SU283188A1 - Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов - Google Patents

Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов

Info

Publication number
SU283188A1
SU283188A1 SU6901341201A SU1341201A SU283188A1 SU 283188 A1 SU283188 A1 SU 283188A1 SU 6901341201 A SU6901341201 A SU 6901341201A SU 1341201 A SU1341201 A SU 1341201A SU 283188 A1 SU283188 A1 SU 283188A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
melt
crystallization
boat
less
dislocation density
Prior art date
Application number
SU6901341201A
Other languages
English (en)
Inventor
Х.С. Багдасаров
Н.П. Ильин
Н.И. Седаков
Е.А. Федоров
В.Я. Хаимов-Мальков
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Ан Ссср filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Ан Ссср
Priority to SU6901341201A priority Critical patent/SU283188A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU283188A1 publication Critical patent/SU283188A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (1)

  1. Изобретение может быть использовано преилвущественно дл  получени  монокристаллических пластин корунда. Известен способ выращивани  монокристаллов тугоплавких окислов направ ленной кристаллизацией расплава в молибденовом контейнере, Предложенньзй способ отличаетс  осу ществлением зонной плавки в лодочке в услови х остаточного давлени  газовой среды над расплавом 10 - 510 мм рт.ст. при соотношении поведзхностИ и объема расплава не менее 1 см , скорости перемещени  фронта кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом температурном градиенте на фронте кристаллизации не более . Проведение направленной кристаллизации в таких услови х дает возможность получать монокристаллические пластины корунда, имеющие плотность дислокаций не более 1Сг см и величину внутренних напр жений не более 1,5 кг/мм. В качестве исходного материала, подвергаемого направленной кристаллизации , служит брикетированный технический глинозем с содержанием окиси магни  не более 0,1% и удельным весом 3,8-3,9 г/см. Лодочку заполн ют ИСХОДНЫМ;материалом в количестве, при котором соотнсхиение поверхности и объе ма расплава не меньше 1 см , и прот гивают горизонтально через зону плавлени  вакуумной печи, в которой поддерживают остаточное давление 10 - 5« рт.ст. Скорость перемещени  лодочки 8г-10 мм/ч, температура; расплава - 2050-2100 с при осевом температурном градиенте на фронте кристги - лизации не более . Первый проход позвол ет очистить исходный материал на пор док, после второго прохода при тех же услови х количество примесей в полученном монокристгшле ш в 15 раз меньше чем в исходном материале. Полученные монокристаллы имеют внутренние напр жени  1,0-1,5 кг/мм, плотность дислокаций см и могут быть подвергнуты механической обработке без дополнительного отжима. Формула изобретени  Способ, вьпращивани  монокристаллов тугоплавких окислов направленной кристаллизацией расплава в молибденовом
    3 4
    контейнере, отличающийс газовой среды над расплавом 1(Г тем , что, с целью получени  монокрис--510 мм рт.ст. при соотношении поталлов кoiзyндa 1с плотностью дислока-верхе.ссти и объема расплава не менее
    дни не более величиной внут-1 , скорости перемещени  фронта
    ренних напр жений не более 1,5 кг/мм,5 кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом
    зонную плавку осуществл ют в лодоч-температурном градиенте на фронте крирке в услови х остаточного давлени таллизации не более 1 C/N&I.
SU6901341201A 1969-07-28 1969-07-28 Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов SU283188A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU6901341201A SU283188A1 (ru) 1969-07-28 1969-07-28 Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU6901341201A SU283188A1 (ru) 1969-07-28 1969-07-28 Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU283188A1 true SU283188A1 (ru) 1977-11-25

Family

ID=20446243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU6901341201A SU283188A1 (ru) 1969-07-28 1969-07-28 Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU283188A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3857705A (en) Small grain promoting aluminum-titanium-boron mother alloy
GB1512522A (en) Abrasive material
ES445617A1 (es) Procedimiento para la preparacion de cristales de silicio enforma de placas.
FR2425128A1 (fr) Procede de preparation de pastilles de combustible nucleaire ceramique
SU283188A1 (ru) Способ выращивани монокристаллов тугоплавких окислов
GB1481550A (en) Pyroelectric materials and devices
GB1229508A (ru)
US2741877A (en) Method of producing synthetic mica
ES378679A1 (es) Un procedimiento de fabricar una roca magmatica artificial,muy dura, resistente al desgaste, a las variaciones termi- cas, a los acidos y a las bases.
US3251659A (en) Producing crystalline calcium oxide in an electric arc furnace
UST964002I4 (en) Method to purify magnesium chloride to produce a flux for molten magnesium
GB1427879A (en) Neadymium ultraphosphates
JPS5276277A (en) Producing long and narrow crystal
Kirov et al. Crystal morphology of fayalite from copper converter slags
JPS55140792A (en) Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal
JPS53109900A (en) Production of luthium tantalate single crystals
White Salyut 6' Cosmonauts Break More Space Records
JPS5413477A (en) Continuous growing apparatus for single crystal
JPS5228258A (en) Method for growth of crystals from liquid phase
JPS5266684A (en) Purification and separation of 2-keto-l-glonic acid
JPS5316400A (en) Production of piezoelectric oxide single crystal
GB804268A (en) Improvements in and relating to refractory containers
SU823272A1 (ru) Способ очистки иодида серебра
SU785272A1 (ru) Шихта дл изготовлени огнеупорных изделий
JPH07138096A (ja) 硼酸リチウム単結晶の製造方法