SU283188A1 - Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов - Google Patents
Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окисловInfo
- Publication number
- SU283188A1 SU283188A1 SU6901341201A SU1341201A SU283188A1 SU 283188 A1 SU283188 A1 SU 283188A1 SU 6901341201 A SU6901341201 A SU 6901341201A SU 1341201 A SU1341201 A SU 1341201A SU 283188 A1 SU283188 A1 SU 283188A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- melt
- crystallization
- boat
- less
- dislocation density
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Claims (1)
- Изобретение может быть использовано преилвущественно дл получени монокристаллических пластин корунда. Известен способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов направ ленной кристаллизацией расплава в молибденовом контейнере, Предложенньзй способ отличаетс осу ществлением зонной плавки в лодочке в услови х остаточного давлени газовой среды над расплавом 10 - 510 мм рт.ст. при соотношении поведзхностИ и объема расплава не менее 1 см , скорости перемещени фронта кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом температурном градиенте на фронте кристаллизации не более . Проведение направленной кристаллизации в таких услови х дает возможность получать монокристаллические пластины корунда, имеющие плотность дислокаций не более 1Сг см и величину внутренних напр жений не более 1,5 кг/мм. В качестве исходного материала, подвергаемого направленной кристаллизации , служит брикетированный технический глинозем с содержанием окиси магни не более 0,1% и удельным весом 3,8-3,9 г/см. Лодочку заполн ют ИСХОДНЫМ;материалом в количестве, при котором соотнсхиение поверхности и объе ма расплава не меньше 1 см , и прот гивают горизонтально через зону плавлени вакуумной печи, в которой поддерживают остаточное давление 10 - 5« рт.ст. Скорость перемещени лодочки 8г-10 мм/ч, температура; расплава - 2050-2100 с при осевом температурном градиенте на фронте кристги - лизации не более . Первый проход позвол ет очистить исходный материал на пор док, после второго прохода при тех же услови х количество примесей в полученном монокристгшле ш в 15 раз меньше чем в исходном материале. Полученные монокристаллы имеют внутренние напр жени 1,0-1,5 кг/мм, плотность дислокаций см и могут быть подвергнуты механической обработке без дополнительного отжима. Формула изобретени Способ, вьпращивани монокристаллов тугоплавких окислов направленной кристаллизацией расплава в молибденовом3 4контейнере, отличающийс газовой среды над расплавом 1(Г тем , что, с целью получени монокрис--510 мм рт.ст. при соотношении поталлов кoiзyндa 1с плотностью дислока-верхе.ссти и объема расплава не менеедни не более величиной внут-1 , скорости перемещени фронтаренних напр жений не более 1,5 кг/мм,5 кристаллизации 8-10 мм/ч и осевомзонную плавку осуществл ют в лодоч-температурном градиенте на фронте крирке в услови х остаточного давлени таллизации не более 1 C/N&I.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU6901341201A SU283188A1 (ru) | 1969-07-28 | 1969-07-28 | Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU6901341201A SU283188A1 (ru) | 1969-07-28 | 1969-07-28 | Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU283188A1 true SU283188A1 (ru) | 1977-11-25 |
Family
ID=20446243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU6901341201A SU283188A1 (ru) | 1969-07-28 | 1969-07-28 | Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU283188A1 (ru) |
-
1969
- 1969-07-28 SU SU6901341201A patent/SU283188A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3857705A (en) | Small grain promoting aluminum-titanium-boron mother alloy | |
GB1512522A (en) | Abrasive material | |
ES445617A1 (es) | Procedimiento para la preparacion de cristales de silicio enforma de placas. | |
FR2425128A1 (fr) | Procede de preparation de pastilles de combustible nucleaire ceramique | |
SU283188A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов | |
GB1481550A (en) | Pyroelectric materials and devices | |
GB1229508A (ru) | ||
US2741877A (en) | Method of producing synthetic mica | |
ES378679A1 (es) | Un procedimiento de fabricar una roca magmatica artificial,muy dura, resistente al desgaste, a las variaciones termi- cas, a los acidos y a las bases. | |
US3251659A (en) | Producing crystalline calcium oxide in an electric arc furnace | |
UST964002I4 (en) | Method to purify magnesium chloride to produce a flux for molten magnesium | |
GB1427879A (en) | Neadymium ultraphosphates | |
JPS5276277A (en) | Producing long and narrow crystal | |
Kirov et al. | Crystal morphology of fayalite from copper converter slags | |
JPS55140792A (en) | Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal | |
JPS53109900A (en) | Production of luthium tantalate single crystals | |
White | Salyut 6' Cosmonauts Break More Space Records | |
JPS5413477A (en) | Continuous growing apparatus for single crystal | |
JPS5228258A (en) | Method for growth of crystals from liquid phase | |
JPS5266684A (en) | Purification and separation of 2-keto-l-glonic acid | |
JPS5316400A (en) | Production of piezoelectric oxide single crystal | |
GB804268A (en) | Improvements in and relating to refractory containers | |
SU823272A1 (ru) | Способ очистки иодида серебра | |
SU785272A1 (ru) | Шихта дл изготовлени огнеупорных изделий | |
JPH07138096A (ja) | 硼酸リチウム単結晶の製造方法 |