SU1725294A1

SU1725294A1 - Интегральна микросхема в матричном корпусе

Info

Publication number: SU1725294A1
Application number: SU894762164A
Authority: SU
Inventors: Игорь Георгиевич Проценко; Дмитрий Дионисиевич Розе; Виктор Павлович Сергеев
Original assignee: Особое конструкторское бюро при заводе "Процессор"
Priority date: 1989-11-27
Filing date: 1989-11-27
Publication date: 1992-04-07

Abstract

Изобретение относитс к электронной технике, в частности к производству интегральных микросхем. Цель изобретени - повышение производительности при изготовлении и надежности закреплени теплоотвода на матричном корпусе. Способ изготовлени интегральных микросхем с матрич-, ным корпусом включает изготовление теплоотвода,. монтажных слоев с рисунком металлизации межсоединений, соединение всех слоев в пакет совместно с теплоотводом, монтаж кристалла , соединение его с монтажными сло ми и герметизацию. Теплоотвод изготавливают с матричной сеткой отверстий , приэтсм после соединени . всех слоев пакета в последнем производ т сверление отверстий под. штырьковые выводы группы микросхем .; и под соединительные дорожки общего теплсотвода и теплоотводов монтажных площадок кристаллов, после чего производ т их металлизацию. Данна конструкци обеспечивает групповую сборку интегральных микросхем с матричными корпусами. 2 ил. С/

Description

Изобретение относитс к электронной технике, в частности к производству интегральных микросхем.

Известна конструкци интегральной микросхемы, содержаща пластмассовый корпус, подложку из органической смолы , металлизированный рисунок межсоединений , сетку штырьковых выводов, выемку дл размещени полупроводниковых элементов в центре подложки, кристалл, размещенный в выемке, проволочные перемычки, соедин ющие контактные площадки кристалла с контактными площадками корпуса; слой отверж- даемого герметика.

Известна конструкци интегральной микросхемы в матричном корпусе, в том числе из эпоксидного стекплопла- стика, с выемкой под установку криг сталла, содержаща соединени кристалла с внешними выводами, слой герметизирующей смолы.

Однако присоединение к сформированной структуре корпуса интегральной микросхемы теплоотвода необходимой мощности требует вносить в данную структуру дополнительный адгезивный слой, обеспечивающий это присоединение Присоединенный таким образом теплоотвод не составл ет с кор

к а к ее

пусом единой структуры, что приводит в процессе эксплуатации к опасности отслоени теплоотвода и невозможност выполнени своих функций.

Наиболее близкой к предлагаемой вл етс интегральна микросхема, содержаща нижнее диэлектрическое основание, монтажные слои межсоединений с рисунком металлизации, матричной сеткой выводов, вырезом дл установки полупроводникового кристалла , медный теплоотвод по размеру отверсти в нижнем диэлектрическом слое, кристалл, смонтированный в вырезе на поверхности теплоотвода, соединени со сло ми межсоединений, герметизирующий слой .

Однако известна схема имеет следующие недостатки: необходимо изготовление дополнительного нижнего диэлектрического сло и отдельного теплоотвода дл каждой микросхемы, что снижает производительность при производстве интегральных микросхем, уменьшает теплорассеивающую площадь теплоотвсда, не реализуетс возможность группового метода изготовлени ..

Целью изобретени вл етс повышение надежности и технологичности микросхемы,

В интегральной микросхеме в матричном корпусе, содержащей полупроводниковый кристалл, размещенный в корпусе, проволочные перемычки, соедин ющие контактные площадки кристалла с контактными площадками корпуса, пакет металлизированных монтажных слоев, теплоотвод и выводы, размещенные в отверсти х монтажных слоев; теплоотвод выполнен составным, одна часть которого выполнена в виде металлической пластины, площадь которой равна площади пакета монтажных слоев, а друга выполнена в виде металлизированной монтажной площадки кристалла и соединена с металлической .пластиной через металлизированные отверсти в монтажных сло х, отверсти дл выводов выполнены сквозными, проход щими через монтажные слои и пластину теплоотвода ,,диаметр отверстий в пластине теплоотвода выбран превышающим диаметр выводов при этом зазоры между стенками отверстий и выводами заполн ютс дии

17252944

электриком, поверхность которого со стороны отверстий металлизирована.

5

0

5

0

5

0

5

0

5

Предлагаема интегральна микросхема в матричном корпусе отличаетс от известной тем, что теплоотвод выполнен составным, одна часть которого выбрана равной площади монтажных слоев , матрична сетка отверстий в нем заполнена диэлектриком и сквозные отверсти , предназначенные дл установки штырьковых выводов, имеют металлизацию , св занную с монтажными сло ми межсоединений, при этом конструкци теплоотвода позвол ет проводить изготовление матричных корпусов , сверление отверстий в монтажных сло х, их металлизацию, а также селективное нанесение покрытий на контактные площадки корпуса и монтажные площадки дл установки полупроводниковых кристаллов, установку кристаллов и разварку перемычек групповым способом, что увеличивает производительность при изготовлении интегральных микросхем.

