SU1813303A3 - Способ изготовления полупроводниковых структур - Google Patents
Способ изготовления полупроводниковых структурInfo
- Publication number
- SU1813303A3 SU1813303A3 SU4879676/25A SU4879676A SU1813303A3 SU 1813303 A3 SU1813303 A3 SU 1813303A3 SU 4879676/25 A SU4879676/25 A SU 4879676/25A SU 4879676 A SU4879676 A SU 4879676A SU 1813303 A3 SU1813303 A3 SU 1813303A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- manufacturing process
- semiconductor structure
- structure manufacturing
- floating gate
- tbl
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
Применение: относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления интегральных схем. Сущность: на поверхности полупроводниковой пластины формируют каналоограничительные области путем локального окисления, формируют плавающий затвор, обрабатывают структуру в водном растворе фтористоводородной кислоты состава 1:100-1:10, окисляют плавающий затвор, а затем формируют управляющий затвор. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4879676/25A SU1813303A3 (ru) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Способ изготовления полупроводниковых структур |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4879676/25A SU1813303A3 (ru) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Способ изготовления полупроводниковых структур |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1813303A3 true SU1813303A3 (ru) | 1995-04-30 |
Family
ID=60537241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4879676/25A SU1813303A3 (ru) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Способ изготовления полупроводниковых структур |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1813303A3 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2750315C1 (ru) * | 2020-11-02 | 2021-06-25 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин |
-
1990
- 1990-07-31 SU SU4879676/25A patent/SU1813303A3/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2750315C1 (ru) * | 2020-11-02 | 2021-06-25 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
MY114134A (en) | Electrolytic process and apparatus for the controlled oxidation or reduction of inorganic and organic species in aqueoes solutions. | |
KR850002680A (ko) | 반도체 메모리와 그 제조방법 | |
IT7922105A0 (it) | Processo per fabbricare contatti conduttivi in dispositivi semiconduttori. | |
FR2598256B1 (fr) | Procede de gravure seche selective de couches de materiaux semi-conducteurs iii-v, et transistor obtenu par ce procede. | |
DE3578533D1 (de) | Halbleiterbauelement mit von source- und/oder drain-gebieten umgebenen anschlussflaechen. | |
SU1813303A3 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
EP0066429A3 (en) | Semiconductor memory | |
DE3884679D1 (de) | Niederschlagung von amorphen Silizium zur Herstellung dielektrischer Zwischenschichten für halbleiter Speicherzellen. | |
EP0227839A4 (en) | METHOD FOR FORMING A THIN-LAYER FILM. | |
ATE75076T1 (de) | Duennfilmtransistor und verfahren zu seiner herstellung. | |
DE3580723D1 (de) | Verfahren fuer die behandlung von gelagertem material (schlaemmen) aus der chemischen behandlung der verbrauchten schwefelsaeure mit kalk. | |
JPS5769778A (en) | Semiconductor device | |
FR2340292A1 (fr) | Procede d'oxydation de substrats organiques | |
JPS57103349A (en) | Semiconductor memory device | |
KR920011575A (ko) | 화학 반응기의 표면 처리 방법 | |
DE3586570D1 (de) | Kontaktwerkstoff. | |
JPS5257786A (en) | Field effect transistor | |
JPS52149988A (en) | Semiconductor device | |
JPS57196580A (en) | Nonvolatile semiconductor memory storage | |
JPS52136583A (en) | Mos type semiconductor device | |
JPS57206068A (en) | Semiconductor memory device | |
JPS5359377A (en) | Insulating gate type electric field effect semiconductor unit and itsproduction | |
EP0260061A3 (en) | Mos-gated transistor | |
JPS57117270A (en) | Mos type integrated circuit | |
ATE35483T1 (de) | Verfahren zum herstellen von speicherzellen mit einem ein schwebendes gate aufweisenden mosfeldeffekttransistor. |