SU1723567A1 - Источник-отражатель тока - Google Patents
Источник-отражатель тока Download PDFInfo
- Publication number
- SU1723567A1 SU1723567A1 SU894760224A SU4760224A SU1723567A1 SU 1723567 A1 SU1723567 A1 SU 1723567A1 SU 894760224 A SU894760224 A SU 894760224A SU 4760224 A SU4760224 A SU 4760224A SU 1723567 A1 SU1723567 A1 SU 1723567A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- source
- transistors
- current
- power supply
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в аналоговых и цифровых микросхемах радиоэлектронной аппаратуры дл задани статических режимов работы элементов. Цель- упрощение технологии изготовлени и повышение процента выхода годных изделий. Источник-отражатель тока содержит бипол рные транзисторы 2,3 и 10, полевой транзистор 4, опорные источники 1 и 9 тока, резистор 6. Выполнение транзисторов 2,3 и 10 с проводимостью п-р-п-типа, а транзистора 4 с каналом р-типа и соединени стока транзистора 4 и эмиттеров транзисторов 2 и 3 с шиной 8 питани , эмиттера транзистора 10 с базами транзисторов 2 и 3, а цепи затвор-исток транзистора 4 между коллектором транзистора 10 позвол ют обеспечить необходимую стабилизацию токов выходных транзисторов 3 при изменении коэффициента усилени бипол рных транзисторов и упростить технологию изготовлени , повысив тем самым процент выхода годных изделий. 1 ил. w Ё
Description
Изобретение относитс к интегральной микросхемотехнике и может быть использовано при разработке операционных усилителей , компаратора и других устройств аналоговой техники, в интегральном полупроводнике исполнении.
Известны источники-отражатели тока на бипол рных транзисторах, которые используютс в интегральных микросхемах. В источнике-отражателе тока, содержащем два однотипных транзистора Т1 и Т2 и источник опорного тока И, выполненный на резисторе RI и источнике питани +Ek, выходной ток Iji вл етс функцией опорного тока И и коэффициента усилени тока В.бипол рных транзисторов в соответствии с выражением
12
kli
1+(k + 1)B 1 ft)
где k-коэффициент масштабировани тока, который определ етс соотношением площадей эмиттерных переходов Ti и Т2 или количеством выходных транзисторов, включенных параллельно Т2. Из этого выражени видно, что недостатком такой схемы вл етс резкое снижение величины выходного тока 2 с уменьшением коэффициента усилени тока В транзистора и увеличением коэффициента масштабировани k.
Введение резистора R2 в базу транзистора дл компенсации спада В не решает проблему, как видно из фиг.5 (крива С).
В известном источнике-отражателе, содержащем три однотипных транзистора Ti.Ta и Тз и источник опорного тока И, выXJ
ю
СО 01 СЬ X
полненный на резисторе RI и источнике питани Ek, зависимость коэффициента масштабировани k от величины В значительно слабее, чем в ранее известном при k 1, однако при k 1 эта зависимость еще сильнее .
Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс источник-отражатель тока, содержащий два бипол рных транзистора р-п-р-типа проводимости Q801, Q802, два полевых р- канальных транзистора 4 и 5, источник опорного тока IIN и шину источников питани Vs.
Коллектор транзистора Q801, вл ющийс входом источника-отражател тока, соединен с затвором полевого транзистора 5; базы бипол рных транзисторов Q801 и Q802 объединены и соединены с истоком полевого транзистора и со стоком полевого транзистора 4; эмиттеры транзисторов Q801 и Q802 соединены с шиной источника питани Vs и с этой же шиной соединены затвор и исток полевого транзистора 4; сток .полевого транзистора 5 соединен с отрицательной шиной источника питани , выходом источника-отражател тока вл етс коллектор транзистора 0802.
В такой схеме источника-отражател тока выходной ток IOVT определ етс по формуле
,OVT.|iQ§9i,{N,
(2)
S3Q801
и не зависит от коэффициента усилени тока бипол рных транзисторов.
Вместе с тем при изготовлении интегральных схем основным элементом планар- ной технологии вл етс транзистор типа n-p-п, который по своим усилительным и частотным свойствам значительно лучше p/n/p-транзисторов с боковой инжекцией. Данна известна схема источника-отражател тока может быть построена на основе n-p-n-транзисторов, однако в этом случае полевые транзисторы 4 и 5 должны быть п-канальные.
Таким образом, схема источника-отражател тока не может быть реализована на основе так называемой упрощен ной BI-FET- технологии, котора использует только два типа комплементарных транзисторов - бипол рный n-p-n-типа и полевой р-каналь- ный(РЕТ). .
.Цель изобретени - реализаци источника-отражател тока на основе упрощенной BI-FET технологии с применением только бипол рного n-p-n-транэистора и полевого р-канального транзистора.
