SU218307A1 - Способ измерения поляризационных характеристик сегнетоэлектриков - Google Patents

Description

Предлагаемый способ предназначен дл  исследовани  пол ризационных характеристик сегнетоэлсктрических материалов в широком диапазоне температур и напр жений и относитс  к области электронной техники.

В известных способах определени  пол ризационных характеристик сегнетоэлектриков путем обработки гистерезисных кривых, получаемых па электроннолучевом осциллографе, синусоидальное напр жение нодают на последовательном соеднненни испытуемого образца и эталонного конденсатора. Часть этого напр жени  поступает на горизонтальные пластины , напр жение с эталонного конденсатора, пропорциональное пол ризации испытуемого образца, подают на вертикальные пластины осциллографа. На экране осциллографа регистрируетс  зависимость пол ризации Р от напр женности электрического пол  Е (петл  гистерезиса). После градуировки осей кривую фиксируют на фотопленку. Обработка изображени  позвол ет определить основные пол ризационные характеристики сегнетоэлекгрического материала: полную пол ризацию PI, обратимую пол ризацию Pg и остаточную пол ризацию РЗПредлагаемый способ измерени  пол ризационных характеристик отличаетс  от известного тем, что на испытуемый образец и эталонный конденсатор подают гармоническое или импульсное напр жение с различной скважностью и измер ют размах напр жени  на эталонном конденсаторе, по которому суд т об измер емой величине.

Благодар  этому повышаетс  точность и уменьшаетс  врем  измерени .

На фиг. 1 приведена блок-схема установки дл  измерени  пол ризационных характеристик по предлагаемому способу, на фиг. 2

изобрал ены осциллограммы напр жений на различных элементах блок-схемы.

На фиг. 1 обозначено: / - источннк высоковольтного напр жени  синусоидальной формы , 2 - схема формировани  сигнала, 3 -измерительна  схема, 4 - импульсный вольтметр , 5 - самонишундее устройство, 6 -схема управлени  режимами измерени .

В р ду А представлены осциллограммы напр жений (U, U-y и L/4), подаваемых на измерительную схему, а - синусоидальный режим , б - импульсный режим со скважностью в - импульсный режпм со скважностью Y 2; в р ду Б - осциллограммы напр жений на эталонном конденсаторе при соответствуюграммы петель гистерезиса, получаемых по известному способу.

На измерительную схему 3, состо щую з последовательно соединенных испытуемого образца емкости Сх и эталонного конденсатора емкости Со, подают напр жение определенной формы, сформированное из еннусоидального сигнала с помощью схемы формировани  сигнала 2. Схема управлени  режимами измерени  6 осуществл ет автоматическое иерсключение режимов измерени . Иаир женнс на эталонном конденсаторе, иронорцнональное пол ризации испытуемого образца (ири условии ), измер ют нмиульсным вольтметром 4. Произвед  градуировку вольтметра в значени х пол ризации, можно измер ть завиеимость пол ризации от напр жени  и температуры . Самопишущее устройство 5 на выходе импульсного вольтметра позвол ет записать измер емую величину автоматически.

В режиме а на измерительную схему подают синусоидальное напр жение н нзмер ют полную нол ризациЕо образца PI, в режиме б подают импульеы еинусоидальиой фор.л1ы со скважностью Y 1 и измер ют обратимую нол ризацию P-i- Остаточную пол ризацию РЛ определ ют графически вычитанием значений , записаниых на ленте самописца,

Р:,Рг-Р-1в режиме в на измерительную схему подают импульсы c пlycoидaльиoй формы со скважностью 2 и измер ют сумму обрати лой и рслаксирующей иол ризацип P. Релакси| )уюи1ую пол ризацию онрсде.ч ют графически

Р,Р,Р,.

Предлагаемый епособ позвол ет определить не только характеристики, получаемые известиым способом (полную пол ризацию РЬ обратимую пол ризацию Ро и остаточиую нол ризацию P-i), но также н новые характеристики (обратимую пол ризацию Р, и релаксирующую пол ризацию РЗ) .

Соиоставлеппе пол ризационных характернстик . запиеаииых на времеппой диаграмме, с сиихроппыми диаграммами температуры Т п напр женности электрического пол  Е позвол ет находить зависимост P f(T) нрн сопз1и Р (Е) прп 7 const.

П р с д м е т II 3 о б р е т е и и  

Способ измереии  нол ризационпых характеристик еегиетоэлектриков с использованием последовательно соедниеииых иеиьггуемого образна 1 эталонного конденсатора, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности и уменьп1ени  в|)еменп нзмере1П1 , па пспытуеМ1 )1Й образец п эталонный конденсатор подают

гар.моиическое или импульсное иаир жсиие с различной скважиостью ii измер ют размах ианр жеии  на эталонном конденсаторе, но которому суд т об нзмер емой велнчиие.

9игЛ