SU354768A1

SU354768A1 - ELEMENT OF INTEGRAL MICROSHEME

Info

Publication number: SU354768A1
Application number: SU1661167A
Authority: SU
Original assignee: И. Я. Ходак
Priority date: 1971-05-31
Filing date: 1971-05-31
Publication date: 1972-12-25

Description

Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано на предпри ти х , изготавливающих тонкопленочные элементы и схемы.The invention relates to electronic engineering and can be used in enterprises manufacturing thin film elements and circuits.

Цель изобретени - уменьшение тока утечки и увеличение стабильности устройства.The purpose of the invention is to reduce the leakage current and increase the stability of the device.

Достигаетс это тем, что под электродами по их форме расположен подслой диэлектрика.This is achieved by the fact that a dielectric underlayer is located under the electrodes in their form.

На чертеже представлен элемент интегральной микросхемы.The drawing shows an element of an integrated circuit.

Устройство состоит из подложки /, электродов 2, активного материала 3 и подсло из диэлектрика 4.The device consists of a substrate /, electrodes 2, the active material 3 and a sublayer of dielectric 4.

Применение подсло диэлектрика под электродами , протравленного по форме электродов , увеличивает длину пути поверхностного паразитного тока на удвоенную толщи-ну подсло диэлектрика АВ. Кроме того, в предлагаемой конструкции используетс более чистый контакт между полупроводником и диэлектриком , бокова поверхность которого значительно чище, чем поверхность подложки. Применение подсло диэлектрика под электродами и св занное с ним уменьшение токаThe use of a dielectric sublayer under the electrodes, etched in the shape of the electrodes, increases the length of the path of the surface parasitic current by a double thickness of the dielectric AB sublayer. In addition, the proposed design uses a cleaner contact between the semiconductor and the dielectric, the lateral surface of which is much cleaner than the surface of the substrate. The use of a dielectric sublayer under the electrodes and the associated decrease in current

утечки позвол ет увеличить стабильность, надел ность и длительность работы, а также повтор емость параметров тонкопленочных планарных элементов. В качестве материала подсло должны использоватьс хорошие диэлектрики , например SiO.leakage allows to increase the stability, availability and duration of work, as well as the repeatability of the parameters of thin-film planar elements. As a material for the sublayer, good dielectrics, such as SiO, must be used.

Предмет изобретени Subject invention

Элемент интегральной микросхемы, например планарный диод, состо щий из диэлектрической подложки, электродов и активного материала , отличающийс тем, что, с целью уменьшени тока утечки, увеличени стабильности , под электродами по их форме расположен подслой диэлектрика.An element of an integrated microcircuit, for example, a planar diode consisting of a dielectric substrate, electrodes and an active material, characterized in that, in order to reduce leakage current, increase stability, a dielectric underlayer is located under the electrodes in their form.