SU237269A1 - - Google Patents

Description

Четырехслойную структуру, лежащую в основе тиристора, можно перевести во включенное состо ние, воздейству  на нее светом, с энергией фотонов, достаточной дл  фотоионизации атомов иолуироводникового материала.

Известные фототиристоры имеют номинальный ток 1 -10 а, напр жение переключени  100-300 в.

Цель изобретени  - создание тиристорной структуры, управл емой световым импульсом малой мощности, работающей при токе 10- 10з а и напр жении в и более.

Конструкци  такого фототиристора на ток 101-10 а должна обеспечить включение структуры световым импульсом небольшой мощности, надежные омические контакты в структуре дл  подвода к ней тока (IQi-Юз а) и высокое пробивное напр жение.

На чертеже представлен предлагаемый фототиристор .

Фототиристор содержит металлические электроды I и 2 Б форме дисков, изготовленные из материала с коэффициентом термического расширени , близким к коэффициенту расширени  материала полупроводниковой структуры, служащие дл  присоединени  мощных токоподводов, и полупроводниковую Четырехслойную структуру 3.

углубление 4, например, конусообразной формы.

Металлические электроды 1 и 2 соединены со структурой сплавами, обеспечивающими хороши омический и электрический контакт. Верхний контакт имеет одно или несколько отверстий (форма отверстий может быть различна - круг, звезда, пр моугольник и т. д.) дл  доступа светового потока на различные

участки полупроводниковой структуры. От размеров, формы и количества отверстий завис т параметры прибора.

Скорость поглощени  света экспоненциально уменьшаетс  с глубиной проникновени ,

величина фототока определ етс  рассто нием между ближайшими р - п переходом и местом генерации носителей. В св зи с этим дл  повышени  световой чувствительности структуры необходимо сокращать рассто ние между поверхностью и р - п переходами, оказывающими максимальное вли ние на механизм переключени . Это достигаетс  выполнением освещаемой площади полупроводниковой структуры в виде углублени , например, коиусообразной формы.

Возможно также использование многослойных стрзктур с числом слоев более четырех. В этом случае, принима  во внимание механизм действи  подобных структур, можно получить

ходов высоковольтные приборы при сохранении высокой световой чувствительности.

Предмет изобретени 

Фототиристор, состо щий из многослойной полупроводниковой структуры, например, п- р - п - р типа с присоединенными к ней с помощью сплавов металлическими электродами.

служащими дл  присоединени  токоподводов, и с открытой дл  светового потока частью поверхности структуры, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  управлени  структурой с помощью светового импульса небольнюй мощности, в освещаемой части структуры выполнено углубление, налример, конусообразной формы, проникающее на один или несколько слоев.