SU1813303A3 - Способ изготовления полупроводниковых структур - Google Patents

Способ изготовления полупроводниковых структур

Info

Publication number
SU1813303A3
SU1813303A3 SU4879676/25A SU4879676A SU1813303A3 SU 1813303 A3 SU1813303 A3 SU 1813303A3 SU 4879676/25 A SU4879676/25 A SU 4879676/25A SU 4879676 A SU4879676 A SU 4879676A SU 1813303 A3 SU1813303 A3 SU 1813303A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
manufacturing process
semiconductor structure
structure manufacturing
floating gate
tbl
Prior art date
Application number
SU4879676/25A
Other languages
English (en)
Inventor
М.С. Сухов
Т.А. Чагина
М.И. Хаханова
Н.Ю. Астафурова
В.Г. Штыров
Original Assignee
Научно-исследовательский институт "Восток"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт "Восток" filed Critical Научно-исследовательский институт "Восток"
Priority to SU4879676/25A priority Critical patent/SU1813303A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1813303A3 publication Critical patent/SU1813303A3/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

Применение: относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления интегральных схем. Сущность: на поверхности полупроводниковой пластины формируют каналоограничительные области путем локального окисления, формируют плавающий затвор, обрабатывают структуру в водном растворе фтористоводородной кислоты состава 1:100-1:10, окисляют плавающий затвор, а затем формируют управляющий затвор. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.
SU4879676/25A 1990-07-31 1990-07-31 Способ изготовления полупроводниковых структур SU1813303A3 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4879676/25A SU1813303A3 (ru) 1990-07-31 1990-07-31 Способ изготовления полупроводниковых структур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4879676/25A SU1813303A3 (ru) 1990-07-31 1990-07-31 Способ изготовления полупроводниковых структур

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1813303A3 true SU1813303A3 (ru) 1995-04-30

Family

ID=60537241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4879676/25A SU1813303A3 (ru) 1990-07-31 1990-07-31 Способ изготовления полупроводниковых структур

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1813303A3 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2750315C1 (ru) * 2020-11-02 2021-06-25 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2750315C1 (ru) * 2020-11-02 2021-06-25 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY114134A (en) Electrolytic process and apparatus for the controlled oxidation or reduction of inorganic and organic species in aqueoes solutions.
KR850002680A (ko) 반도체 메모리와 그 제조방법
IT7922105A0 (it) Processo per fabbricare contatti conduttivi in dispositivi semiconduttori.
FR2598256B1 (fr) Procede de gravure seche selective de couches de materiaux semi-conducteurs iii-v, et transistor obtenu par ce procede.
DE3578533D1 (de) Halbleiterbauelement mit von source- und/oder drain-gebieten umgebenen anschlussflaechen.
SU1813303A3 (ru) Способ изготовления полупроводниковых структур
EP0066429A3 (en) Semiconductor memory
DE3884679D1 (de) Niederschlagung von amorphen Silizium zur Herstellung dielektrischer Zwischenschichten für halbleiter Speicherzellen.
EP0227839A4 (en) METHOD FOR FORMING A THIN-LAYER FILM.
ATE75076T1 (de) Duennfilmtransistor und verfahren zu seiner herstellung.
DE3580723D1 (de) Verfahren fuer die behandlung von gelagertem material (schlaemmen) aus der chemischen behandlung der verbrauchten schwefelsaeure mit kalk.
JPS5769778A (en) Semiconductor device
FR2340292A1 (fr) Procede d'oxydation de substrats organiques
JPS57103349A (en) Semiconductor memory device
KR920011575A (ko) 화학 반응기의 표면 처리 방법
DE3586570D1 (de) Kontaktwerkstoff.
JPS5257786A (en) Field effect transistor
JPS52149988A (en) Semiconductor device
JPS57196580A (en) Nonvolatile semiconductor memory storage
JPS52136583A (en) Mos type semiconductor device
JPS57206068A (en) Semiconductor memory device
JPS5359377A (en) Insulating gate type electric field effect semiconductor unit and itsproduction
EP0260061A3 (en) Mos-gated transistor
JPS57117270A (en) Mos type integrated circuit
ATE35483T1 (de) Verfahren zum herstellen von speicherzellen mit einem ein schwebendes gate aufweisenden mosfeldeffekttransistor.