SU1713448A3 - Способ определени толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкци х и устройство дл его осуществлени - Google Patents
Способ определени толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкци х и устройство дл его осуществлени Download PDFInfo
- Publication number
- SU1713448A3 SU1713448A3 SU894613326A SU4613326A SU1713448A3 SU 1713448 A3 SU1713448 A3 SU 1713448A3 SU 894613326 A SU894613326 A SU 894613326A SU 4613326 A SU4613326 A SU 4613326A SU 1713448 A3 SU1713448 A3 SU 1713448A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- sample
- etching
- electrode
- fact
- electrodes
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 18
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 229940075397 calomel Drugs 0.000 abstract description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
- G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/416—Systems
- G01N27/42—Measuring deposition or liberation of materials from an electrolyte; Coulometry, i.e. measuring coulomb-equivalent of material in an electrolyte
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Weting (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерительной технике. Цель изобретени - ловыше- ние точности и производительности. Способ состоит в том, что исследуют несущий слоистую конструкцию полупроводниковый образец б.прйвод т его в контакт с электролитом 2. подвергают анодному трав- ne»v\K)H при травлении путем интегрирова- ни тока определ ют глубину травлени , одновременно ибразец 6 параллельно с травлением возбуждают электрическим сигналом и измер ют действительную компоненту полной проводимости образца при частоте возбуждени , т.е. его активную про- воДимость, исследуют экстремальные значени ЭТОЙ компоненты и фиксируют значени глубины травлени , соответствующие этим экстремумам, характеризующимСОО)t00>&ы
Description
переходы исследованных слоев образца 6. Устройство дл осуществлени способа содержит электролизер 1. заполненный злектролитрм 2, погруженный в зтот злектролит 2 графитовый электрод 3, насыщенный каломельный электрод 4 и охватывающий травленую поверхность образца 6 металлический (платиновый) электрод 5, электроды 7 и 8, которые касаютс поверхности образца б, не подвергнутой травлению, потенциостат 10,
который соединен с каломельным электродом 4 и сточником 9 питани посто нного тока, интегратор 11 тока, принимающий сигнал силы тока травлени , генератор 12, подключающий между образцом б и металлическим электродом 5 периодический сигнал, и измеритель 13 действительной компоненты полной (активной) проводимости образца б. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 2 ил.
Изобретение относитс к измерительной технике и может быть использовано дл определени толщины сло в полупроводниковых слоистых конструкци х, в частности в гетеропереходах.
Цель изобретени - повышение точности и производительности путем более точного определени границ слоев слоистых конструкций и уменьшени затрат времени на измерение.
На фиг. 1 представлена схема устройства дл определени толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкци х: на фиг. 2 - диаграмма зависимости глубины травлени от действительной компоненты полной проводимости (активной проводимости ).,
Устройство дл определени толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкци х содержит электролизер 1, заполненный электролитом 2, размещенные в электролизере 1 графитовый электрод 3, насыщенный каломельный электрод 4 и металлический электрод 5, предназначенный дл размещени у поверхности образца б с полупроводниковой слоистой конструкцией, группу электродов 7 и 8, содержащую не менее двух электрода и предназначенную дл контактировани с противоположной стороной образца б, источник 9 питани посто нного тока, потенциостат 10, выход которого соединен с графитовым электродом 3, вход регулировани - с насыщенным каломельным электородрм 4, а вход питани с выходом источника 9 питани посто нного тока, интегратор 11 тока, подключенный к группе электродов 7 и 8, генератор 12, подключенный к металлическому электроду 5 и через интегратор 11 тока к группе электродов 7 и 8, и измеритель реакции образца, выполненный в виде измерител 13 действительной компоненты полной проводимости и подключенный к выходу генератора.
Измеритель 13 действительной компоненты полной проводимости целесообразно выполн ть в виде .последовательно соединенн(х блокировочного усилител и
фазочувствительного детектора.
Устройство может также содержать блок 14 обработки сигналов, к первому входу которого подключен выход измерител 13 действительной компоненты полной проводимости, а к второму входу - выход интегратора 11 тока.
