SU1764148A1 - Генератор импульсов - Google Patents

Abstract

Использование: в радиотехнических устройствах различного назначени . елонка х усущ7 И ность изобретени : генератор импульсов содержит два транзисторных аналога тиристора на транзисторах 1, 3 и 2, 4. Ток включени  и ток выключени  эквивалентной тиристорной структуры на транзисторах 1-4 практически равны соответственно току включени  и току выключени  аналогов тиристоров на транзисторах 2. 4 и 1,3. Путем выбора элементов обеспечиваетс  возможность получени  минимального тока включени  и максимального тока выключени , что позвол ет измен ть значение врем за- дающего резистора 8 в широких пределах и обеспечивает расширение диапазона генерации . 2 ил. В Ю ZJ/7 :ы -Й- -с V 1 п Q У е N| О Ј 00

Description

Ј

Изобретение относитс  к импульсной технике и может найти применение в радиотехнических устройствах различного назначени 

Цель изобретени  - расширение диапа- зона частот генерации.

На фиг 1 приведена принципиальна  схема генератора импульсов.

Генератор импульсов содержит первый 1, третий 2 и второй 3, четвертый 4 транзи- сторы соответственно разного типа проводимости , коллектор и база транзистора 1 соединены соответственно с базой и коллектором транзистора 3, база транзистора 1 подключена к эмиттеру третьего транзи- стора 2 того же типа проводимости, второму выводу четвертого резистора 5, а через первый резистор б соединена с общей шиной, эмиттером транзистора 1, который через конденсатор 7 подключена к первому выво- ду третьего резистора 8, эмиттеру транзистора 3 и выходу генератора 9, который через второй резистор 10 соединен с базой транзистора 3 и вторым выводом первого стабилитрона 11, первый вывод которого подключен к эмиттеру транзистора 4, а через п тый резистор 12 подсоединен к базе транзистора 4, коллектору транзистора 2, второму выводу второго стабилитрона 13, первый вывод которого соединен с коллек- тором транзистора 4, базой транзистора 2 и первым выводом резистора 5 второй вывод резистора 8 подключен к шине питани  14.

Устройство работает следующим образом .

В момент подключени  генератора импульсов к источнику посто нного напр жени  все транзисторы закрыты От шины питани  14 через резистор 8 начинает зар жатьс  конденсатор 7, После того как на- пр жение на конденсаторе 7 станет больше чем сумма напр жений пробо  стабилитронов 11 и 13 и пороговых падений напр жени  открывани  переходов эмиттер-база транзисторов 1-4, возникает ток, протекаю- щий через переходы транзисторов 1-4, что приведет к лавинообразному открыванию транзисторов 2 и 4. Это произойдет потому, что, ток включени  аналога тиристора на транзисторах 2 и 4 меньше тока включени  аналога тиристора на транзисторах 1 и 3 (что достигаетс  путем выбора резисторов аналога), напр жение нз катоде стабилитрона 13 уменьшаетс  до значени  падени  напр жени  на переходе база-эмиттер транзистора 1 и включенном аналоге на транзисторах 4 и 2 Это приведет к возрастанию тока эмиттера транзистора 2 за счет тока разр да конденсатора 7, что приведет к лавинообразному открыванию транзисторов 1 и 3 и переходу их в режим насыщени , напр жение на катоде стабилитрона 11 становитс  меньше напр жени  пробо  стабилитрона и транзисторы 2 и 4 закрываютс . Конденсатор 7 разр жаетс  через открытые транзисторы 1 и 3.

После разр да конденсатора транзисторы 1 и 3 закрываютс  и начинаетс  процесс зар да конденсатора 7. В дальнейшем процессы в генераторе импульсов повтор ютс , f

Tok включени  и ток выключени  эквивалентна тиристорной структуры на транзисторах 1-4 практически равны соответственно току включени  и току выключени  аналогов тиристоров на транзисторах 2, 4 и 1,3. Следовательно путем выбора элементов можно получить минимальный ток включени  и максимальный ток выключени , что позвол ет измен ть значение вре- м задающего резистора 8 в широких пределах, а следовательно получение широкого диапазона генерации.

На фиг. 2 приведены ВАХ тиристоров вольт-амперные характеристики (ВАХ) тири- сторных структур на транзисторах 2, 4 (А) и транзисторах 1, 3 (В) и суммарна  характеристика С. Генератор импульсов на приборах с ВАХ S-типа будет выполн ть функции автоколебательного релаксатора при условии пересечени  нагрузочной пр мой с ВАХ в одной точке на участке с отрицательным сопротивлением.

Из фиг. 2 видно, что дл  генератора импульсов на аналоге тиристора В, нагрузочные пр мые могут находитьс  между пр мыми KJ и LJ, а дл  генератора на двух аналогах тиристора, которые имеют суммарную характеристику С, нагрузочные пр мые могут располагатьс  между пр мыми EJ и DJ. Следовательно, диапазон частот генерации предлагаемого генератора импульсов на двух аналогах тиристора шире, чем у генератора импульсов на одном аналоге . Это доказывает расширение диапазона генерации в за вленном генераторе.

Технико-экономический эффект в предложенном устройстве заключаетс  в расширении диапазона генерируемых импульсов.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Генератор импульсов, содержащий первый и второй транзисторы разного типа проводимости , коллектор и база первого транзистора соединены соответственно с базой и коллектором второго транзистора, база первого транзистора подключена к эмиттеру третьего транзистора того же типа проводимости, а через первый резистор со- динена с общей шиной, первой обкладкой

   конденсатора и эмиттером первого транзистора , база второго транзистора через второй резистор подключена к эмиттеру второго транзистора, второй обкладке конденсатора и выходу генератора, который через третий резистор соединен с шиной источника питани , база третьего транзистора подключена к первому выводу четвертого резистора, отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазона частот генерации, введен четвертый транзистор тоги же типа проводимости, что и второй

   транзистор, эмиттер четвертого транзистора соединен с первым выводом первого стабилитрона , а через п тый резистор подключен к базе четвертого транзистора, второму выводу второго стабилитрона и коллектору третьего транзистора, эмиттер которого соединен с вторым выводом четвертого транзистора, а его база подключена к коллектору четвертого транзистора и первому выводу второго стабилитрона, второй вывод первого стабилитрона соединен с базой второго транзистора.

   8ым.

   Фиг. 2