сло и пленки, уравнивание потенциалов поверхности пленки и провод щей подложки приведет к тому, что на экспонированных участках сло плотность зар да на пленке уменьшитс до величины Де 8сл, Sn, с/сл И d,, - соответственно диэлектрические проницаемости и толщины сло и пленки, вследствие того, что часть зар да с ее поверхности переместитс в подложку, а на темных участках сло в результате перераспределени зар да на поверхности пленки возникает зар д плотности , й;;;:п в результате последующей засветки сло (V стади процесса) и снижени сопротивлени сло от RL до Нел на границе раздела между слоем и пленкой по в тс экранироVcBVTгг ванные зар ды о и а соответственно на экранированных и темных участках сло „ равные но абсолютной величине зар дам Таким образом, в результате всех операций на поверхности пленки создаетс бипол рное скрытое изображение с зар дным рельефом, .IVCBJVT., II i - 1 I n Ci: 1 1 ;; . которое затем нро вл етс на свету обычными методами и переноситс на воспринимающий материал. Из нолученного выражени видно, что величина зар дного рельефа существенно зависит как от величины зар да ст , осаждаемого на пленку во II стадии процесса, так и от соотношени толщин и диэлектрических проницаемостей сло и пленки. Практически при использовании в качестве сло бипол рного селена толщиной 150 мкм и пленки на лавсана толщиной 15 мкм, объемное сопротивление которой, примерно, на два пор дка выше, чем объемное темновое сопротивление селена, оказалось возможным получать максимальный потенциальный рельеф на штриховом; изображении, равный 750 В, что соответствуетзар дномурельефу 1,3 10 кул/см и диапазону оптических плотностей изображени , достигающего 1,5 единицы при допустимой плотности вуали. Данные экспериментальных исследований показали, что предлагаемый процесс обеспечивает получение позитивных изображений как с позитивного, так и негативного оригинала при различной очередности нанесени зар дов той и другой пол рности в первых двух стади х процесса и меньшей по сравнению с унипол рным изображением плотностью вуали..The implementation of the proposed method, which consists of five stages, shown in FIG. 1 and in the form of equivalent circuits in FIG. 2, which serve as a model of the method under the condition Asl C $ h Ap1, where R is the tempo and stationary photoresistance of the photoconductive layer, respectively, Rn is the resistance of the film, is characterized by the following example. In stage I of the process, a photosemiconductor (e.g., bipolar selenium) layer 1 cannable onto the conductive substrate 2 and covered with a dielectric (such as mylar film) 3 is charged with simultaneous illumination through the transparent film in the sensitive area of the corona The bit shown in FIG. 2 in the form of a voltage source U with an internal resistance RK- A positive charge of the SG density —–– is deposited on the surface of the film, and a screened negative charge of the density a–, due to the small resistance of the illuminated layer compared to the resistance of the film, accumulates at the boundary section of the layer and film. Then, in the absence of light, a recharge of a two-layer system is performed in the field of a negative corona discharge, the voltage of which, for example, exceeds the voltage of the positive corona in absolute value (stage II of the process). As a result of this operation, a charge density is created on the film, equal to II, I a –p 3, and the shielded positive charge of a density a. / Due to the high dark resistance of the layer is placed in a conductive substrate. When exposing the image (III stage of the process), the screened positive discharge on the light areas of the layer, as a result of a sharp decrease in their resistance, goes over the interface of the layer and the film, where the charge density is about: - - + - a, is equal to the absolute value on the surface of the film a .; -f- about In the dark areas of the layer, the charge distribution remains the same. In the next stage IV of the process, the surface of the film is short-circuited with a conductive SUBSTITUTION in the absence of light, for example, using a conductor coated rubber shaft. Thus, based on the ratio of + 0. Where bel and bp is the intensity of the electric field in the layer and film, respectively; and dn are the thicknesses of the layer and the film, the equalization of the potentials of the surface of the film and the conductive substrate will lead to the fact that on the exposed areas of the layer the charge density on the film decreases to DeSf, Sn, C / SL And d ,, respectively the dielectric constant and the thickness of the layer and the film, due to the fact that part of the charge from its surface moves to the substrate, and on the dark areas of the layer as a result of charge redistribution on the surface of the film, a charge of density appears, nd; v: n as a result of the subsequent illumination of the layer (V process stage) and reducing the resistance of the layer from RL to Nel at the interface between the layer and the film, shielded VcBVTs charged charges and, respectively, on the shielded and dark areas of the layer are equal to the absolute value of the charges. Thus, as a result of all operations on the film surface bipolar latent image with charge relief, .IVCBJVT., II i - 1 I n Ci: 1 1 ;; . which then the nro is exposed to light by conventional methods and is transferred to the receptive material. From the obtained expression, it can be seen that the magnitude of the charge relief significantly depends both on the magnitude of the charge st deposited on the film in stage II of the process, and on the ratio of the thickness and dielectric constant of the layer and film. Practically, when bipolar selenium is used as a layer with a thickness of 150 μm and a film for lavsan with a thickness of 15 μm, the volume resistance of which is approximately two orders of magnitude higher than the volume dark resistance of selenium, it was possible to obtain the maximum potential relief on the dashed line; image equal to 750 V, which corresponds to the bottom of the relief of 1.3 to 10 cu / cm and the range of optical densities of the image, reaching 1.5 units at an acceptable density of the veil. Experimental data showed that the proposed process provides for obtaining positive images from both positive and negative original with different priorities for applying charges of both polarity in the first two stages of the process and lower density than the unipolar image of the veil.
Записанное на пленке скрытое изображение может д.чительно в течение многих суток сохран тьс как на свету, так и в темноте и при необходимости стерто, например, последовательной зар дкой пленки на свету в поле коронного разр да одного, а затем другого знака . Записанное изображение можно многократно про вл ть и переносить на воспринимающий материал, а оставшийс на пленке порошок очиш,ать с ее поверхности при условии , что в процессе переноса изображени на поверхность пленки не внос тс дополнительные зар ды (например, при переносе изображени с помощью вала с электропроводным покрытием, наход щимс под напр жением и отделенным от воспринимающего материала изол ционной пленкой). Диэлектрическа пленка, облада высокой электрической и механической прочностью, предохран ет фотополупроводниковый слой от механических дефектов при очистке порошка и улучщает перенос изображени за счет возможности создани сильного электрического пол в порошке.The latent image recorded on the film can be preserved for many days both in the light and in the dark and, if necessary, erased, for example, by successively charging the film in the light in the corona field of one and then another sign. The recorded image can be repeatedly displayed and transferred to the receptive material, and the powder remaining on the film can be cleaned from its surface, provided that during the image transfer process no additional charges are applied to the film surface (for example, with an electrically conductive coating under voltage and separated from the receptive material by an insulating film). A dielectric film, which has high electrical and mechanical strength, protects the photo semiconductor layer from mechanical defects when cleaning powder and improves image transfer due to the possibility of creating a strong electric field in the powder.