Блок 14 обработки сигналов выполн ют в виде двухкоординатного самописца.
Дл проведени измерени необходи5 МО осуществить омический контакт со стороной образ,ца б, противоположной слоистой конструкции. Этот контакт обычно осуществл етс с помощью вольфрамовых электродов 7 и 8, выполненных в виде остри с радиусом закруглени 25 мкм.
Дл соответствующего контакта и его контролируемости должны использоватьс несколько злектродов 7 и 8 (по меньшей мере два), упруго прижатых к образцу б с по 5 мощью злемента 15. кроме того, остри злектродов 7 и 8 целесообразна покрыть контактным металлом, соответствующим материалу образца б. Дл дальнейшего улучшени контакта с использованием блока 16 вжигани перед началом измерений между полупроводником и электродами 7 и 8 разр жают соответственно зар женный конденсатор, что приводит к сплаву с малым количеством металла.
В устройстве используетс , кроме того, насос 17, который дл обеспечени равномерной травленой поверхности посто нно поддерживает Циркул цию электролита 2
0 или перемешивает его за счет вдувани газа N2. так что продукты травлени удал ютс с поверхности полупроводниковой структуры .
На электролизере 1 против приемного отверсти 18 дл образца 6 находитс окошко 19, черед которое образец 6 может освещатьс с помо1цью источника 20 света.
Сущность способа заключаетс в следукзщем .
Максимум сигнала активной проводимости в зависимости от частоты измерительного высокочастотного сигнала наблюдаетс тогда, когда
(,0)
где («-частота измерительного сигнала;
г - посто нна времени термической эмиссий глубокого уровн .
Если высокочастотна активна проводимость измер етс при фиксированной частоте (например, в диапазоне 3-10 кГц), то посто нно наход т состо ни , дл которых вл етс действительным уравнение (1), т.е. когда при продвмжейии фронта травлени опорожненной зоной достигаетс гранйчt на поверхность двух слоев и сигнал актив ной проводимости Экстремален.
В св зи с тем, что зона обеднени создаетс также установленным полем, не требуетс обеспечивать специальное предварительное напр жением направлении запирани .
При реализации предлагаемого способа провод т:
а) электролитическое (анодное) травление провер емой многослойной Полупроводниковой конструкции, например диска, с помощью электролиза посто нным током в виде функции от , при этом измер ют толщину сн того сло ;
б) параллельно анодному травлению измер ют действительную часть полной проводимости грайичной поверхности полупроводник-электролит в виде функции от глубинь травлени , котора может быть определена на основании величинвремени, тока и толщины (положение граничной поверхности между сло ми из различного материала и/и/ти с различным легированием имеетс при экстремальной величине сигнала активности).
Еслк измер етс образец п-типа, то его поверхность контакта с электролизом возбуждают светом.
Затраты времени при этом существенно уменьшаютс , поскольку травление осуществл ют непрерывно в течение всего измерени .
При измерени х провод т возбуждение с помощью синусоидального сигнала с частотой в диапазоне 500 10 кГц.
Травление провод т силой тока в диапазонб 1 мкА.
Сигнал возбуждени необходимо подключать между металлическим, предпочтительно платиновым, электродом 5. погружаемым в электролит 2 и охватывающим поверхность травлени образца 6, и по меньшей мере двум остри ми электро дов 7 и В, прижатыми к какойлибо другой поверхности образца6.
Контакт с образцами 6 может быть улучшен , если перед началом измерений проводить разр д между остри ми электродов 7 и 8 и образцом 6, немного вплавл материал остри электрода 7 (8) в образец 6.
Устройство работает следующим образом .,.
При измерении осуществл ют анодное травление поверхности образца 6, наход щейс в контакте с электролитом 2, с помощью приложенного посто нного напр жени между графитовым электродом 3 и электродами 7 и 8. Необходимое дл анодного травлени посто нное напр жение (напр жение травлени ) выбирают с помощью характеристики I - V образца 6 с полупроводниковой слоистой структурой. Дл установлени напр жени исПользуют потенциостат 10, в качестве опорной величины по отношению к этому выбирают напр жение , обеспечиваемое каломельным электродом 4. Потенциал, спонтанно возникающий между раствором, эл ектролитом 2, и полупроводниковой поверхностью образца 6, - это равновесный потенциал раствора , его величину указывают по отношению к каломельному электроду 4.