Поставленна цель достигаетс тем, что в источнике-отражателе тока, содержащем источник опорного тока, входной и выходные бипол рные транзисторы, полевой
транзистор, нагрузки и две шины источника питани , причем коллектор входного транзистора соединен с затворим полевого транзистора и через источник опорного тока - с первой шиной источника питани , базы
0 входного и выходных транзисторов объединены между собой, эмиттеры этих транзисторов соединены со второй шиной источника питани , и с этой шиной соединен сток полевого транзистора, коллекторы
5 выходных транзисторов через соответствующую нагрузку соединены с первой шиной источника питани , согласно изобретению введены дополнительные источник тока и бипол рный транзистор, этот дополнитель0 ный источник тока включен между истоком
полевого транзистора и первой шиной источника питани , база дополнительного бипол рного транзистора соединена с истоком полевого транзистора, эмиттер до5 полнительного бипол рного транзистора соединен с базами входного и выходных транзисторов и через резистор - со второй шиной источника питани , а коллектор дополнительного бипол рного транзистора
0 соединен с первой шиной источника питани , при этом все бипол рные транзисторы n-p-n-типа между собой и соединены с эмиттером дополнительного бипол рного транзистора n-p-n-типа между первой ши5 ной источника питани и коллектором входного транзистора включен источник опорного тока, а в коллекторах выходных транзисторов включены нагрузки. Затвор полевого транзистора соединен с коллекто0 ром входного транзистора, сток полевого транзистора соединен со второй шиной источника питани , а исток этого транзистора через дополнительный источник тока соединен с первой шиной источника питани ; с
5 этой же шиной соединен коллектор вспомогательного бипол рного транзистора, база которого соединена с истоком полевого транзистора. Эмиттеры входного и выходных транзисторов соединены со второй ши0 ной источника питани , и с этой же шиной через дополнительный резистор соединен эмиттер дополнительного бипол рного транзистора.
На чертеже представлена схема источ5 ника-отражател тока.
Устройство содержит источник опорного тока 1, входной 2 и выходные 3 бипол рные транзисторы, полевой транзистор 4 нагрузку 5, резистор 6, две шины источника питани 7 и 8, дополнительные источник
тока 9 и бипол рный транзистор 10. Коллектор сходного транзистора 2 через источник опорного тока 1 соединен с первой шиной 7 источника питани и с затвором полевого транзистора 4; базы входного 2 и выходных 4 транзисторов между собой и соединены с эмиттером дополнительного транзистора 10 и через резистор 6 - со второй шиной 8 источника питани ; исток полевого транзистора 4 через дополнительный источник тока 9 соединен с первой шиной 7 источника питани и с базой дополнительного транзистора 10, коллектор которого соединен с первой шиной 7 источника питани ; сток полевого транзистора 4 соединен со второй шиной 8 источника питани , а ко ллек- тор каждого из выходных транзисторов 3 через соответствующую нагрузку 5 соединен , с первой шиной 7 источника питани и нагрузки 5, резистор 6, две шины источника питани 7 и 8, дополнительный источник тока 9 и полевой транзистор 10. Коллектор входного транзистора 2 через источник опорного тока 1 соединен с первой шиной 7 источника питани и с затвором полевого транзистора 10; базы входного транзистора 2 и выходных транзисторов 4 объединены между собой и соединены с эмиттером вспомогательного транзистора 3 и через резистор 6 - со второй шиной 8 источника питани ; исток полевого транзистора 10 через дополнительный источник тока 9 соединен с первой шиной 7 источника питани и с базой вспомогательного транзистора 3, коллектор которого соединен также с первой шиной 7 источника питани ; сток полевого транзистора 10 соединен со второй шиной 8 источника питани , а коллектор каждого из выходных транзисторов 4 через соответствующую нагрузку 5 соединен с первой шиной источника питани 7.
Положительный эффект достигаетс следующим образом.
На чертеже нетрудно найти значение выходного тока I любого из выходных транзисторов 3:
Зэз
5э1
.4 (3)
где Зэз1, Зэ1 - площади эмиттерных переходов 1-го выходного транзистора 3 и входного транзистора 1 соответственно;
И - ток источника опорного тока I;
1ут.4 - ток утечки затвора полевого транзистора 4, который не зависит от величины тока стока полевого транзистора и на несколько пор дков меньше самых мини0
5
0
5
0
5
0
5
0
5
мальных рабочих токов бипол рных транзисторов , в том числе и тока 1 опорного источника тока 1.
