SU270076A1

SU270076A1 - Method for producing single-crystal films on amorphous substrate

Info

Publication number: SU270076A1
Application number: SU661109935A
Authority: SU
Inventors: Р.Н. Шефталь
Original assignee: Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср
Priority date: 1966-10-31
Filing date: 1966-10-31
Publication date: 1982-11-07

Description

Изобретение относитс к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и квантовой электронике.The invention relates to semiconductor technology and can be used in microelectronics and quantum electronics.

Известны способы получени монокристаллических пленок на аморфном материале, например стекле, или на поликристаллическом материгше, например стекле или металлах (вольфра и др., с использованием методов рекристаллизации или двумерной зонной плавкой поликристаллических слоев. Рекристаллизаци .двуслойной систеил пленок приводит к диффузии вещества в сло х, и резка граница между ними нарушаетс .Methods are known for producing single-crystal films on an amorphous material, such as glass, or on polycrystalline materials, such as glass or metals (tungsten, etc., using recrystallization methods or two-dimensional zone melting polycrystalline layers. Recrystallization of a double-layer system of films leads to diffusion of the material in the layers and cutting the border between them is broken.

Двумерна плавка также не дает желаеких результатов. Характерна дл рекристаллизации диффузи еще в большей степени присуща методу двумерной зонной плавки. К тому же при проведении последней предъ вл ютс жесткие требовани к материа- лу подложки: так как подложка смачиваетс расплавом наносимого вещества , то материал ее должен только слабо раствор тьс в наносимом веществе, а коэффициенты термического расширени материала подложкиTwo-dimensional smelting also does not give desirable results. Characteristic for recrystallization diffusion is even more characteristic of the method of two-dimensional zone melting. Moreover, when carrying out the latter, there are strict requirements for the substrate material: since the substrate is wetted by the melt of the applied substance, its material should only slightly dissolve in the applied substance, and the thermal expansion coefficients of the substrate material

и наносимого вещества должны быть очень близкими.and the applied substance should be very close.

Предложенный способ отличаетс известных тем, что подслой нанос т на часть поверхности подложки, а .монокристаллическую пленку осаждают на подслой с переходом на подложку.The proposed method differs in that the sublayer is applied on a part of the substrate surface, and a monocrystalline film is deposited on the sublayer with a transition to the substrate.

Это позвол ет получить бездислокационные пленки с заданной кристаллографической ориентацией.This makes it possible to obtain dislocation-free films with a given crystallographic orientation.

Получение монокристаллической пленки описываемым способом осуществл ют в два этапа.Obtaining a single crystal film by the described method is carried out in two stages.

Iэтап. Вещество напыл етс на I stage. Substance sprayed on

5 свежие сколы растворимых кристаллов, например NaCl, KB г и др., в результате получаютс тонкие 400-1000 А монокристаллические слои этого вещества . Затем слои легко отдел ютс 5 fresh chips of soluble crystals, for example, NaCl, KB g, etc., result in thin 400-1000 A single-crystal layers of this substance. Then the layers are easily separated.

00

от водорастворимой по.цложки и нанос тс на cJгeклo простым подхватыва-ниём с воды. СцеЛление такой пленки со стеклом достаточно хороше е.from water-soluble polymers and applied to the junction by simple pickup from the water. The clinging of such a film with glass is quite good.

IIэтап. Стекло с механически на5 несенной на него монокристаллической пленкой помещаетс в вакуумную установку, например УВР-2. Через узкую 10-30 мк щель начинаетс напыление новой пленки, Испар емое вещест о , осажда сь сперва на механи32;7007б4Stage II. Glass with a monocrystalline film mechanically worn on it is placed in a vacuum unit, for example, UVR-2. Through a narrow 10-30 micron gap, a new film starts to evaporate, the Evaporated substance precipitates first on the mechanics32; 7007b4

Claims

scientifically applied thin single crystal The formula of the invention is a lichen seed, according to the laws of oriented growth forms a single-crystal method of obtaining a single-crystal precipitate. During films on an amorphous nano-deposition substrate, a glass substrate, with a single-color embossing onto this substrate, is punched over a narrow gap 5, a tall sublayer and pulling, at a rate of 120 microns / sec., The substrate above the narrow gap, through the dependencies from the thickness and material which the deposited film is made of. When a crystalline film passes, a film of a single-crystal film with a single-crystal u and with the fact that, for the purpose of a quiet fall on the glass due to the very 10-radiation of dislocation-free films with a small sublayer thickness, the specified crystallographic orientation of the film does not occur, and as a result of mating, the sublayer is applied to a portion of the hollow velocity of movement of the substrate's surface, and a single crystal on glass is deposited its single crystal film on the sublayer with a transition to the substrate.