Дл осуществлени измерений необходимо выдержать некоторые услови :
а)полупроводник относительно графитового электрода 3 независимо от типа проводимости должен иметь положительное напр жение дл того, чтобы могло осуществл тьс анодное травление;
б)при использовании материалов п-типа полупроводник дл того, чтобы Процесс травлени могпротекать, должен освещатьс светом большей или такой же по величине энергиТ1, что и запрещенна зона полупроводника , дл обеспечени образовани необходимых дл протекани травлени неосновных носителей зар да (дырок); -в )электролит 2 должен удерживать анодно Окисленный продукт в растворе;
г)при травлении поверхность полупроводникового образца должна иметь как можно меньшую неравномерность поверхности .
Равномерность (Мала шероховатость) поверхности достигаетс :
а) при применении материалов р-типа соответствующим напр жением травлени .
ток травлени составл ет 1 - 100 мкА, (В св зи с тем, что полупроводниковый образец 6 за счет напр жени травлени предварительно находитс под напр жением в направлении пропускани , дл обеспечени возможности измерени активной проводимости с помощью источника 9 питани посто нного тока между металлическим (платиновым) электродом 5 и электродами 7 и 8 создают предварительное напр жение в направлении запирани . Его обычна величина составл ет около 0,2-0,6 В по отношению к каломельному электроду 4.}:
.6) при применении материалов установлением тока травлени в диапазоне 1-100 мкА выбором интенсивности света источника 20 освещени и величины напр жени травлени .
При применении материалов обоих типов необходимо обеспечивать перемешивание электролита дл обеспечени удалени продуктов травлени , использу насос 17.
Дл проведени измерений высокочастотной полной проводимости (импеданса) с помощью генератора 11 между металлическим (платиновым) электродом 5 и электродами 7 и 8, имеющими омический контакт с образцом 6 полупроводника, используют сигнал с малым нелинейным искажением, частота повторени которого может измен тьс от 500 Гц до ЮкГц, эффективна величина напр жени 5-50мВ. Реакци полупроводниковой конструкции образца 6 (смещенный относительно напр жени по фазе токовый сигнал) поступает на измеритель 13 действительной компоненты полной проводимости, содержащей блокировочный усилитель и фазочувствительн ый детектор и вырабатывающий на выходе действительную компоненту (активную проводимость) полной проводимости (в случае необходимости можно измер ть обе компоненты инпеданса ).
Ток анодного травлени обрабатываетс интегратором 11 тока и на его выходе получают с учетом геометрических размеров исследованного образца 6 и его плотности величины толщин слоев. Блок 14 обработки сигналов принимает в качестве компоненты Y выходной сигнал полной проводимости измерител 13, в качестве компоненты X - сигнал толщины сло , обработванный интегратором 11 тока, и вычерчивает диаграмму X-Y. Если в качестве блока обр1аботки сигналов используют вычислительную машину, входные данные подают через аналого-цифровой преобразователь . В качестве конечного результата измерени получают изменение величины действительной компоненты полной проводимости (активной проводимости) в зависимости от глубины травлени (толщины сн того сло или сбоев): экстремальные величины - это толщина отдельных слоев.
Пример. Образец 6 с исследуемой полупроводниковой структурой состоит из 10-слойной структуры на подложке CaAs птипа , выполненной из чередующихс п ти слоев Cao,eAlo.4As п-типа и CaAs п-типа. В качестве верхнего сло служит слой CaAs толщиной 0,5 мкм, толщина остальных слоев составл ла 0,1 мкм.В качестве электро лита 2 используют раствор 1 н.КОН. Образец 6 облучают источником 20 света, причем используют галогеновую лампу с соответствующей фокусирующей системой и инфрафильтром. Измерени провод т при 25°С (комнатна температура).
Измеренный без, освещени равновесный потенциал по отношению к насыщенному каломельному электроду составл ет 4(б-0;8)В.