Пренебрега величиной 1уТ.4 по сравнению с It в выражении (3), получим
u,-|si,.«
Таким образом в предложенном устройстве выходной ток любого из выходных транзисторов 3 не зависит от коээфициента усилени тока В бипол рных транзисторов. Единственным условием, обеспечивающим работоспособность такого устройства, вл етс выбор значени тока Ig дополнительного источника тока 9 из услови
ii + 1з
(S)
19
В (В +1)
где з - суммарный ток всех выходных транзисторов .
Очевидно, это условие можно всегда выполнить при любых значени х коэффициента усилени тока В бипол рныхтранзисторов и суммарного тока 13 выходных транзисторов.
. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и
Источник-отражатель тока, содержащий источник опорного тока, входной и выходные бипол рные транзисторы, полевой, транзистор и две шины источника питани , причем коллектор входного транзистора соединен с затвором полевого транзистора и через источник опорного тока - с первой шиной источника питани и с общей шиной дл подключени нагрузок, базы входного и выходных транзисторов объединены между собой, а эмиттеры соединены с второй шиной источника питани и со стоком полевого транзистора, коллекторы выходных транзисторов соединены с выходными шинами дл подключены нагрузок, отличающийс тем, что, с целью упрощени технологии изготовлени и повышени процента выхода годных, в него введены дополнительный источник тока, включенный между истоком полевого транзистора и первой шиной источника питани , и дополнительный бипол рный транзистор, соединенный базой с истоком полевого транзистора; эмиттером - с базами входного и выходных транзисторов и через резистор - с второй шиной источника питани , а коллектором - с первой шиной источника питани , при этом бипол рные транзисторы выбраны с проводимостью п-р-п-типа.
Claims (1)
- 'Формула изобретенияИсточник-отражатель тока, содержащий источник опорного тока, входной и выходные биполярные транзисторы, полевой транзистор и две шины источника питания, причем коллектор входного транзистора соединен с затвором полевого транзистора и через источник опорного тока - с первой шиной источника питания и с общей шиной для подключения нагрузок, базы входного и выходных транзисторов объединены между собой, а эмиттеры соединены с второй шиной источника питания и со стоком полевого транзистора, коллекторы выходных транзисторов соединены с выходными шинами для подключены нагрузок, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения процента выхода годных, & него введены дополнительный источник тока, включенный между истоком полевого транзистора и первой шиной источника питания, и дополнительный биполярный транзистор, соединенный базой с истоком полевого транзистора; эмиттером с базами входного и выходных транзисторов и через резистор - с второй шиной источника питания, а коллектором - с первой шиной источника питания, при этом биполярные транзисторы выбраны с проводимостью п-р-п-типа.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894760224A SU1723567A1 (ru) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | Источник-отражатель тока |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894760224A SU1723567A1 (ru) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | Источник-отражатель тока |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1723567A1 true SU1723567A1 (ru) | 1992-03-30 |
Family
ID=21480146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894760224A SU1723567A1 (ru) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | Источник-отражатель тока |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1723567A1 (ru) |
-
1989
- 1989-10-16 SU SU894760224A patent/SU1723567A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US NJ 4603290, кл. G 05 F 3/16, 1986. Патент US № 4473794. кл. G OS F 3/20, 1984. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES371704A1 (es) | Un amplificador diferencial. | |
GB1497102A (en) | Current amplifier | |
JPS6395734A (ja) | 高安定性と低レスト電流を有する論理インターフェイス回路 | |
US4697154A (en) | Semiconductor integrated circuit having improved load drive characteristics | |
US4253033A (en) | Wide bandwidth CMOS class A amplifier | |
US4121169A (en) | Amplifier device | |
GB1322516A (en) | Signal translating stage | |
WO1989007792A1 (en) | Mos current mirror with high output impedance and compliance | |
US4340867A (en) | Inverter amplifier | |
GB1264187A (ru) | ||
US4450366A (en) | Improved current mirror biasing arrangement for integrated circuits | |
US4688001A (en) | High Efficiency, low distortion amplifier | |
US4383223A (en) | CMOS Operational amplifier employing push-pull output stage | |
US4801893A (en) | Forward transimpedance amplifier | |
US5166636A (en) | Dynamic biasing for class a amplifier | |
US4542348A (en) | High efficiency IGFET operational amplifier | |
GB1469793A (en) | Current proportioning circuit | |
US4810903A (en) | BICMOS driver circuit including submicron on chip voltage source | |
KR940011386B1 (ko) | 증폭 회로 및 푸시풀 증폭기 | |
SU1723567A1 (ru) | Источник-отражатель тока | |
US4706039A (en) | Amplifier arrangement | |
US5124586A (en) | Impedance multiplier | |
US4553107A (en) | Current mirror circuit having stabilized output current | |
WO1981000928A1 (en) | Sample and hold circuit with offset cancellation | |
US3753137A (en) | Amplifier |