Известны интегральные микросхемы в матричном корпусе, которые содержат основание из органической смолы с металлизированным рисунком межсоединений , выемкой дл размещени полупроводниковых элементов в центре подложки, полупроводниковый кристалл, соединени его со схемой межсоединений и слой отвержденного герметика.

Однако в указанных-схемах не предусмотрена возможность получени корпуса интегральной микросхемы в одном пакете совместно с теплоотводом, площадь внешней части которого выбрана равной площади монтажных слоев .

На фиг„1 представлены.составные части пакета; на фиг. 2 - интеграль- на микросхема в матричном корпусе в сборе, разрез.

Интегральна микросхема содержит плоский теплоотвод 1 (фиг.1) из металлического , например медного или алюминиевого, листа с матричной сеткой отверстий 2, диаметр которых выбран превышающим диаметр метзллизи рованных отверстий. 3 (фиг.2) под штырьковые выводы k, монтажные слои 5 (фиге) с рисунком металлизации : межсоединений, прокладки слоев стеклоткани 6, пропитанной эпоксидной смолой (препрег). Слои 1 , 5

1

составл ют пакет 7 (фиг. 1 и 2). Интегральна микросхема содержит - также заполн ющий полимером эпоксидной смолы препрега отверсти 2 матричной сетки общего теплоотвода электроизол ционный слой 8 (фиг.2), металлизированные отверсти 9 обеспечивающие межсоединени монтажных слоев, металлизированные отверсти 10 соединительных дорожек общего теплоотвода 1 (фиг.1 и 2) и тепло- отводов монтажных площадок кристаллов 11 (фиг.2), слой 12 металлизации отверстий 3, 9 и 10, контактные площадки 13 наружного металлизированного сло 5 (фиг и 2) селекивные контактные покрыти 1А (), в частности из никел - золота , полупроводниковый кристалл 15, проволочные перемычки 16, соедин ющие контактные площадки 17 кристаллов 15 и контактные площадки 13 монтажных слоев 5. Контактные площадки 13, кристалл 15, перемычки 16 и отверсти 10 загерметизированы эпокидным герметиком 18.

Использование предлагаемой интегральной микросхемы по сравнению с звестными повышает производительность изготовлени интегральных микросхем в матричных корпусах за счет рессовани последних в одном пакете совместно с теплоотводом, создат электроизол ционный слой в сет е отверстий теплоотвода. Конструкци позвол ет одновременно получать в naKete отверсти под штырьковые выводы, межсоединени монтажных

2529)

слоев и соединительные дорожки общего теплоотвода и теплоотводов монтажных площадок кристаллов, совме- , стно проводить их последующую металлизацию . Кроме того, обеспечиваетс группова сборка интегральных микросхем с матричными корпусами.

Claims

Ю Формула изобретени

Интегральна микросхема в матричном корпусе, содержаща полупроводниковый кристалл, размещенный в кор15 пусе,, проволочные перемычки, соедин ющие контактные площадки кристал- ла с контактными площадками корпуса, пакет металлизированных монтажных слоев, теплоотвод и выводы, разме20 щенные в отверсти х монтажных слоев, отличающа с тем, что, с целью повышени надежности и технологичности , теплоотвод выполнен составным, при этом одна часть его

25 выполнена в виде металлической пластины , площадь которой равна площади пакета монтажных слоев, а друга часть выполнена в виде металлизированной мотажной площадки кристалла

30 и соединена с металлической пластиной через металлизированные отверсти в монтажных сло х, причем отверсти дл выводов проход т через пластину теплоотвода с диаметром,

35 превышающим диаметр выводов, а зазоры между стенками отверстий и выводами заполнены диэлектриком, поверхность которого со стороны вывода металлизирована . .

5

t2 /JJA . U U I f.rW/Ь ГГТП g773-r

-X ч ч ч v V V v

..iХ.ЛX4 i;,v s s

T,fIfr/f ff1ГГ.1/И.Щ

$ // S 4// 4 . / Ч4 V4 f NV / VN V S /

7J

СЧ.4 X 4 V V N 4 .

VS.. л.. /s vsl

/(}/Ј//Ј/iift Y//fJ//fi(fji ff/fl f f /jf ifff

. /f VV /f /f V ff X ,f 4 // // /, // V // 4 /,.

.;