Напр жение травлени 0,2 В. его направление противоположно направлению равновесного потенциала.
Сила тока травлени 5-1 ОмкА.
Измерение провод т при непрерывном текущем посто нйом травлении, обща продолжительность измерени 180 мин.
Результат измерени приведен на изображенной на фиг. 2 диаграмме активна проводимость - глубина травлени . С полученной диаграммы может быть отчетливо считана толщина в целом дес ти слоев. Положение граничных переходов про вл етс в форме минимумов или максимумов сигнала активной проводимо;:ти в зависимости от того, увеличиваетс или уменьшаетс энерги запрещенной Зоны на граничной поверхности .
Величина знергии дл CaAs 1,4 эВ. дл Cao.6Alo.4As 1,8 эВ.
Таким образом, продолжительность иэмерени за счет непрерывно проводимого травлени существенно уменьшаетс по сравнению с известными методами измерени и достигнутый результат обладает точностью .
Формула иэобретени
1. Способ определени толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкци х , заключающийс в том, что образец с закрепленной на нем слоистой конструкцией ввод т в контакт с электролитом, осуществл ют его анодное травление Со стороны слоистой конструкции, во врем ког торого интегрируют значение тока травлени , по которому суд т о глубине травлени . одновременно возбуждают образец с помощью периодического электрического сигнала и измер ют реакцию на это воздействие , отличающийс тем, что, с целью повышени точности и производительности , в качестве реакции на воздействие используют действительную компоненту полной проводимости образца, фиксируют экстремальные значени этой компоненты и соответствующие им глубины травлени и по последним определ ют границы исследуемых слоев слоистой конструкции. 2.Способ по п..1,отличающийс тем, что травление образца осуществл ют непрерывно. 3.Способ по пп. 1 и 2, отличаю щи йс тем, что поверхность образца трав т равномерно . А. Способ по пп. 1-3, о т л и ч а ю щ и йс тем, что образец возбуждают синусоидальным сигналом с частотой, определ емой из интервалов 500 кГц. 5.Способ по пп. 1-4, о т л и ч а ю щи йс тем, что травление осуществл ют силой тока i в Интервале 1 1 100мкА. 6.Способ по пп. 1-5. отличаю щийс тем, что возбуждение образца осуществл ют с помощью платинового электрода, который погружают в электролит и размещают у поверхности образца, подвергающейс травлению, и не менее двух электродов, которые прижимают к поверхности образца, не подвергаемой травлению 7.Способ по п. 6, о т л и ч а ю щ и и с тем, что перед началом измерени вплавл ют остри электродов в поверхность образца с помощью электрического разр да. 8.Устройство дл определени толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкци х, содержащее заполненный электролитом электролизер, размещенные в электролизере графитовый электрод, насыщенный каломельный электрод и металлический электрод, предназначенный дл размещени у поверхности образца с полупроводниковой слоистой конструкцией, группу электродов, содержащую не менее двух электродов и предназначенную дл контактировани с противоположной стороной образца, источник питани посто нного тока, потенциостат, выход которого соединен с графитовым электродом, вход регулировани - с насыщенным каломельным электродом, а вход питани - с выходом 110трчника питани посто нного тока, интегратор тока, подключенный к группе электродов , генератор, подключенный к металлическому электроду и группе электро дов и измёрите/)ь реакции образца, подключенный к выходу генератора, о т л и ч а ю щ е е с тем, что, с целью повышени точности и производительности, измеритель реакции образца выполнен в виде измерител действительной компоненты полной проводимости . 9.Устройство по п. 8, о т л и ч а .ю щ еес тем, что измеритель действительной компоненты полной проводимости выполнен в виде последовательно соединенных блокировочного усилител и фазочувствительного детектора. 10.Устройство по пп. 8 и 9, о т л и ч а ющ е е с тем. что О.но снабжено блоком обработки сигналов, к первому входу которого подключен выход измерител действительной компоненты полной проводимости, а к второму входу -- выход интегратора тока, i 11 .Устройство по п. 10, от л и ч а ю щ е ес тем, что блок обработки сигналов выполнен в виде двухкоординатного самописца.
