SU222104A1 - Способ электролитического осаждения индия - Google Patents

Способ электролитического осаждения индия

Info

Publication number
SU222104A1
SU222104A1 SU1148585A SU1148585A SU222104A1 SU 222104 A1 SU222104 A1 SU 222104A1 SU 1148585 A SU1148585 A SU 1148585A SU 1148585 A SU1148585 A SU 1148585A SU 222104 A1 SU222104 A1 SU 222104A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
india
indium
electrolytic deposition
phenylthiourea
gelatin
Prior art date
Application number
SU1148585A
Other languages
English (en)
Original Assignee
М. А. Лошкарев , А. А. Казаров Днепропетровский химико технологический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by М. А. Лошкарев , А. А. Казаров Днепропетровский химико технологический институт filed Critical М. А. Лошкарев , А. А. Казаров Днепропетровский химико технологический институт
Priority to SU1148585A priority Critical patent/SU222104A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU222104A1 publication Critical patent/SU222104A1/ru

Links

Landscapes

  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Description

Известный способ электролитического осаждени  инди  из хлоридных электролитов имеет тот недостаток, что осадки инди  склонны к дендритообразованию.
По предложенному способу электролитического осаждени  инди  дл  получени  мелкокристаллических плотных и равномерных осадков в электролит ввод т
тиомочевину, фенилтиомочевину и желатииу при следующем соотношении компонентов (в г/л): хлористый индий83
58
хлористый натрий
0,4-0,6 тиомочевина фенилтиомочевина 0,4-0,6 1,5-2 желатина
Процесс ведут при
температуре 25°С и плотности тока 150 а/м.
Осадки инди , полученные из предложенного электролита при многосуточном электролизе , плотные и очень равномерные.
Введение тиомочевины, фенилтиомочевины и желатины возможно не только при гальваническом нанесении покрытий индием, но и при электролитическом рафинировании инди .
Эффективность действи  указанных добавок сохран етс  при плотности тока до 200 й/.и2. Дальнейшее повышение плотности тока возможно лишь прн интенсивном перемешивании раствора.
Предмет изобретени 
Способ электролитического осаждени  инди  из электролита на основе хлористого инди  и хлористого натри , отличающийс  тем, что, с целью получени  мелкокристаллических плотных и равномерных осадков, в электролит ввод т тиомочевину, фенилтиомочевину и л елатину при следующем соотношении комнонентов (в г/л):
хлористый индий83
хлористый натрий58
тиомочевина0,4-0,6
фенилтиомочевина0,4-0,6
желатина1,5-2
и процесс ведут при температуре 25°С и DK 150 а/м-.
SU1148585A 1967-04-11 1967-04-11 Способ электролитического осаждения индия SU222104A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1148585A SU222104A1 (ru) 1967-04-11 1967-04-11 Способ электролитического осаждения индия

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1148585A SU222104A1 (ru) 1967-04-11 1967-04-11 Способ электролитического осаждения индия

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU222104A1 true SU222104A1 (ru) 1969-10-07

Family

ID=39047471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1148585A SU222104A1 (ru) 1967-04-11 1967-04-11 Способ электролитического осаждения индия

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU222104A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2136447A (en) * 1983-03-09 1984-09-19 Inst Elektrokhimii Ural Nauchn Electroplating indium on palladium substrate
EP3272909A1 (en) * 2016-07-18 2018-01-24 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Indium electroplating compositions and methods for electroplating indium
CN108823604A (zh) * 2018-08-27 2018-11-16 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心 一次电解制备5n高纯铟的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2136447A (en) * 1983-03-09 1984-09-19 Inst Elektrokhimii Ural Nauchn Electroplating indium on palladium substrate
EP3272909A1 (en) * 2016-07-18 2018-01-24 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Indium electroplating compositions and methods for electroplating indium
CN107630238A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 罗门哈斯电子材料有限责任公司 铟电镀组合物和用于电镀铟的方法
CN108823604A (zh) * 2018-08-27 2018-11-16 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心 一次电解制备5n高纯铟的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU222104A1 (ru) Способ электролитического осаждения индия
GB999117A (en) Electrodeposition of nickel
US3701684A (en) Zinc-zinc halide storage battery
SU379677A1 (ru) йОЕСОЮЗНДЯis^kiilHO-IiXbi^''" -UP БИБЛИОТЕКА
SU148792A1 (ru) Способ получени анодов
SU384933A1 (ru)
SU394459A1 (ru) Способ электролитического кадмирования
SU412297A1 (ru)
SU390902A1 (ru)
SU382762A1 (ru) Способ электролитического осаждения родия
SU411158A1 (ru)
SU373328A1 (ru) Способ электрохимического осаждения сплава палладий-никель
SU442231A1 (ru) Электролит серебрени
SU62343A1 (ru) Способ электролитического рафинировани олова
SU380742A1 (ru) Способ одновременного получения марганца и двуокиси марганца электролизом
SU57834A1 (ru) Способ приготовлени активной кадмий-железной массы дл отрицательного электрода щелочного аккумул тора
SU411155A1 (ru)
SU464659A1 (ru) Способ получени магни электролизом
SU444550A1 (ru) Способ очистки кислых растворов от хлор-ионов
SU369176A1 (ru) Способ электролитического осаждения сплавов меди
SU382759A1 (ru) Электролит для электролитического кадрирования
SU583209A1 (ru) Электролит серебрени
SU388056A1 (ru) Способ электролитического осаждения сплава
SU639965A1 (ru) Способ получени диоксида теллура
SU362068A1 (ru) Способ электролитического осаждения алюминия