SU362553A1 - Полупроводниковое устройство - Google Patents
Полупроводниковое устройствоInfo
- Publication number
- SU362553A1 SU362553A1 SU1603773A SU1603773A SU362553A1 SU 362553 A1 SU362553 A1 SU 362553A1 SU 1603773 A SU1603773 A SU 1603773A SU 1603773 A SU1603773 A SU 1603773A SU 362553 A1 SU362553 A1 SU 362553A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- diodes
- semiconductor device
- silicon
- matrix
- array
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000737 periodic Effects 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 102000006463 Talin Human genes 0.000 description 1
- 108010083809 Talin Proteins 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Description
Изобретение относитс к технологии изготовлени компонентов радиоаппаратуры и может быть использовано в логических системах и в устройствах накоплени информации.
Известно полупроводниковое устройство, содержащее матрицу на диодах, выполненную на основе кремни , в которой контактные площадки диодов выполнены из алюмини , золота или никел , а соединение диодов с матрицей производитс с помощью плавких соединителей . В таком устройстве дл отсоединени диодов от матрицы требуетс значительное напр жение , что может привести к выходу из стро других элементов матрицы.
Целью изобретени вл етс уменьшение напр жени электрических токов, необходимых дл отсоединени диодов от матрицы. Это достигаетс тем, что между контактными площадками и выводами диодов размещен промежуточный соединитель, выполненный из одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германи , свинца, олова или легированного кремни .
На чертеже изображено предлагаемое полупроводниковое устройство, вид сверху и разрез по А-А. Оно содержит подложку /, котора в зависимости от назначени устройства может быть изготовлена из металла, диэлектрика или полупроводника. Одна сторона подложки плоска , а на другой расположены параллельные полосы 2, образующие матрицу, выполненную на основе кремни п-типа проводимости . Полосы 2, по периметру которых расположен изолирующий слой 3, например, двуокиси
кремни или азотистого кремни , имеют расщиренные участки 4, к последним присоединены микровыводы 5. Матрица содерл ит диоды 6, расположенные в р ды и колонки. Полупроводниковые пластинки 7 диодов 6 имеют присадки до проводимости р-тппа. Каждый р д диодов матрицы снабжен одним общим выводом 8, который в местах присоединени микровывода 9 имеет расщиренную площадку 10. Присоединение диодов 6 к выводам 8 осуществл етс через промежуточные соединители /7, выполненные из одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германи , свинца, олова или легированного кремни , и присоединенные к контактным площадкам 12 диодов, выполненным из алюмини , золота или никел . Площадки W образуют св зующие прокладки 13, кажда из которых содержит слой 14 из кремни , изолирующий слой 15 из того же материала что и слой 3, и металлический с-той 16.
Предмет изобретений
Полупроводниковое устройство, содержащее
матрицу на диодах, выполненную на основе
кремни , в которой контактные площадки диодов выполнены из алюмини , золота или никел , отличающеес тем, что, с целью уменьшени напр жени электрических токов, необходимых дл отсоединени диодов от матрицы, . между контактными площадками и выводами
диодов размещен промежуточный соединитель, выполненный из одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германи , свинца, олова или легированного кремни .
Zt, -5
:ЖУ
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US1370A | 1970-01-02 | 1970-01-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU362553A1 true SU362553A1 (ru) | |
| SU362553A3 SU362553A3 (ru) | 1972-12-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9812384B2 (en) | Semiconductor device having compliant and crack-arresting interconnect structure | |
| EP0531724B1 (en) | Stepped electronic device package | |
| JP4646284B2 (ja) | 単一表面上のバンプコンタクトを有する垂直伝導フリップチップ半導体デバイス | |
| KR102482774B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US8921969B2 (en) | Chip-scale Schottky device | |
| US7723837B2 (en) | Semiconductor device | |
| US11791333B2 (en) | Three-dimensional integrated circuit structures and method of forming the same | |
| US3221219A (en) | Semiconductor device having a nickel surface in pressure sliding engagement with a silver surface | |
| US11710681B2 (en) | Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices | |
| US20100297802A1 (en) | Solar cell assemblies and method of manufacturing solar cell assemblies | |
| US7589417B2 (en) | Microelectronic assembly having thermoelectric elements to cool a die and a method of making the same | |
| US20150102360A1 (en) | Bondable top metal contacts for gallium nitride power devices | |
| US20210358821A1 (en) | Methods of forming semiconductor packages with shortened talking path | |
| CN111081649A (zh) | 半导体封装 | |
| US20100127365A1 (en) | Leadframe-based chip scale semiconductor packages | |
| US3517278A (en) | Flip chip structure | |
| US4161740A (en) | High frequency power transistor having reduced interconnection inductance and thermal resistance | |
| GB1173443A (en) | Semiconductor Device and Method of Fabrication thereof | |
| TW201801273A (zh) | 具有單列直插引線模塊的半導體功率器件及其製備方法 | |
| US5110761A (en) | Formed top contact for non-flat semiconductor devices | |
| SU362553A1 (ru) | Полупроводниковое устройство | |
| KR20210018538A (ko) | 반도체 장치 | |
| US3463970A (en) | Integrated semiconductor rectifier assembly | |
| US20050269695A1 (en) | Surface-mount chip-scale package | |
| US10014267B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same |