i
0.1 0.5 1.0 r.5 2.0 jum фиг 2
Claims (11)
- Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я1. Способ определения толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкциях, заключающийся в том, что образец с закрепленной на нем слоистой конструкцией вводят в контакт с электролитом, осуществляют его анодное травление со стороны слоистой конструкции, во время КОг торого интегрируют значение тока травления, по которому судят о глубине травления, одновременно возбуждают образец с помощью периодического электрического сиг9 нала и измеряют реакцию на это воздействие, отличающийся тем, что. с целью повышения точности и производительности, в качестве реакции на воздействие используют действительную компоненту полной проводимости образца, фиксируют ' экстремальные значения этой компоненты й соответствующие им глубины травления и по последним определяют границы исследуемых слоев слоистой конструкции.
- 2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что травление образца осуществляют непрерывно.
- 3. Способ по пп. 1 и 2, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что поверхность образца травят равномерно.
- 4. Способ по пп. 1-3, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что образец возбуждают синусоидальным сигналом с частотой, определяемой из интервалов 500 Гц^ <10 кГц.
- 5. Способ по пп. 1-4, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что травление осуществляют силой тока i в интервале 1 мкА< 1<100мкА.
- 6. Способ по пп. 1-5, отличаю щий- с я тем. что возбуждение образца осущест- 25 вляют с помощью платинового электрода, который погружают в электролит и размещают у поверхности образца, подвергающейся травлению, и не менее двух электродов, которые прижимают к поверх- 30 ности образца, не подвергаемой травлению.
- 7. Способ по п. 6, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что перед началом измерения вплавляют острия электродов в поверхность образца с помощью электрического разряда.
- 8. Устройство для определения толщи- ны слоев в полупроводниковых слоистых , конструкциях, содержащее заполненный электролитом электролизер, размещенные в электролизере графитовый электрод, на- 40 сыщенный каломельный электрод и металлический электрод, предназначенный для размещения у поверхности образца с полупроводниковой слоистой конструкцией, группу электродов, содержащую не менее двух электродов и предназначенную для контактирования с противоположной стороной образца, источник питания постоянного тока, потенциостат, выход которого соеди10 нен с графитовым электродом, вход регулирования - с насыщенным каломельным электродом, а вход питания - с выходом источника питания постоянного тока, интегратор тока, подключенный к группе электродов, генератор, подключенный к . металлическому электроду и группе электро -, / дов и измеритель реакции образца, подключенный к выходу генератора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и производительности, измеритель реакции образца выполнен в виде измерителя действительной компоненты полной проводимости.
- 9. Устройство по л. 8, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что измеритель действительной компоненты полной проводимости выполнен в виде последовательно соединенных блокировочного усилителя и фазочувствительного детектора.
- 10. Устройство по пп. 8 и 9, о т л и чающее с я тем, что оно снабжено блоком обработки сигналов, к первому входу которого подключен выход измерителя действительной компоненты полной проводимости, а к второму входу - выход интегратора тока. '
- 11. Устройство по п. 10, от лича юще еся тем, что блок обработки сигналов выполнен в виде двухкоординатного самописца.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| HU871989A HU199020B (en) | 1987-05-04 | 1987-05-04 | Method and apparatus for measuring the layer thickness of semiconductor layer structures |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1713448A3 true SU1713448A3 (ru) | 1992-02-15 |
Family
ID=10957177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU894613326A SU1713448A3 (ru) | 1987-05-04 | 1989-01-04 | Способ определени толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкци х и устройство дл его осуществлени |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4995939A (ru) |
| EP (1) | EP0314726A1 (ru) |
| JP (1) | JPH01503506A (ru) |
| DD (1) | DD272695A1 (ru) |
| HU (1) | HU199020B (ru) |
| SU (1) | SU1713448A3 (ru) |
| WO (1) | WO1988009053A1 (ru) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3837290A1 (de) * | 1988-11-03 | 1990-07-05 | Heraeus Elektroden | Pruefung von elektroden mit aktivierungsschichten |
| JP3013377B2 (ja) * | 1990-03-07 | 2000-02-28 | 日産自動車株式会社 | 半導体基板のエッチング方法 |
| HU213196B (en) * | 1990-07-12 | 1997-03-28 | Semilab Felvezetoe Fiz Lab Rt | Process for electrochemical solving semiconductive materials and process for measuring parameters of semiconductive materials dependent on depth as a function of depth by electrochemical solving of semiconductive materials |
| US5200693A (en) * | 1991-02-26 | 1993-04-06 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method for determining characteristics of pn semiconductor structures |
| US5300200A (en) * | 1992-10-21 | 1994-04-05 | Semiconductor Physics Laboratory Rt | Method for stabilizing the effective dissolution valence of silicon during electrochemical depth profiling |
| US5788801A (en) * | 1992-12-04 | 1998-08-04 | International Business Machines Corporation | Real time measurement of etch rate during a chemical etching process |
| US5582746A (en) * | 1992-12-04 | 1996-12-10 | International Business Machines Corporation | Real time measurement of etch rate during a chemical etching process |
| US5573624A (en) * | 1992-12-04 | 1996-11-12 | International Business Machines Corporation | Chemical etch monitor for measuring film etching uniformity during a chemical etching process |
| US5338390A (en) * | 1992-12-04 | 1994-08-16 | International Business Machines Corporation | Contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching process |
| US5489361A (en) * | 1994-06-30 | 1996-02-06 | International Business Machines Corporation | Measuring film etching uniformity during a chemical etching process |
| US5516399A (en) * | 1994-06-30 | 1996-05-14 | International Business Machines Corporation | Contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching |
| US5445705A (en) * | 1994-06-30 | 1995-08-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching process |
| US5501766A (en) * | 1994-06-30 | 1996-03-26 | International Business Machines Corporation | Minimizing overetch during a chemical etching process |
| US5480511A (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method for contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching process |
| US5451289A (en) * | 1994-06-30 | 1995-09-19 | International Business Machines Corporation | Fixture for in-situ noncontact monitoring of wet chemical etching with passive wafer restraint |
| US5492594A (en) * | 1994-09-26 | 1996-02-20 | International Business Machines Corp. | Chemical-mechanical polishing tool with end point measurement station |
| US6649075B1 (en) | 1996-07-23 | 2003-11-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring etch uniformity of a semiconductor wafer |
| JPH1070167A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウェハ表面積のモニタ方法およびモニタ装置 |
| US6015462A (en) * | 1997-09-30 | 2000-01-18 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing workpiece position sensing |
| US5895223A (en) * | 1997-12-10 | 1999-04-20 | Industrial Technology Research Institute | Method for etching nitride |
| US6165306A (en) * | 1998-06-01 | 2000-12-26 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Process and apparatus for cutting of discrete components of a multi-component workpiece and depositing them with registration on a moving web of material |
| US6303396B1 (en) * | 1999-09-29 | 2001-10-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Substrate removal as a function of resistance at the back side of a semiconductor device |
| JP4157419B2 (ja) * | 2002-06-11 | 2008-10-01 | セイコーインスツル株式会社 | 近視野光ヘッドの製造方法および製造装置 |
| CN101058894B (zh) * | 2006-04-19 | 2010-08-25 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 去除类金刚石碳膜的方法 |
| US8692564B2 (en) * | 2011-02-04 | 2014-04-08 | General Electric Company | System and method for use in determining the thickness of a layer of interest in a multi-layer structure |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3874959A (en) * | 1973-09-21 | 1975-04-01 | Ibm | Method to establish the endpoint during the delineation of oxides on semiconductor surfaces and apparatus therefor |
| DE2412648C2 (de) * | 1974-03-14 | 1975-08-21 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Einrichtung zum Messen der Beschichtungsdicke beschichteter Drähte |
| US3902979A (en) * | 1974-06-24 | 1975-09-02 | Westinghouse Electric Corp | Insulator substrate with a thin mono-crystalline semiconductive layer and method of fabrication |
| US4028207A (en) * | 1975-05-16 | 1977-06-07 | The Post Office | Measuring arrangements |
| US4310389A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-12 | Chrysler Corporation | Method for simultaneous determination of thickness and electrochemical potential in multilayer plated deposits |
| FR2532760A1 (fr) * | 1982-09-08 | 1984-03-09 | Comp Generale Electricite | Procede et dispositif pour obtenir des caracteristiques physiques d'un materiau semi-conducteur |
| DE3502567A1 (de) * | 1984-01-25 | 1985-08-01 | Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin | Verfahren zur herstellung von halbleitenden materialien und/oder halbleiter-bauelementen |
-
1987
- 1987-05-04 HU HU871989A patent/HU199020B/hu not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-04-26 DD DD88315090A patent/DD272695A1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-05-04 WO PCT/HU1988/000030 patent/WO1988009053A1/de not_active Application Discontinuation
- 1988-05-04 EP EP88903918A patent/EP0314726A1/de not_active Withdrawn
- 1988-05-04 JP JP63503861A patent/JPH01503506A/ja active Pending
- 1988-05-04 US US07/301,889 patent/US4995939A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-04 SU SU894613326A patent/SU1713448A3/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Factor М.М., Ambrldge Т., Elliott C.R., Regnoulj I.G. The Characterization of Lemlconductor Materials and Technoquei;- Carrent Topics in Material Icience, 1980, vol. 6 (North Holland Amsterdam).Blood P. Capacitance-Voltage Profiling and Characterisations of III-V Semiconductor Using Electrolyte BarrlesirSemicpnd.SCi. Technol.. 1986.1,p. 7-27. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01503506A (ja) | 1989-11-22 |
| DD272695A1 (de) | 1989-10-18 |
| WO1988009053A1 (en) | 1988-11-17 |
| HUT47742A (en) | 1989-03-28 |
| US4995939A (en) | 1991-02-26 |
| HU199020B (en) | 1989-12-28 |
| EP0314726A1 (de) | 1989-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU1713448A3 (ru) | Способ определени толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкци х и устройство дл его осуществлени | |
| US4758786A (en) | Method of analyzing semiconductor systems | |
| EP0120229B1 (en) | System and method for resist defect measurement on semiconductors | |
| US4286215A (en) | Method and apparatus for the contactless monitoring carrier lifetime in semiconductor materials | |
| US5963783A (en) | In-line detection and assessment of net charge in PECVD silicon dioxide (oxide) layers | |
| EP0496731B1 (en) | Method and apparatus for conducting electrochemiluminescent measurements | |
| US4168212A (en) | Determining semiconductor characteristic | |
| EP0470692A2 (en) | Method and apparatus for measuring a deep inpurity level of a semiconductor crystal | |
| JPH07302823A (ja) | 半導体材料から成る試料の少数キャリアの表面再結合の寿命定数の決定方法 | |
| DE3787041D1 (de) | Verfahren zum feststellen und/oder zum identifizieren einer biologischen substanz durch elektrische messungen und vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens. | |
| EP0645623B1 (en) | Method of monitoring acid concentration in plating baths | |
| US6653850B2 (en) | Surface passivation method and arrangement for measuring the lifetime of minority carriers in semiconductors | |
| US4569728A (en) | Selective anodic oxidation of semiconductors for pattern generation | |
| US5760594A (en) | Contamination monitoring using capacitance measurements on MOS structures | |
| RU2079853C1 (ru) | Способ измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов | |
| JPH07240450A (ja) | 担体寿命測定方法 | |
| US5999006A (en) | Method of and apparatus for conducting analysis of buried oxides | |
| Cocivera et al. | Photocapacitance spectroscopy of thin film cadmium selenide electrodes | |
| US5300200A (en) | Method for stabilizing the effective dissolution valence of silicon during electrochemical depth profiling | |
| JPS61101045A (ja) | 半導体評価方法 | |
| JPS59151047A (ja) | トラツプ分析装置 | |
| JP2704568B2 (ja) | 電気化学測定システム | |
| EP0538309A1 (en) | Process and apparatus for determining carrier concentration in semiconductors | |
| JPH0630368B2 (ja) | 半導体の特性測定装置 | |
| RU2101721C1 (ru) | Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин |